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晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告-資料下載頁

2025-05-13 01:48本頁面
  

【正文】 后,設(shè)計生產(chǎn)能力為年產(chǎn)非晶硅薄膜太陽能電池100MW,項目達(dá)產(chǎn)期預(yù)計年產(chǎn)值可達(dá) 16 億元。 產(chǎn)品方案非晶硅薄膜太陽能電池經(jīng)過串聯(lián)后進(jìn)行封裝保護(hù)可形成大面積的非晶硅薄膜太陽能電池組件,再配合上功率控制器等部件就形成了光伏發(fā)電裝置。非晶硅薄膜太陽能電池板是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分,也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中價值最高的部分。其作用是將太陽能轉(zhuǎn)化為電能,或送往蓄電池中存儲起來,或推動負(fù)載工作。非晶硅薄膜太陽能電池板的質(zhì)量和成本將直接決定整個系統(tǒng)的質(zhì)量和成本。基于此,本項目全套引進(jìn)國外成熟工藝技術(shù),采用先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備,生產(chǎn)各種規(guī)格的非晶硅薄膜非晶硅薄膜太陽能電池產(chǎn)品,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。同時可以根據(jù)客戶要求定制不同規(guī)格型號的非晶硅非晶硅薄膜太陽能電池切割片, 可用于太陽能手機(jī)充電器、太陽能燈具、太陽能玩具、光伏幕墻等產(chǎn)品主要指標(biāo)如下:常備規(guī)格:5W、15W、20W、25W、30W、40W、50W、100W、150W;開路電壓:2V;短路電流:6uA;工作電壓:;工作電流:;晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告40工作溫度: 10℃40℃,儲存溫度40℃70℃;照度:200lux。性能:具有弱光和短波響應(yīng)好,高溫穩(wěn)定性和充電效率高。 生產(chǎn)規(guī)模及產(chǎn)值預(yù)測項目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計年生產(chǎn)非晶硅薄膜太陽能電池 100MW,按當(dāng)前市場價 16 元/W 計算,年產(chǎn)值可達(dá) 16 億元人民幣。晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告41第五章 項目選址及建設(shè)條件 項目選址 項目建設(shè)地點本項目擬建設(shè)地點位于某工業(yè)園區(qū)。 項目用地性質(zhì)本項目用地性質(zhì)為工業(yè)用地,規(guī)劃用地面積為 202200 平方米(約 300 畝) 。 土地現(xiàn)狀項目所在地災(zāi)后重建工作進(jìn)展快速,效果顯著。擬建廠址內(nèi)地勢平坦,基礎(chǔ)設(shè)施條件好,物流快捷高效。水、電、熱、 燃?xì)?、通訊設(shè)施條件具備,與廠外對接方便,有利于項目建設(shè)。 項目選址意見① 某工業(yè)園區(qū)廠址公用工程配套,土地利用現(xiàn)狀為六通一平,不需拆遷,一次性投資小;② 該地為規(guī)劃工業(yè)用地,生產(chǎn)輔助設(shè)施配套條件好,利于工藝協(xié)作、 方便生產(chǎn)管理、可極大的節(jié)省人力物力的投入;③ 該場址用地面積 202200 平方米,整個廠區(qū)為規(guī)整的長方形形狀, 地勢平坦,利于項目建筑物的總體布局;④ 從工藝布局上看,基本符合工序間運輸距離較短的原則;⑤ 在工業(yè)園區(qū)建廠:交通方便、運輸成本低;晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告42⑥ 政策優(yōu)惠,企業(yè)可以享受減免稅費等方面的優(yōu)惠政策;⑦ 園區(qū)內(nèi)地域?qū)掗?,可以滿足項目設(shè)計用地的需要。 