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晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告-資料下載頁

2025-05-13 01:48本頁面
  

【正文】 后,設計生產(chǎn)能力為年產(chǎn)非晶硅薄膜太陽能電池100MW,項目達產(chǎn)期預計年產(chǎn)值可達 16 億元。 產(chǎn)品方案非晶硅薄膜太陽能電池經(jīng)過串聯(lián)后進行封裝保護可形成大面積的非晶硅薄膜太陽能電池組件,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置。非晶硅薄膜太陽能電池板是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分,也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中價值最高的部分。其作用是將太陽能轉化為電能,或送往蓄電池中存儲起來,或推動負載工作。非晶硅薄膜太陽能電池板的質(zhì)量和成本將直接決定整個系統(tǒng)的質(zhì)量和成本?;诖耍卷椖咳滓M國外成熟工藝技術,采用先進的生產(chǎn)設備,生產(chǎn)各種規(guī)格的非晶硅薄膜非晶硅薄膜太陽能電池產(chǎn)品,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。同時可以根據(jù)客戶要求定制不同規(guī)格型號的非晶硅非晶硅薄膜太陽能電池切割片, 可用于太陽能手機充電器、太陽能燈具、太陽能玩具、光伏幕墻等產(chǎn)品主要指標如下:常備規(guī)格:5W、15W、20W、25W、30W、40W、50W、100W、150W;開路電壓:2V;短路電流:6uA;工作電壓:;工作電流:;晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告40工作溫度: 10℃40℃,儲存溫度40℃70℃;照度:200lux。性能:具有弱光和短波響應好,高溫穩(wěn)定性和充電效率高。 生產(chǎn)規(guī)模及產(chǎn)值預測項目達產(chǎn)后,預計年生產(chǎn)非晶硅薄膜太陽能電池 100MW,按當前市場價 16 元/W 計算,年產(chǎn)值可達 16 億元人民幣。晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告41第五章 項目選址及建設條件 項目選址 項目建設地點本項目擬建設地點位于某工業(yè)園區(qū)。 項目用地性質(zhì)本項目用地性質(zhì)為工業(yè)用地,規(guī)劃用地面積為 202200 平方米(約 300 畝) 。 土地現(xiàn)狀項目所在地災后重建工作進展快速,效果顯著。擬建廠址內(nèi)地勢平坦,基礎設施條件好,物流快捷高效。水、電、熱、 燃氣、通訊設施條件具備,與廠外對接方便,有利于項目建設。 項目選址意見① 某工業(yè)園區(qū)廠址公用工程配套,土地利用現(xiàn)狀為六通一平,不需拆遷,一次性投資?。虎?該地為規(guī)劃工業(yè)用地,生產(chǎn)輔助設施配套條件好,利于工藝協(xié)作、 方便生產(chǎn)管理、可極大的節(jié)省人力物力的投入;③ 該場址用地面積 202200 平方米,整個廠區(qū)為規(guī)整的長方形形狀, 地勢平坦,利于項目建筑物的總體布局;④ 從工藝布局上看,基本符合工序間運輸距離較短的原則;⑤ 在工業(yè)園區(qū)建廠:交通方便、運輸成本低;晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告42⑥ 政策優(yōu)惠,企業(yè)可以享受減免稅費等方面的優(yōu)惠政策;⑦ 園區(qū)內(nèi)地域?qū)掗?,可以滿足項目設計用地的需要。 