晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線(xiàn)清洗制絨工序-資料下載頁(yè)
2025-04-30 03:20本頁(yè)面
【正文】 水洗 吹干 confidential confidential 主要檢測(cè)項(xiàng)目及保準(zhǔn) ?表面結(jié)構(gòu)： 金相顯微鏡 電子掃描顯微鏡 單晶絨面 金字塔 多晶絨面 溝槽 金字塔為 3微米左右 蠕蟲(chóng)狀細(xì)坑為 3微米左右 絨面標(biāo)準(zhǔn) ： confidential confidential ?反射率 ： 主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn) 所用儀器：標(biāo)準(zhǔn) 8度角絨面積分式反射儀 (D8) ?減薄量： 反射率標(biāo)準(zhǔn)： 在保持硅片減薄量的前提下，反射率越低越好，單晶不能大于 10%，多晶不能大于 15% 減薄量標(biāo)準(zhǔn)：?jiǎn)尉? 所用儀器：電子天平 confidential confidential 常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法 類(lèi)別 現(xiàn)象 原因 解決方法 備注 單晶制絨 白斑 絨面沒(méi)有制滿(mǎn) 延長(zhǎng)制絨時(shí)間、增加 NaOH 小雨點(diǎn) H2沒(méi)有及時(shí)脫離硅片表面 增加 IPA 水痕 硅酸鈉含量過(guò)大 重新配槽、改善噴淋 手指印 脂肪酸玷污 規(guī)范生產(chǎn)操作手法 多晶制絨 黑絨 反應(yīng)過(guò)于劇烈 增加 2槽 HNO3 表面發(fā)亮 反應(yīng)過(guò)多 增加 2槽 HF 擴(kuò)散后發(fā)藍(lán) 沒(méi)有完全吹干 改善吹風(fēng)、增加 6槽 HF含量 減重不在范圍之內(nèi) 反應(yīng)速度過(guò)快或過(guò)慢 手動(dòng)添加 2槽的藥液含量 confidential confidential 未來(lái)工藝的發(fā)展方向 ?單晶堿腐蝕的改進(jìn)技術(shù) ?現(xiàn)有工藝改進(jìn)：?jiǎn)尉〗q面，減少漏電流、減少磨損的幾率。 ?設(shè)備改進(jìn)，一體化設(shè)備：制絨后烘干。 ?制絨新技術(shù)：激光制絨，形成規(guī)則金字塔表面。 ?多晶酸腐蝕的改進(jìn)技術(shù) ?酸腐蝕溶液配方的優(yōu)化 ?控制反應(yīng)速度的緩沖劑， H2SO4 ?在現(xiàn)有工藝的基礎(chǔ)上，增加一些輔助技術(shù)，如蒸氣制絨。 規(guī)則金字塔表面 Thanks ！
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