場效應管ppt課件(存儲版)
【正文】 道呈現(xiàn)一個楔形 。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 圖 (a) 圖 (b) iD/mA uDS /V O UUG S G S( t h= ）預夾斷軌跡 恒流區(qū) 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū)。 （ 2） 有些場效應晶體管將襯底引出 , 故有 4個管腳 , 這種管子漏極與源極可互換使用。 二、交流參數(shù) 1. 低頻跨導 gm 2. 極間電容 用以描述柵源之間的電壓 uGS 對漏極電流 iD 的控 制作用。 IDM 例 2 電路如圖 ，其中管子 T的輸出特性曲線如圖 。 當漏極電流 ID 急劇上升產生雪崩擊穿時的 UDS 。 輸入電阻很高。 MOS管 的夾斷電壓 UGS(off)＞ 0 UGS 可在正、負值的一定范圍內實現(xiàn)對 iD的控制 ， 漏 源之間應加負電源電壓。 3. 特性曲線與電流方程 (a)轉移特性 (b)輸出特性 UGS UGS(th) ， iD = 0； UGS ≥ UGS(th) ， 形成導電溝道 ， 隨著 UGS 的增加 ，ID 逐漸增大 。 使溝道剛剛形成的柵 源電壓稱為 開啟電壓 UGS(th)。 稱為 金屬 氧化物 半導體場效應管 ， 或簡稱 MOS 場效應管 。 二、結型場效應管的特性曲線 1. 轉移特性 (N 溝道結型場效應管為例 ) O uGS iD IDSS UGS(off) 圖 轉移特性 uGS = 0 ， iD 最大； uGS 愈負， iD 愈?。籾GS = UGS(off) ， iD ≈ 0。 G D S N P+ P+ VGG uDS ↑ → uGD = UGS(off)， 溝道預夾斷 uDS ↑ → uGD uGS(off)， 夾斷， iD幾乎不變 (1) 改變 uGS ， 改變了 PN 結中電場 ， 控制了 iD ， 故稱場效應管； (2)結型場效應管柵源之間加反向偏置電壓 ， 使 PN 反偏 ， 柵極基本不取電流 ， 因此 ， 場效應管輸入電阻很高 。 (VCCS) G D S N N型溝道 柵極 源極 漏極 P+ P+ 耗盡層 *在柵極和源極之間加反向電壓 ， 耗盡層會變寬 ， 導電溝道寬度減小 ，使溝道本身的電阻值增大 ，漏極電流 ID 減小 ， 反之 ，漏極 ID 電流將增加 。 由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電 ， 又稱 單極型晶體管 。 當 UGS = UGS（ Off)， 耗盡層合攏 ， 導電溝道被夾斷 . ID = 0 G D S P+ P+ N型溝道 (b) UGS(off) UGS 0 VGG ID = 0 G D S P+ P+ (c) UGS ＜ UGS(off) VGG UGS(off)為夾斷電壓 ,為負值。 在 uGD ＝ uGS － uDS uGS(off)情況下 ， 當 uDS為一常量時 ， 對應于確定的 uGS ， 就有確定的 iD。 結型場效應管的缺點： 1. 柵源極間的電阻雖然可達 107以上，但在某些場合仍嫌不夠高。 一、增強型 N 溝道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 1. 結構與符號 P 型襯底 (摻雜濃度低 ) N+ N+ 用擴散的方法 制作兩個 N 區(qū) 在硅片表面生一層薄 SiO2 絕緣層 S D 用金屬鋁引出源極 S 和漏極 D G 在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極 G B 耗 盡 層 S — 源極 Source G — 柵極 Gate D — 漏極 Drain S G D B 1. 工作原理 絕緣柵場效應管利用 UGS 來控制 “ 感應電荷 ” 的多少 ， 改變由這些 “ 感應電荷 ” 形成的導電溝道的狀況 ，以控制漏極電流 ID。漏極形成電流 ID 。
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1