本項目的實施,在相應國家號召的同時,促進地方清潔能源○ 8產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,促進我國光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展,促進國民經(jīng)濟的發(fā)展,提高企業(yè)的經(jīng)濟效益,具有巨大的經(jīng)濟效益和社會效益。綜上所述,本項目的廠址條件符合企業(yè)的實際能力和長遠發(fā)展,可以做到統(tǒng)籌兼顧、經(jīng)濟合理、優(yōu)化配置、節(jié)省資源。本項目選址符合當?shù)爻鞘幸?guī)劃,符合該區(qū)域發(fā)展定位。 建設條件分析 交通、能源供應條件交能、能源、水源等外部條件,對項目產(chǎn)品的生產(chǎn)和供應有著極大的影響,是企業(yè)實施項目建設的首選因素,本項目所在地經(jīng)過近幾年的規(guī)劃建設,項目周邊市政設施較為完善,園區(qū) 220KV 輸變電工程、園區(qū)制水廠、配氣站、玉溪河名左渠引水工程、雅名快速通道等基礎設施項目即將建成投入使用。交通便捷、地理位置優(yōu)越、區(qū)域環(huán)境良好。 施工條件① 本地區(qū)能夠供應建筑設計所需要的鋼材、木材、水泥、砂石、磚(砌塊)等地產(chǎn)材料。② 本地區(qū)施工單位有能力對標準構件、預應力構件進行制作及晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告43吊裝, 具備施工大、中型項目的能力。 公用設施條件 供熱:項目采用自有暖風空調(diào)系統(tǒng)進行廠區(qū)供熱;○ 1供電:項目用電由***供電公司供給;○ 2供水:生產(chǎn)、生活用水由園區(qū)管網(wǎng)供給;○ 3排水:生產(chǎn)、生活廢水經(jīng)處理達標后排入園區(qū)污水主管網(wǎng); ○ 4通訊:園區(qū)通訊設施可滿足項目建設的通訊需要?!?5 原材料及燃動力供應 原材料項目主要原材料及包裝材料明細與價格如下表所示,材料國內(nèi)均有供應。表 51 薄膜電池組件成本計算書—A (組件功率—50W)材料(含稅)序號材料名稱 規(guī)格 材料耗量(組件) 材料價格(元/材料單位)單位材料費用(元/組件)1 浮法玻璃 1245635 塊 2 導電玻璃 12456353 塊 3 EVA 4 鋁邊框 JN3amp。JN4 套 5 接線盒 RH03011 套 6 氬氣 % 7 氫氣 % 8 液氮 ㎏ 9 高純氮 10 氦氣 11 硅烷 12 磷烷 13 TMB ? 123435 14 甲烷 晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告4415 鋁箔帶 米 16 雙面膠 3M 17 88 透明膠 18 737 硅膠 19 匯流帶 4 塊 180 20 鋁靶 21 GRC 芯 22 進口清洗劑 23 氧化鋁 220 24 砂帶 4106 25 玻璃水 500 克 26 酒精 27 毛巾 28 白潔布 29 封裝螺絲 424 個 30 標簽合格證 個 材料成本合計 表 52 薄膜電池組件成本計算書 —B (組件功率—50W)產(chǎn)品包裝(含稅)序號材料名稱規(guī)格 材料耗量(木箱)材料價格(元/材料價格)單位材料費用(元/組件)1 EPE—A ** 立方米 600 2 EPE—B ** 立方米 700 3 紙隔板 1255*645 片 4 防水膜 /卷 500 5 木箱 1420*1100*910 個 245 6 其他包裝成本合計 元/組件 表 53 薄膜電池組件成本合計(含稅價)(元/組件 50W) (元/W) 萬元/100MW晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告45材料成本 55950包裝成本 3470合計 58600 燃動力供應本項目主要燃料為天然氣,年消耗 萬立方米;動力為水和電,生產(chǎn)、生活用水年消耗量 22800 噸,生產(chǎn)、生活用電年消耗量為 288 萬度,本地供應即可滿足要求。