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太陽電池發(fā)展簡史ppt課件-資料下載頁

2025-05-12 07:29本頁面
  

【正文】 減低生產(chǎn)成本方面所做的努力主要有: 要采用大容量的晶體生長裝置 ,先進的 切割設(shè)備 以切割更 薄 的 硅片、擴大平面晶體 面積等方式。 制約晶體硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率進一步提高的主要技術(shù)障礙有: 電池表面柵線遮光影響; 電池表面光反射損失; 光傳導(dǎo)損失; 內(nèi)部復(fù)合損失; 表面復(fù)合損失等。 鈍化發(fā)射極 、 背面局部擴散太陽能電池 ( PERL) 電池正反兩面部進行氧鈍化,并采用光刻技術(shù)將電池表面的氧化硅層制作成倒金宇塔 , 兩面的金屬接觸面都進行縮小,其接觸點進行了硼與磷的重摻雜。用此法制備的單晶硅電池效率已達 %, 多晶硅電池效率已達 %。 埋柵太陽能電池 ( BCSC) 采用激光刻槽或機械刻槽。激光在硅片表面刻出寬度為20um左右的槽,然后化學(xué)鍍銅,以形成電極,它的主要特征是:①隨機絨面,降低了表面反射率;②選擇性發(fā)射極,獲得了最佳的光譜響應(yīng)及最小的接觸電阻。③激光刻槽埋柵電極( LGBG),達到了最小的遮光率,高電導(dǎo)率的銅電極。這種電池的批量生產(chǎn)效率已達 %,因此已具有工業(yè)化生產(chǎn)的意義。目前我國這種電池的實驗室效率為 %。 高效背表面反射器太陽能電池 ( BSR) 在太陽能電池的背面和背面接觸之間用真空蒸鍍的方法沉積一層高反射率的金屬表面一般為鋁 從而反射 能被電池吸收并轉(zhuǎn)換為電能光的波長。對硅電池來說,約為 1150nm,比它更長的任何輻射波都容易透過半導(dǎo)體材料進入背表面反射器。電池的厚度越薄,背反射器的作用越明顯。所謂背反射器,就是將電池背面做成反射面,它能反射透過電池基體到達背表面的光,從而增加光的利用率。這樣,可增加電池對長波光的吸收,使短路電流增加。 高效低阻硅太陽能電池 ( RESC) 它是一種用電阻率為 ?cm和 ?cm的p型區(qū)熔硅制成的電池。其特點是在電池的發(fā)射區(qū)制備一層鈍化層。這種結(jié)構(gòu)的電池,減少了表面密度,抑制了表面復(fù)合速度。其擴散結(jié)較深,約為 ,在保持較高短路電流密度 A/cm2的同時,具有相當(dāng)高的開路電壓 670mV和較高的填充因子 (%)。該電池在 、 100m A/cm 25℃ 177。 2℃ 的條件下測試,其轉(zhuǎn)換效率可達 %。 此外,目前量產(chǎn)的高效電池有三洋的 HIT電池, SUNPOWER背接觸電池,三菱的蜂窩結(jié)構(gòu),京瓷的背接觸單元等。 ( 2) 薄膜太陽電池 薄膜太陽能電池又可分為:多晶硅薄膜電池,非晶硅 薄膜電池, CdTe薄膜電池, CuInGa、 SeS2薄膜電池、燃 料敏化 TO2電池等。 非晶硅薄膜電池 非晶硅薄膜電池是硅和氫的一種合金,它對陽光的吸收系數(shù)較高,太陽電池的活性層只需要 1um厚,可以沉積在廉價材料的襯底上。 目前的研究主要集中在提升效率和穩(wěn)定性: ①通過有不同帶隙的多結(jié)迭層提高效率和穩(wěn)定性。 ②降低表面光反射 ③改進電池結(jié)構(gòu)④使用更薄的 i層,以增加內(nèi)建電場,降低光誘導(dǎo)衰減。 多晶硅薄膜電池 多晶硅薄膜電池具有晶體硅電池的穩(wěn)定性、材料資源豐富,又具有薄膜電池的材料省、成本低等優(yōu)點,主要有以下幾種電池。 ① CVD多晶硅薄膜電池②疊層多晶硅薄膜電池③硅球太陽電池 CdTe薄膜電池 CdTe碲化鎘薄膜電池是 IIVI族化合物,帶隙為 , 與太陽光譜非常匹配,具有很高的理論效率 28% .但是由于 CdTe在薄膜電池中毒性最高,因此影響了它的發(fā)展。 CuInGaSe銅銦鎵硒薄膜電池 燃料敏化 TiO2薄膜太陽能電池 進入 21世紀(jì)來,高效晶體硅太陽電池及各種薄膜太陽電池獲得了快速的發(fā)展,在“ 973”項目計劃的幫助下很多領(lǐng)域獲得了突破性的進展,個別領(lǐng)域已經(jīng)接近國際領(lǐng) 先水平。
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