【導(dǎo)讀】市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)和需求量進(jìn)行預(yù)測(cè)；合理工藝技術(shù)方案和設(shè)備選型；硅片，25MW電池片與伺服系統(tǒng)。本項(xiàng)目生產(chǎn)所用結(jié)晶爐是采用熱交換與布里曼相結(jié)合的技術(shù)。度，表面無(wú)缺陷、無(wú)崩邊、無(wú)損傷層，高度完整、均勻、光潔的鏡面硅片。人員118人，技術(shù)人員58人，生產(chǎn)工人1624人。潤(rùn)總額33288萬(wàn)元，所得稅8322萬(wàn)元。生產(chǎn)及銷售，所有產(chǎn)品都將通過(guò)UL，IEC和TUV的國(guó)際認(rèn)證。工業(yè)革命以來(lái)，世界能源消費(fèi)劇。近年來(lái)，受石油價(jià)格上漲和全球氣候變化的影響，可再生能源開(kāi)發(fā)利。相當(dāng)于目前世界上能耗的40倍。

　　

【正文】 。負(fù) 10 米等深線以內(nèi)淺海面積 4800 平方公里。沿岸海底較為平坦，淺海底質(zhì)泥質(zhì)粉砂占 %，沙質(zhì)粉砂占 %。海水透明度為 32~55 厘米。海水溫度、鹽度受大陸氣候和黃河徑流的影響較大。冬季沿岸有 3 個(gè)月冰期，海水流冰范圍為 5~10 海里，鹽度在 30‰左右；春季海水溫度為 12℃ ~20℃，鹽度多為 22‰ ~31‰；夏季海水溫度為 24℃ ~28℃，鹽度為 21‰ ~30‰；黃河入?？诟浇Ｄ甏嬖诘蜏氐望}水舌。東營(yíng)海域?yàn)榘敕忾]型，大部岸 段的潮汐屬不規(guī)則半日潮，每日 2 次，每日出現(xiàn)的高低潮差一般為 ~2 米，大潮多發(fā)生于 3~4 月和 7~11 月，潮位最高超過(guò) 5 米。易發(fā)生風(fēng)暴潮災(zāi)，近百年來(lái)發(fā)生潮位高于 米的風(fēng)暴潮災(zāi) 7 次。近海在黃河及其它河流作用下，含鹽度低，含氧量高，有機(jī)質(zhì)多，餌料豐富，適宜多種魚(yú)蝦類索餌、繁殖、洄游。 三、自然資源 土地資源 太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 34 全市土地總面積 萬(wàn)畝，人均占有土地 畝，是山東省人均占有土地的 倍。其中耕地、園地、林地、牧草地等農(nóng)用土地共 萬(wàn)畝，占總面積的 %；居民點(diǎn)、工礦及交通等建設(shè)用 地 萬(wàn)畝，占總面積的%；水域及未利用土地 萬(wàn)畝，占總面積的 %。 1855~1985 年，黃河平均每年淤地造陸 3~4 萬(wàn)畝； 1985 年后，因黃河來(lái)水量減少，造陸速度趨緩。 水資源 年平均水資源量 億立方米，其中地表水資源量為 億立方米，多集中在夏季，大部分排入海洋，利用率較低。地下淡水資源為 億立方米，主要分布在小清河以南地區(qū)，其北為咸水區(qū)。黃河是境內(nèi)主要客水水源，多年平均徑流量為 358 億立方米，年際間豐枯變化較大，近幾年年均引水量 10 億立方米左右， 2021 年全年共引黃河水 億立方米，其中工業(yè)用水 億立方米，基本滿足了區(qū)域工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)用水和生態(tài)用水需要。小清河多年平均入境徑流量為 億立方米，支脈河多年平均入境流量為 億立方米。 2021 年，東營(yíng)市總供水量 94624 萬(wàn)立方米，其中，地表水源供水量84534 萬(wàn)立方米，地下水源供水量 10090 萬(wàn)立方米。 礦產(chǎn)資源 主要有石油、天然氣、鹵水、煤、地?zé)?、粘土、貝殼等。?2021 年底，勝利油田共發(fā)現(xiàn)不同類型油氣田 75 個(gè)，累計(jì)探明石油地質(zhì)儲(chǔ)量 億噸，探明天然氣地質(zhì)儲(chǔ)量 億立方米，其中約 85%集中在東營(yíng)市境內(nèi)。沿海淺層鹵水儲(chǔ)量 2 億多立方米，深層鹽礦、鹵水資源主要分布在東營(yíng)凹陷地帶，推算儲(chǔ)量達(dá) 1000 多億噸。煤的發(fā)育面積約 630 平方公里，主要分布于廣饒縣東北部、河口區(qū)西部，因埋藏較深，尚未開(kāi)發(fā)利用。地?zé)豳Y源主要分布在渤海灣南新戶、太平、義和、孤島、五號(hào)樁地區(qū)及廣饒、利津部分地區(qū)，地?zé)岙惓^(qū)1150 平方公里，熱水資源總量逾 1010 立方米，熱能儲(chǔ)量超過(guò) 1015太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 35 千焦耳，折合標(biāo)準(zhǔn)煤 108 噸。 四、社會(huì)經(jīng)濟(jì)狀況 2021 年，在市委、市政府的正確領(lǐng)導(dǎo)下，東營(yíng) 市上下以黨的十七大和十七屆三中全會(huì)精神為指導(dǎo)，深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，解放思想，開(kāi)拓創(chuàng)新，真抓實(shí)干，勇克時(shí)艱，積極應(yīng)對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展中出現(xiàn)的各種矛盾和問(wèn)題，扎實(shí)推進(jìn)黃河三角洲開(kāi)發(fā)建設(shè)，國(guó)民經(jīng)濟(jì)保持了健康較快增長(zhǎng)，各項(xiàng)社會(huì)事業(yè)穩(wěn)步協(xié)調(diào)發(fā)展。 