第六章 技術方案、設備方案與工程方案 技術方案 技術原理本項目采用 PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)工藝生產(chǎn)非晶硅薄膜太陽能電池。非晶硅的制備需要很快的冷卻速率,所以,其制備采用物理和化學氣相沉積技術。最常用的技術就是輝光放電分解氣相沉積技術(PECVD)。實際工藝中,常用的設備是射頻電容式。主要反應式:SiH4=Si+2H2硅烷分解生成硅原子,沉積在襯底材料上形成非晶硅薄膜。實際反應時,首先將反應室預抽成真空狀態(tài),然后將用氫氣稀釋后的硅烷氣體通入反應室,調(diào)節(jié)各種氣體流量,使得反應室氣壓滿足要求后在正、負電極之間加上電壓,由陰極發(fā)射出電子,并在晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告46電場中得到能量后碰撞反應室內(nèi)的氣體分子和原子,使之分解、激發(fā)或電離,形成等離子體,最終分解的原子在襯底沉積,形成非晶硅薄膜。硅烷分解反應時,除硅原子外,還會產(chǎn)生一定量的氫原子,這些氫原子在非晶硅薄膜沉積時會進入非晶硅,相當于此處引入氫。 工藝流程玻璃準備 導電玻璃劃線 非晶硅沉積 非晶硅切割濺射鍍鋁鋁切割IV 測試封裝檢測 成品該工藝采用硅烷等離子體分解法,將硅烷(摻雜少量的乙硼烷或磷化氫等氣體)在導電玻璃上低溫成膜,通過磁控濺射制作鋁電極連接背電極。最后,用防護玻璃罩密封 EVA 箔形成太陽能電池組件。主要有如下幾個工序組成:(1)導電玻璃清洗將外購的標準透明導電玻璃板和玻璃背板放入專用清洗機進行自動清洗。清洗液為電阻率 10MΩ 以上的去離子純水。(2)導電玻璃劃線根據(jù)生產(chǎn)線預定的線距,用專用激光劃線機對透明導電玻璃板晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告47進行激光劃線(刻蝕) ,將透明導電玻璃板上的透明導電層劃線分割,目的是將整板分為若干塊,作為若干個單體電池的電極。(3)PECVD將清洗潔凈的 SnO2 透明導電玻璃裝入“沉積夾具” ,推入烘爐進行預熱。預熱后將其轉移入 PECVD 沉積爐,進行 pin/pin 沉積。其基本原理是利用硅烷(SiH4)在低溫等離子的作用下分解產(chǎn)生非晶硅(aSi) ,具體反應式為:SiH4=Si+2H2實際反應時,首先將反應室預抽成真空狀態(tài),然后將用 H2 或Ar 稀釋的 SiH4 通入反應室,調(diào)節(jié)各種氣體的流量,使反應室在一定壓力,然后在正、負極之間加上電壓,由陰極發(fā)射出電子,并在電場中得到能量后碰撞反應室內(nèi)的氣體分子或原子,使之分解、激發(fā)或電離,形成等離子體。最終分解的硅原子在襯底上沉積,形成非晶硅薄膜。為了獲得 n 型的非晶硅,在反應時通入磷烷(PH3) ,在硅烷分解時,磷烷分解達到磷摻雜的目的,可能的方程式為:2PH3=2P+3H2同樣地,要獲得 p 型的非晶硅,只需通入硼烷(B2H6) ,可能的方程式為:B2H6=2B+3H2(4)激光刻劃 aSi 膜根據(jù)生產(chǎn)預定的線寬以及與 SnO2切割線的線間距,用綠激光將晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告48aSi 膜刻劃穿,目的是讓背電極(金屬鋁)通過與前電極(SnO 2導電膜)相聯(lián)接,實現(xiàn)整板由若干個單體電池內(nèi)部串聯(lián)而成。(5)濺射鍍鋁鍍鋁的目的是形成電池的背電極,以增加太陽能電池對光的吸收。在真空反應室中放鍍膜所需的金屬構成的靶材,并將靶材接地;然后將氬氣充入反應室內(nèi),電離成電荷。帶正電荷的氬離子被不帶電的靶材吸引,加速沖向靶。在加速過程中這些離子受到引力作用,獲得動量,轟擊靶材。這樣一來,靶材中的原子或分子就會散布在反應室中,其中一部分漸漸地停落在產(chǎn)品表面。(6)綠激光刻鋁根據(jù)預定的線寬以及與 aSi 切割線的線間距,用綠激光將鋁膜刻劃成相互獨立的部分,目的是將整個鋁膜分成若干個單體電池的背電極,進而實現(xiàn)整板若干個電池的內(nèi)部串聯(lián)。