晶體硅太陽能電池生產線清洗制絨工序-資料下載頁
2025-04-30 03:20本頁面
【正文】 水洗 吹干 confidential confidential 主要檢測項目及保準 ?表面結構： 金相顯微鏡 電子掃描顯微鏡 單晶絨面 金字塔 多晶絨面 溝槽 金字塔為 3微米左右 蠕蟲狀細坑為 3微米左右 絨面標準 ： confidential confidential ?反射率 ： 主要檢測項目及標準 所用儀器：標準 8度角絨面積分式反射儀 (D8) ?減薄量： 反射率標準： 在保持硅片減薄量的前提下，反射率越低越好，單晶不能大于 10%，多晶不能大于 15% 減薄量標準：單晶 所用儀器：電子天平 confidential confidential 常見問題及解決方法 類別 現(xiàn)象 原因 解決方法 備注 單晶制絨 白斑 絨面沒有制滿 延長制絨時間、增加 NaOH 小雨點 H2沒有及時脫離硅片表面 增加 IPA 水痕 硅酸鈉含量過大 重新配槽、改善噴淋 手指印 脂肪酸玷污 規(guī)范生產操作手法 多晶制絨 黑絨 反應過于劇烈 增加 2槽 HNO3 表面發(fā)亮 反應過多 增加 2槽 HF 擴散后發(fā)藍 沒有完全吹干 改善吹風、增加 6槽 HF含量 減重不在范圍之內 反應速度過快或過慢 手動添加 2槽的藥液含量 confidential confidential 未來工藝的發(fā)展方向 ?單晶堿腐蝕的改進技術 ?現(xiàn)有工藝改進：單晶小絨面，減少漏電流、減少磨損的幾率。 ?設備改進，一體化設備：制絨后烘干。 ?制絨新技術：激光制絨，形成規(guī)則金字塔表面。 ?多晶酸腐蝕的改進技術 ?酸腐蝕溶液配方的優(yōu)化 ?控制反應速度的緩沖劑， H2SO4 ?在現(xiàn)有工藝的基礎上，增加一些輔助技術，如蒸氣制絨。 規(guī)則金字塔表面 Thanks ！
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