場(chǎng)效應(yīng)三極管ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 D/mA uDS/V O uGS/V iD/mA O 2()? GSD D OG S( t h)uiIU當(dāng) uGS ≥ UGS(th)時(shí) 下頁(yè) 上頁(yè) 截止區(qū) 轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)可近似用以下公式表示： 首頁(yè) 31 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 3. N溝道耗盡型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 預(yù)先在二氧化硅中摻入大量的正離子， 使 uGS = 0 時(shí)， 產(chǎn)生 N型導(dǎo)電溝道。 23 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 三、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 P N N G S D P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強(qiáng)型 24 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 N 溝道耗盡型 P N N G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 G S D 25 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 N P P G S D G S D P 溝道增強(qiáng)型 26 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 P 溝道耗盡型 N P P G S D G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 27 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 2. N溝道增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 ⑴ 結(jié)構(gòu) P型襯底 N+ N+ B s g d SiO2 鋁 P襯底雜質(zhì)濃度較低， 引出電極用 B表示。 ID 16 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 P G S D UDS UGS UGSUGS(off)且 UDS0、 UGD UGS(off)時(shí)耗盡區(qū)的形狀 N N 越靠近漏端， PN結(jié)反壓越大 ID 17 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 P G S D UDS UGS UGS UGS(off)且 UDS較大時(shí)UGD UGS(off)時(shí)耗盡區(qū)的形狀 N N 溝道中仍是電阻特性，但是是非線(xiàn)性電阻。 uGS/V iD/mA O 下頁(yè) 上頁(yè) 首頁(yè) 11 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 ⑵ 漏極特性 (輸出特性 ) iD=f（ uDS） |uGS=常數(shù) 預(yù)夾斷軌跡 可變 電阻區(qū) 恒流區(qū) 擊穿區(qū) |UGS(off)|8V IDSS uGS=0 4 2 6 8 iD/mA uDS/V O |uDSuGS|= |UGS(off)| 可變電阻區(qū)： iD 與 uDS 基本上呈線(xiàn)性關(guān)系， 但不同的 uGS 其斜率不同。1 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)三極管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) 下
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