經(jīng)濟(jì)總量邁上新臺(tái)階。全市實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)總值 2065 億元，比上年增長(zhǎng) %；規(guī)模以上工業(yè)增加值 1680 億元，增長(zhǎng) %；全社會(huì)固定資產(chǎn)投資 868 億元，增長(zhǎng) %；社會(huì)消費(fèi)品零售總額 254 億元，增長(zhǎng) %；地方財(cái)政收入 億元，增長(zhǎng) 18%；金融機(jī)構(gòu)各項(xiàng)存款余額 億元，比年初增加 億元，貸款余額 億元，比年初增加 億元；城鎮(zhèn)居民人均可支配收入達(dá)到19300 元，增長(zhǎng) %；農(nóng)民人均純收入達(dá)到 6600 元，增長(zhǎng) %；外經(jīng)外貿(mào)平穩(wěn)發(fā)展，實(shí)現(xiàn)進(jìn)出口總值 億美元，增長(zhǎng) %，其中出口 億美元，增長(zhǎng) %；吸收外商直接投資 億美元，增長(zhǎng) 15%。萬(wàn)元生產(chǎn)總值能耗、二氧化硫和化學(xué)需氧量排放繼續(xù)下降。 五、 交通條件 處在東北經(jīng)濟(jì)區(qū)至中原經(jīng)濟(jì)區(qū)和京、津、塘經(jīng)濟(jì)區(qū)至山東半島經(jīng)濟(jì)區(qū)的交匯點(diǎn)上，是黃河經(jīng)濟(jì)協(xié)作帶和環(huán)渤海經(jīng)濟(jì)圈的結(jié)合 部。東 營(yíng)港、廣利港、飛機(jī)場(chǎng)和規(guī)劃建設(shè)中的黃東大鐵路、環(huán)渤海高速路和均近在遲遲 ，距濟(jì)南、青島、天津、北京分別為 5 小時(shí)的路程。 綜上所述，項(xiàng)目擬建在 ，地理位置優(yōu)越。 五、基礎(chǔ)設(shè)施 條件 重點(diǎn)實(shí)施了污水處理廠、水廠、變電站、路橋、熱力、綠化、雨污泵站、土方回填等“十大工程”建設(shè)，完善了基礎(chǔ)設(shè)施配套體系， 基本實(shí)現(xiàn)道路、供太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 36 電、供排水、通訊等 “七通一平 ”， 配套十分方便。 太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 37 第五章 工程技術(shù)方案 第一節(jié) 項(xiàng)目組成 本項(xiàng)目擬建在 XXXXXXXXXX 征用土地 216000 平方米，建設(shè)車(chē)間和倉(cāng)庫(kù)、辦公室，并適 當(dāng)建設(shè)配套設(shè)施，購(gòu)置關(guān)鍵設(shè)備，滿足生產(chǎn)的基本需求，形成年產(chǎn) 40MW 單晶硅錠、 60MW多晶硅錠及 100MW 硅片（ WAFER）、 25MW 電池片（ CELL）、 200MW 組件（ MODULE）及伺服系統(tǒng)的生產(chǎn)能力。 第二節(jié) 單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（ WAFER）工藝技術(shù)方案 目前世界太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展，在所有安裝的太陽(yáng)能電池中，超過(guò)90% 以上的是晶體硅太陽(yáng)能電池，因此位于產(chǎn)業(yè)鏈前端的硅錠及硅片的生產(chǎn)對(duì)整個(gè)太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)有著很重要的作用。太陽(yáng)能電池硅錠主要有單晶硅錠和多晶硅錠，這兩種硅錠各有缺點(diǎn)，單晶硅做成的電 池效率高，但硅錠生產(chǎn)效率低，能耗大；多晶硅電池效率比單晶硅低一些，但硅錠生產(chǎn)效率高，在規(guī)模化生產(chǎn)上較有優(yōu)勢(shì)。本項(xiàng)目確定生產(chǎn)單晶硅錠、多晶硅錠及硅片（ WAFER）。 一、單 晶硅錠的制備 工藝 太陽(yáng)電池單晶硅錠生產(chǎn)技術(shù)主要有切克勞斯基法（ CZ 法）與區(qū)熔法（ FZ法），區(qū)熔法（ FZ法）由于硅中雜質(zhì)的分凝效應(yīng)和蒸發(fā)效應(yīng)，可獲得高純單晶硅，但液固相轉(zhuǎn)變溫度高，能耗大，多次區(qū)熔提純成本高。目前航天領(lǐng)域用的太陽(yáng)電池所用硅片主要用這種方式生長(zhǎng)。 CZ 法是利用旋轉(zhuǎn)著的籽晶從坩堝中的熔體中提拉制備出單晶的方法，又稱直拉法。目前國(guó)內(nèi)太 陽(yáng)電池單晶硅硅片生產(chǎn)廠家大多采用這種技術(shù)。 