本項目的實施,在相應(yīng)國家號召的同時,促進(jìn)地方清潔能源○ 8產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,促進(jìn)我國光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展,促進(jìn)國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,提高企業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益,具有巨大的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。綜上所述,本項目的廠址條件符合企業(yè)的實際能力和長遠(yuǎn)發(fā)展,可以做到統(tǒng)籌兼顧、經(jīng)濟(jì)合理、優(yōu)化配置、節(jié)省資源。本項目選址符合當(dāng)?shù)爻鞘幸?guī)劃,符合該區(qū)域發(fā)展定位。 建設(shè)條件分析 交通、能源供應(yīng)條件交能、能源、水源等外部條件,對項目產(chǎn)品的生產(chǎn)和供應(yīng)有著極大的影響,是企業(yè)實施項目建設(shè)的首選因素,本項目所在地經(jīng)過近幾年的規(guī)劃建設(shè),項目周邊市政設(shè)施較為完善,園區(qū) 220KV 輸變電工程、園區(qū)制水廠、配氣站、玉溪河名左渠引水工程、雅名快速通道等基礎(chǔ)設(shè)施項目即將建成投入使用。交通便捷、地理位置優(yōu)越、區(qū)域環(huán)境良好。 施工條件① 本地區(qū)能夠供應(yīng)建筑設(shè)計所需要的鋼材、木材、水泥、砂石、磚(砌塊)等地產(chǎn)材料。② 本地區(qū)施工單位有能力對標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)件、預(yù)應(yīng)力構(gòu)件進(jìn)行制作及晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告43吊裝, 具備施工大、中型項目的能力。 公用設(shè)施條件 供熱:項目采用自有暖風(fēng)空調(diào)系統(tǒng)進(jìn)行廠區(qū)供熱;○ 1供電:項目用電由***供電公司供給;○ 2供水:生產(chǎn)、生活用水由園區(qū)管網(wǎng)供給;○ 3排水:生產(chǎn)、生活廢水經(jīng)處理達(dá)標(biāo)后排入園區(qū)污水主管網(wǎng); ○ 4通訊:園區(qū)通訊設(shè)施可滿足項目建設(shè)的通訊需要?!?5 原材料及燃動力供應(yīng) 原材料項目主要原材料及包裝材料明細(xì)與價格如下表所示,材料國內(nèi)均有供應(yīng)。表 51 薄膜電池組件成本計算書—A (組件功率—50W)材料(含稅)序號材料名稱 規(guī)格 材料耗量(組件) 材料價格(元/材料單位)單位材料費用(元/組件)1 浮法玻璃 1245635 塊 2 導(dǎo)電玻璃 12456353 塊 3 EVA 4 鋁邊框 JN3amp。JN4 套 5 接線盒 RH03011 套 6 氬氣 % 7 氫氣 % 8 液氮 ㎏ 9 高純氮 10 氦氣 11 硅烷 12 磷烷 13 TMB ? 123435 14 甲烷 晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告4415 鋁箔帶 米 16 雙面膠 3M 17 88 透明膠 18 737 硅膠 19 匯流帶 4 塊 180 20 鋁靶 21 GRC 芯 22 進(jìn)口清洗劑 23 氧化鋁 220 24 砂帶 4106 25 玻璃水 500 克 26 酒精 27 毛巾 28 白潔布 29 封裝螺絲 424 個 30 標(biāo)簽合格證 個 材料成本合計 表 52 薄膜電池組件成本計算書 —B (組件功率—50W)產(chǎn)品包裝(含稅)序號材料名稱規(guī)格 材料耗量(木箱)材料價格(元/材料價格)單位材料費用(元/組件)1 EPE—A ** 立方米 600 2 EPE—B ** 立方米 700 3 紙隔板 1255*645 片 4 防水膜 /卷 500 5 木箱 1420*1100*910 個 245 6 其他包裝成本合計 元/組件 表 53 薄膜電池組件成本合計(含稅價)(元/組件 50W) (元/W) 萬元/100MW晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告45材料成本 55950包裝成本 3470合計 58600 燃動力供應(yīng)本項目主要燃料為天然氣,年消耗 萬立方米;動力為水和電,生產(chǎn)、生活用水年消耗量 22800 噸,生產(chǎn)、生活用電年消耗量為 288 萬度,本地供應(yīng)即可滿足要求。第六章 技術(shù)方案、設(shè)備方案與工程方案 技術(shù)方案 技術(shù)原理本項目采用 PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)工藝生產(chǎn)非晶硅薄膜太陽能電池。