cigs太陽電池ppt課件-資料下載頁
2025-05-12 04:53本頁面
【正文】 CIGS反應(yīng)生成 CdSe并向貧 銅表面擴(kuò)散，形成 CdCu施主， 修復(fù) CIGS 表面 ● 缺陷 沉積溫度低且工藝簡單廉價(jià) 電 窗口 層 ZnO及 ZnO:A（ ZAO） ?窗口層作用與要求 ● 兩方面功能： 一是與 P型 CIGS構(gòu)成異質(zhì)結(jié)，二是與頂極一起輸出電流 ● 異質(zhì)結(jié) N型層： 應(yīng)有較小少子壽命和合適費(fèi)米能級(jí)位置 ● 表面導(dǎo)電層： 有較高電導(dǎo)率和光透過率 ● 高、低阻兩層： 高阻本征氧化鋅 (iZnO)和低阻摻鋁氧化鋅 (ZAO) ? ZnO（ ZAO）的基本性質(zhì) 晶體結(jié)構(gòu)： 與 CdS一樣，屬于纖鋅礦（六方）結(jié)構(gòu)，故有晶格良好匹配 ● 光學(xué)性質(zhì)： 直接帶隙材料，禁帶寬度為為 ● 電學(xué)性質(zhì)： N型材料， 電阻率非常高 ()，所以一般僅需 50nm 左右，過厚將會(huì)導(dǎo)致電池效率的降低 ● 摻鋁 ZnO： ZAO電阻率約 104Ωcm ?ZnO（ ZAO）制備方法： 磁控濺射沉積速率高，重復(fù)性及均勻性好，成為目前 窗口層的主流制備方法 CIGS太 陽電 池組件制作 ?組件制作 組件制作時(shí)，在薄膜材料沉積過程中要進(jìn)行三道劃線工藝，以完 成各子電池的界定、分割和互聯(lián) ① P1激光劃線： 對(duì) Mo進(jìn)行 劃線，將之分割成 57mm的條 ② P2機(jī)械劃線： 將 CIGS、 CdS、 iZnO全部劃開而保留 Mo 層，此時(shí)多個(gè)子電池已形成 ③ P3機(jī)械劃線： 沉積 ZAO 后 ，子電池又連接在一起，進(jìn)行P3劃線將各子電池分開， 形成多 個(gè)子電池串聯(lián)的組件 CIGS太 陽電 池模組化制作過程 CIGS太 陽電 池 產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 自 1970年代開始， CIGS太陽電池已越來越受到研究機(jī)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注，眾多企業(yè)（ 超過 20家）正處于中試或小規(guī)模生產(chǎn)階段，但主 要集中在美國（ 7） 、 德國（ 8） 和日本（ 2） ，中國主要靠引進(jìn)技術(shù)（山東孚日、安泰科技、蘇州高賽），未見自主研發(fā)的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。 CIGS前景如何？ ?2022年 9月，美國 Solyndra宣布破產(chǎn) ?2022年 4月， QCell也提出了破產(chǎn)申請(qǐng) ?VEECO：盡管 CIGS仍然是十分重要的太陽電池，但我們認(rèn)為維易 科公司無法接受這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)度和成本 ? 晶硅： /瓦； 碲化鎘： /瓦；均低于 CIGS的 2美元 /瓦 ? 原因是多方面的： ● 起步階段，量產(chǎn)規(guī)模小 ● 大多為真空法，設(shè)備投資大，且技術(shù)不成熟 ● 工藝和設(shè)備未實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化 ● 柔性化、卷繞式生產(chǎn)等優(yōu)勢(shì)未充分發(fā)揮， “以己之短，攻人之長” 問題解決途徑： 新思想、新技術(shù)、新產(chǎn)品 CIGS太陽電池發(fā)展方向 為獲取競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)， CIGS太陽電池需要簡化工藝、 降低 成本、 提高效率并解決環(huán)境污染和資源短缺風(fēng)險(xiǎn)，朝以 下方向發(fā)展： （ 1）卷對(duì)卷生產(chǎn)柔性 CIGS太陽電池 （ 2）基于非真空技術(shù)的高效率 CIGS太陽電池 （ 3）開發(fā)無 Cd新型緩沖層材料 （ 4）開發(fā)無 In（ Ga）新型吸收層材料 ? 柔性太陽電池優(yōu)勢(shì) 重量輕、 厚度小 （小于 1mm） 比功率高 ， 1100W/Kg以上 可卷曲折疊 、不怕摔碰 抗輻射能力強(qiáng) 易于運(yùn)輸和安裝 卷對(duì)卷連續(xù)化沉積 可降 低成本 應(yīng)用領(lǐng)域更為廣泛 CIGS太陽電池發(fā)展方向 CIGS太陽電池發(fā)展方向 CIGS太陽能電池近期發(fā)展方向 Thanks!
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