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薄膜晶體硅太陽能電池行業(yè)報告-資料下載頁

2025-05-13 08:54本頁面

【導(dǎo)讀】場上占主導(dǎo)地位的多晶硅太陽能電池。目前在工業(yè)上,硅的成本大約占硅太陽能電池生產(chǎn)成本的一半。為減少硅的消耗量,光。伏產(chǎn)業(yè)正期待著一些處于研究開發(fā)中的選擇方案。其中最顯然的一種就是轉(zhuǎn)向更薄。現(xiàn)在,用于太陽能電池生產(chǎn)的硅襯底厚度略大于200mm,而襯底厚度略小于。為使硅有源層薄至5-20mm,可以在成本較低的硅襯底上淀積。硅有源層,這樣制得的電池被稱為薄膜晶體硅太陽能電池。為使其具有工業(yè)可行性,主要的。挑戰(zhàn)是在適于大規(guī)模生產(chǎn)的工藝中,怎樣找到提高效率和降低成本之間的理想平衡。在幾種制造硅有源層的技術(shù)1,本文將討論其中的三種。趣的選擇方案是在外延之前就分離出多孔硅薄膜,并嘗試無支撐薄膜工藝的可能性。我們已經(jīng)證實(shí),利用非晶硅的鋁誘導(dǎo)晶化可以獲得高質(zhì)量的多晶硅太陽能電。然而,兩項(xiàng)獨(dú)立的電池級開發(fā)成果已經(jīng)使這種狀況有所改善2。第二項(xiàng)改進(jìn)是通過引入多孔硅布拉格反射器來進(jìn)行內(nèi)部光捕獲。%,這表明使用重組織多孔硅疊層不存在電導(dǎo)問題。

  

【正文】 低成本硅襯底的制造,對于將這種太陽能電池成功地投入量產(chǎn)都是必須的。而對于多晶薄膜太陽能電池,由于襯底成本非常低,可以預(yù)期的超過 7%的效率就已經(jīng)在商業(yè)化所需的正確方向上了。這種電池需要克服的主要困難在于生產(chǎn)工藝的優(yōu)化以及怎樣將它們轉(zhuǎn)化成標(biāo)準(zhǔn)的太陽能電池生產(chǎn)步驟。 參考文獻(xiàn) . Poortmans et al., “ThinFilm Crystalline Si Solar Cells: Facts and Challenges,” Tech. Dig. 14th Intl. Photovoltaic Sci. Engin. Conf. (PVSEC14), 2020, . . Duerinckx et al., “Optical PathLength Enhancement for 13% Screenprinted Thin Film Silicon Solar Cells,” 21st Euro. 薄膜晶體硅太陽能電池的潛力 作者: Koen Snoeckx Guy Beaucarne Filip Duerinckx Ivan Gordon Jef Poortmans IMEC 20201218 點(diǎn)擊 :1682 Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exh., September 2020. . Gordon et al., “Development of Interdigitated Solar Cell and Module Processes for PolycrystallineSilicon Thin Films,” Thin Solid Films, 2020, Vol. 511512, p. 608. . Gordon et al., “ThinFilm PolycrystallineSilicon Solar Cells on HighTemperature Substrates by AluminiumInduced Crystallization,” 21st Euro. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exh, September 2020. 上一頁 【 1】【 2】【 3】
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