非晶硅的制備需要很快的冷卻速率,所以,其制備采用物理和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。最常用的技術(shù)就是輝光放電分解氣相沉積技術(shù)(PECVD)。實際工藝中,常用的設(shè)備是射頻電容式。主要反應(yīng)式:SiH4=Si+2H2硅烷分解生成硅原子,沉積在襯底材料上形成非晶硅薄膜。實際反應(yīng)時,首先將反應(yīng)室預(yù)抽成真空狀態(tài),然后將用氫氣稀釋后的硅烷氣體通入反應(yīng)室,調(diào)節(jié)各種氣體流量,使得反應(yīng)室氣壓滿足要求后在正、負(fù)電極之間加上電壓,由陰極發(fā)射出電子,并在晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告46電場中得到能量后碰撞反應(yīng)室內(nèi)的氣體分子和原子,使之分解、激發(fā)或電離,形成等離子體,最終分解的原子在襯底沉積,形成非晶硅薄膜。硅烷分解反應(yīng)時,除硅原子外,還會產(chǎn)生一定量的氫原子,這些氫原子在非晶硅薄膜沉積時會進(jìn)入非晶硅,相當(dāng)于此處引入氫。 工藝流程玻璃準(zhǔn)備 導(dǎo)電玻璃劃線 非晶硅沉積 非晶硅切割濺射鍍鋁鋁切割I(lǐng)V 測試封裝檢測 成品該工藝采用硅烷等離子體分解法,將硅烷(摻雜少量的乙硼烷或磷化氫等氣體)在導(dǎo)電玻璃上低溫成膜,通過磁控濺射制作鋁電極連接背電極。最后,用防護(hù)玻璃罩密封 EVA 箔形成太陽能電池組件。主要有如下幾個工序組成:(1)導(dǎo)電玻璃清洗將外購的標(biāo)準(zhǔn)透明導(dǎo)電玻璃板和玻璃背板放入專用清洗機(jī)進(jìn)行自動清洗。清洗液為電阻率 10MΩ 以上的去離子純水。(2)導(dǎo)電玻璃劃線根據(jù)生產(chǎn)線預(yù)定的線距,用專用激光劃線機(jī)對透明導(dǎo)電玻璃板晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告47進(jìn)行激光劃線(刻蝕) ,將透明導(dǎo)電玻璃板上的透明導(dǎo)電層劃線分割,目的是將整板分為若干塊,作為若干個單體電池的電極。(3)PECVD將清洗潔凈的 SnO2 透明導(dǎo)電玻璃裝入“沉積夾具” ,推入烘爐進(jìn)行預(yù)熱。預(yù)熱后將其轉(zhuǎn)移入 PECVD 沉積爐,進(jìn)行 pin/pin 沉積。其基本原理是利用硅烷(SiH4)在低溫等離子的作用下分解產(chǎn)生非晶硅(aSi) ,具體反應(yīng)式為:SiH4=Si+2H2實際反應(yīng)時,首先將反應(yīng)室預(yù)抽成真空狀態(tài),然后將用 H2 或Ar 稀釋的 SiH4 通入反應(yīng)室,調(diào)節(jié)各種氣體的流量,使反應(yīng)室在一定壓力,然后在正、負(fù)極之間加上電壓,由陰極發(fā)射出電子,并在電場中得到能量后碰撞反應(yīng)室內(nèi)的氣體分子或原子,使之分解、激發(fā)或電離,形成等離子體。最終分解的硅原子在襯底上沉積,形成非晶硅薄膜。為了獲得 n 型的非晶硅,在反應(yīng)時通入磷烷(PH3) ,在硅烷分解時,磷烷分解達(dá)到磷摻雜的目的,可能的方程式為:2PH3=2P+3H2同樣地,要獲得 p 型的非晶硅,只需通入硼烷(B2H6) ,可能的方程式為:B2H6=2B+3H2(4)激光刻劃 aSi 膜根據(jù)生產(chǎn)預(yù)定的線寬以及與 SnO2切割線的線間距,用綠激光將晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告48aSi 膜刻劃穿,目的是讓背電極(金屬鋁)通過與前電極(SnO 2導(dǎo)電膜)相聯(lián)接,實現(xiàn)整板由若干個單體電池內(nèi)部串聯(lián)而成。(5)濺射鍍鋁鍍鋁的目的是形成電池的背電極,以增加太陽能電池對光的吸收。在真空反應(yīng)室中放鍍膜所需的金屬構(gòu)成的靶材,并將靶材接地;然后將氬氣充入反應(yīng)室內(nèi),電離成電荷。帶正電荷的氬離子被不帶電的靶材吸引,加速沖向靶。在加速過程中這些離子受到引力作用,獲得動量,轟擊靶材。這樣一來,靶材中的原子或分子就會散布在反應(yīng)室中,其中一部分漸漸地停落在產(chǎn)品表面。(6)綠激光刻鋁根據(jù)預(yù)定的線寬以及與 aSi 切割線的線間距,用綠激光將鋁膜刻劃成相互獨立的部分,目的是將整個鋁膜分成若干個單體電池的背電極,進(jìn)而實現(xiàn)整板若干個電池的內(nèi)部串聯(lián)。