本項(xiàng)目生產(chǎn)所用直拉單晶爐是采用 切克勞斯基法 的技術(shù)。本項(xiàng)目采用 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進(jìn)技術(shù)的 CZ900A 型單晶爐 ，是一種軟軸提拉型單晶爐，在惰性氣體（氬氣）的 保護(hù)環(huán)境中，以石墨電阻加太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 38 熱器，將多晶硅材料熔化，用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶棒的設(shè)備。 工藝特點(diǎn)： 多晶硅硅料置于坩堝中經(jīng)加熱熔化，待溫度合適后，經(jīng)過(guò)將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑、收尾等步驟，完成一根單晶硅錠的拉制。爐內(nèi)的傳熱、傳質(zhì)、流體力學(xué)、化學(xué)反應(yīng)等過(guò)程都直接影響到單晶的生長(zhǎng)及 生長(zhǎng)成的單晶的質(zhì)量，拉晶過(guò)程中可直接控制的參數(shù)有溫度場(chǎng)、籽晶的晶向、坩堝和生長(zhǎng)成的單晶的旋轉(zhuǎn)及提升速率，爐內(nèi)保護(hù)氣體的種類、流向、流速、壓力等。 CZ900A 型單晶爐 二、 多晶硅錠的制備 工藝 根據(jù)生長(zhǎng)方法的不同，多晶硅可分為等軸晶、柱狀晶。通常在熱過(guò)冷及自由凝固的情況下會(huì)形成等軸晶，其特點(diǎn)是晶粒細(xì)，機(jī)械物理性能各向同性。如果在凝固過(guò)程中控制液固界面的溫度梯度，形成單方向熱流，實(shí)行可控的定向凝固，則可形成物理機(jī)械性能各向異性的多晶柱狀晶，太陽(yáng)能電池多晶硅錠就太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 39 是采用這種定向凝固的方法生產(chǎn)的。在實(shí)際生產(chǎn)中，太 陽(yáng)能電池多晶硅錠的定向凝固生長(zhǎng)方法主要有澆鑄法、熱交換法（ H EM）、布里曼（ B ridgem an）法、 電磁鑄錠法， 其中熱交換法與布里曼法通常結(jié)合在一起。 熱交換法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩堝中（ 避免了二次污染），其中熱交換法是將硅料在坩堝中熔化后，在坩堝底部通冷卻水或冷氣體，在底部進(jìn)行熱量交換，形成溫度梯度，促使晶體定向生長(zhǎng)。布里曼法則是在硅料熔化后，將坩堝或加熱元件移動(dòng)使結(jié)晶好的晶體離開(kāi)加熱區(qū)，而液硅仍然處于加熱區(qū)，這樣在結(jié)晶過(guò)程中液固界面形成比較穩(wěn)定的溫度梯度，有利于晶體的生長(zhǎng)。其特點(diǎn)是 液相溫度梯度 dT/dX 接近常數(shù)，生長(zhǎng)速度受工作臺(tái)下移速度及冷卻水流量控制趨近于常數(shù)，生長(zhǎng)速度可以調(diào)節(jié)。 本項(xiàng)目生產(chǎn)所用結(jié)晶爐是采用熱交換與布里曼相結(jié)合的技術(shù)。本項(xiàng)目采用中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所研發(fā)的擁有先進(jìn)技術(shù)的 R134501 型多晶硅鑄錠爐 ，它采用先進(jìn)的多晶硅定向凝固技術(shù)，將硅料高溫熔融后通過(guò)特殊工藝定向冷凝結(jié)晶 ,從而達(dá)到太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用多晶硅品質(zhì)的要求，是一種適用于長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作，高精度、高可靠性、自動(dòng)化程度高的智能化大生產(chǎn)設(shè)備 。 工藝特點(diǎn)： 工作臺(tái)通冷卻水，上置一個(gè)熱開(kāi)關(guān)，坩堝則位于熱開(kāi)關(guān) 上。硅料熔融時(shí)，熱開(kāi)關(guān)關(guān)閉，結(jié)晶時(shí)打開(kāi)，將坩堝底部的熱量通過(guò)工作臺(tái)內(nèi)的冷卻水帶走，形成溫度梯度。同時(shí)坩堝工作臺(tái)緩慢下降，使凝固好的硅錠離開(kāi)加熱區(qū)，維持固液界面有一個(gè)比較穩(wěn)定的溫度梯度，在這個(gè)過(guò)程中，要求工作臺(tái)下降非常平穩(wěn)，以保證獲得平面前沿定向凝固。 太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 40 R134501 型多晶硅鑄錠爐 三、 硅片的加工 工藝 硅片的加工是將硅錠經(jīng)表面整形、切割、研磨、腐蝕、拋光、清洗等工藝，加工成具有一定 寬度、長(zhǎng)度 、厚度、晶向和高度、表面平行度、平整度、光潔度，表面無(wú)缺陷、無(wú)崩邊、無(wú)損傷層，高度完整、均勻、光潔的鏡面硅片。