(7)IV 測試通過上述各道工序,非晶硅電池芯板已形成,需進行 IV 測試,以獲得電池板的各個性能參數(shù),來判斷某道工序是否出現(xiàn)問題,便于提高電池的質(zhì)量。最后經(jīng)過封裝檢測后成品出廠。 設備配置方案本項目的設備包括生產(chǎn)線設備、其他設備及公用輔助設備。生產(chǎn)線設備主要包括玻璃準備設備、膜刻劃系統(tǒng)、非晶硅薄膜晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告49刻劃系統(tǒng)、(aSi)鋁amp。氧化鋅濺射系統(tǒng)、組件測試等;其他設備:包括運輸設備、辦公設備等。公用輔助設備:由于開發(fā)區(qū)已有完整的輔助設施規(guī)劃,故水、電、氣等供應皆列入開發(fā)區(qū)統(tǒng)一供應,管線接通即可。設備方案表如下:本項目所需設備配置如下表所示:表 61 設備配置方案表序號 設備名稱數(shù)量(臺/套/條 /輛)設備單價(萬元)一 玻璃設備    1 磨邊機 8 322 玻璃清洗機 8 65二 薄膜刻劃系統(tǒng)    3 激光刻劃系統(tǒng) 8 320三 非晶硅薄膜沉積系統(tǒng)    4 裝載盒 40 505 裝載盒車 50 36 預熱爐 20 407 冷卻爐 20 308 特氣存儲裝置 12 659 非晶硅薄膜沉積系統(tǒng) 10 800晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告5010 CW RF 系統(tǒng) 10 12011 非晶硅薄膜沉積系統(tǒng)真空部件 10 18012 尾氣處理系統(tǒng) 10 140四 非晶硅薄膜刻劃系統(tǒng)    13 激光刻劃系統(tǒng) 9 340五 鋁amp。氧化鋅濺射系統(tǒng)    14 六室 Alamp。ZnO 濺射系統(tǒng) 8 142215 濺射系統(tǒng)真空部件 8 27016 磁控電源供應裝置 8 56六 鋁刻劃系統(tǒng)    17 激光刻劃系統(tǒng)(Al)封裝 8 34218 邊絕緣 8 3219 箔焊系統(tǒng) 8 9020 預熱站 8 1821 EVA 層壓機 8 5422 層壓機真空部件 8 2023 退火爐 8 72七 組件測試    24 組件光(IV)測試儀 8 16225 四探針 8 4晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告51八 其他設備    26 RF 電源假負載 1 427 運輸工具 30 1528 辦公及生活設備 2 200 設備采購方式本項目設備采購方式為自行招標采購。 工程方案 工程設計原則建筑設計在符合國家有關規(guī)定的前提下,本著滿足工藝生產(chǎn)和現(xiàn)代化管理的要求,保證產(chǎn)品質(zhì)量,保證安全生產(chǎn),改善勞動條件,保護環(huán)境的同時盡可能作到安全適用、經(jīng)濟合理、技術先進、美觀大方、文明生產(chǎn)的需要。根據(jù)工藝生產(chǎn)的要求和廠區(qū)總平面布置的需要,生產(chǎn)車間采用鋼架結構,獨立基礎,其他建筑物采用磚混或框架結構。車間生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級為三級,通道及疏散口均符合防火規(guī)范要求。堅持高起點、大批量、專業(yè)化、多品種的方針,通過引進世界先進設備和工藝,把公司建成在技術和管理方面具有世界先進水平的非晶薄膜光電產(chǎn)品基地。晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告52重要生產(chǎn)環(huán)節(jié)采用 20 萬級凈化車間以保證產(chǎn)品質(zhì)量。領先的氧化錫(SnO 2)濺鍍技術,把氧化錫玻璃板的阻抗大幅降低,目前美國、日本氧化錫玻璃板的阻抗達 240(歐姆) ,我公司受讓的光電技術可把
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