(7)IV 測試通過上述各道工序,非晶硅電池芯板已形成,需進(jìn)行 IV 測試,以獲得電池板的各個性能參數(shù),來判斷某道工序是否出現(xiàn)問題,便于提高電池的質(zhì)量。最后經(jīng)過封裝檢測后成品出廠。 設(shè)備配置方案本項目的設(shè)備包括生產(chǎn)線設(shè)備、其他設(shè)備及公用輔助設(shè)備。生產(chǎn)線設(shè)備主要包括玻璃準(zhǔn)備設(shè)備、膜刻劃系統(tǒng)、非晶硅薄膜晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告49刻劃系統(tǒng)、(aSi)鋁amp。氧化鋅濺射系統(tǒng)、組件測試等;其他設(shè)備:包括運輸設(shè)備、辦公設(shè)備等。公用輔助設(shè)備:由于開發(fā)區(qū)已有完整的輔助設(shè)施規(guī)劃,故水、電、氣等供應(yīng)皆列入開發(fā)區(qū)統(tǒng)一供應(yīng),管線接通即可。設(shè)備方案表如下:本項目所需設(shè)備配置如下表所示:表 61 設(shè)備配置方案表序號 設(shè)備名稱數(shù)量(臺/套/條 /輛)設(shè)備單價(萬元)一 玻璃設(shè)備    1 磨邊機(jī) 8 322 玻璃清洗機(jī) 8 65二 薄膜刻劃系統(tǒng)    3 激光刻劃系統(tǒng) 8 320三 非晶硅薄膜沉積系統(tǒng)    4 裝載盒 40 505 裝載盒車 50 36 預(yù)熱爐 20 407 冷卻爐 20 308 特氣存儲裝置 12 659 非晶硅薄膜沉積系統(tǒng) 10 800晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告5010 CW RF 系統(tǒng) 10 12011 非晶硅薄膜沉積系統(tǒng)真空部件 10 18012 尾氣處理系統(tǒng) 10 140四 非晶硅薄膜刻劃系統(tǒng)    13 激光刻劃系統(tǒng) 9 340五 鋁amp。氧化鋅濺射系統(tǒng)    14 六室 Alamp。ZnO 濺射系統(tǒng) 8 142215 濺射系統(tǒng)真空部件 8 27016 磁控電源供應(yīng)裝置 8 56六 鋁刻劃系統(tǒng)    17 激光刻劃系統(tǒng)(Al)封裝 8 34218 邊絕緣 8 3219 箔焊系統(tǒng) 8 9020 預(yù)熱站 8 1821 EVA 層壓機(jī) 8 5422 層壓機(jī)真空部件 8 2023 退火爐 8 72七 組件測試    24 組件光(IV)測試儀 8 16225 四探針 8 4晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告51八 其他設(shè)備    26 RF 電源假負(fù)載 1 427 運輸工具 30 1528 辦公及生活設(shè)備 2 200 設(shè)備采購方式本項目設(shè)備采購方式為自行招標(biāo)采購。 工程方案 工程設(shè)計原則建筑設(shè)計在符合國家有關(guān)規(guī)定的前提下,本著滿足工藝生產(chǎn)和現(xiàn)代化管理的要求,保證產(chǎn)品質(zhì)量,保證安全生產(chǎn),改善勞動條件,保護(hù)環(huán)境的同時盡可能作到安全適用、經(jīng)濟(jì)合理、技術(shù)先進(jìn)、美觀大方、文明生產(chǎn)的需要。根據(jù)工藝生產(chǎn)的要求和廠區(qū)總平面布置的需要,生產(chǎn)車間采用鋼架結(jié)構(gòu),獨立基礎(chǔ),其他建筑物采用磚混或框架結(jié)構(gòu)。車間生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級為三級,通道及疏散口均符合防火規(guī)范要求。堅持高起點、大批量、專業(yè)化、多品種的方針,通過引進(jìn)世界先進(jìn)設(shè)備和工藝,把公司建成在技術(shù)和管理方面具有世界先進(jìn)水平的非晶薄膜光電產(chǎn)品基地。晶硅薄膜太陽能電池項目可行性研究報告52重要生產(chǎn)環(huán)節(jié)采用 20 萬級凈化車間以保證產(chǎn)品質(zhì)量。領(lǐng)先的氧化錫(SnO 2)濺鍍技術(shù),把氧化錫玻璃板的阻抗大幅降低,目前美國、日本氧化錫玻璃板的阻抗達(dá) 240(歐姆) ,我公司受讓的光電技術(shù)可把
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