這一 流程也包括了太陽(yáng)能電池制造階段硅片的表面處理工序，在連續(xù)生產(chǎn)中可以歸并。將硅錠按照技術(shù)要求切割成硅片，才能作為生產(chǎn)制造太陽(yáng)能電池的基體材料。因此，硅片的切割，即通常所說(shuō)的切片，是整個(gè)硅片加工的重要工序。所謂切片，就是 硅 錠通過(guò)鑲鑄金剛砂磨料的刀片 (或鋼絲 )的高速旋轉(zhuǎn)、接觸、磨削作用，定向切割成為要求規(guī)格的硅片。切片工藝技術(shù)直接關(guān)系到硅片的質(zhì)量和成品率。切片的方法主要有外圓切割、內(nèi)圓切割、多線切割以及激光切割等。 本項(xiàng)目采用多線切割工藝。 切片工藝技術(shù)的原則要求是： ① 切割精度高、表面平行度高、翹曲度和厚度公差小。 ② 斷面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋。 ③ 提高成品率，縮小刀 (鋼絲 )切縫，降低原材料損耗。 ④ 提高切割速度，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化切割。 四、晶體生產(chǎn)及切片工藝流程 太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 41 晶體生產(chǎn)及切片工藝流程示意圖 第三節(jié) 太陽(yáng)能電池片（ CELL）工藝技術(shù)方案 電池片生產(chǎn)工藝較復(fù)雜，要經(jīng)過(guò)硅片檢測(cè)、表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、去磷硅玻璃、等離子刻蝕、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、快速燒結(jié)和檢測(cè)分裝等主要步驟。 一 、硅片檢測(cè) 硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái) 對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、 P/N 型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè)，同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝 片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而硅料分選 硅料清洗 晶體生長(zhǎng) 切段 切方 切片 硅片清洗 硅片檢驗(yàn) 硅片包裝 太陽(yáng)能電池片及組件項(xiàng)目 42 提高檢測(cè)精度和效率。 二 、表面制絨 首先用堿（或酸）腐蝕硅片，以去除硅片表面機(jī)械損傷。而后進(jìn)行硅片表面絨化，現(xiàn)在常用的硅片的厚度 180?m 左右。去除硅片表面損傷層是太陽(yáng)電池制造的第一道常規(guī)工序，主要是通過(guò)化學(xué)腐蝕，硅片化學(xué)腐蝕的主要目的是消除切片帶來(lái)的表面損傷，同時(shí)也能起到一定的絨面效果，從而減少光反射。 三 、擴(kuò)散制結(jié) 太陽(yáng)能電池需要一個(gè)大面積的 PN 結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽(yáng)能電池 PN 結(jié)的專用設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、 爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把 P 型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在 850900 攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜鳎ㄟ^(guò)三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過(guò)一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過(guò)硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了 N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體的交界面，也就是 PN 結(jié)。這種方法制出的 PN 結(jié)均勻性好，方塊電阻的不均勻性小于百分之十，少子壽命可大于 10ms。制造 PN 結(jié)是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)最基本也是最關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎?PN 結(jié)的形成，才使電 子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。 四 、等離子刻蝕 由于在擴(kuò)散過(guò)程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。 PN 結(jié)的正面所收集到的光生電子