場效應(yīng)晶體管-文庫吧
2025-07-03 18:48 本頁面
【正文】 第四節(jié) 可變電阻區(qū)（非飽和區(qū)） 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ 區(qū) 對應(yīng)預(yù)夾斷前， uGSUT， uDS很小， uGDUT的情況。 ① 若 uGS不變，溝道電阻 rDS不變， iD隨 uDS的增大而線性上升。 ② uGS變大， rDS變小，看作由電壓 uGS控制的可變電阻。 Ⅰ Ⅱ 第四節(jié) 截止區(qū) 該區(qū)對應(yīng)于 uGS≤UT的情況 由于沒有感生溝道，故電流 iD≈0，管子處于截止狀態(tài)。 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ Ⅱ 恒流區(qū) （ 飽和區(qū)） Ⅱ 區(qū) 對應(yīng) 預(yù)夾斷后， uGSUT， uDS很大， uGDUT的情況。 iD只受 uGS控制。若 uGS不變，隨著 uDS的增大， iD幾乎不變。 預(yù)夾斷軌跡方程為： TGSGDGSDSTDSGSGDUuuuuUuuu?????????第四節(jié) 轉(zhuǎn)移特性是指 uDS為固定值時， iD與 uGS之間的關(guān)系，即 常數(shù)DSGSD )( ?? uufi2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V 1 2 3 4 5 6 當 FET工作在恒流區(qū)，不同 uDS的轉(zhuǎn)移特性曲線基本接近。 轉(zhuǎn)移特性曲線方程 2TGSD ）（ UuKi ??（ UGSUT） 其中 K為常數(shù)，由管子結(jié)構(gòu)決定，可以估算出來。 第四節(jié) UT （三） N溝道增強型 MOS管的主要參數(shù) 直流參數(shù) 交流參數(shù) 極限參數(shù) 第四節(jié) （ 2）直流輸入電阻 RGS （ 1）開啟電壓 UT 在襯底表面感生出導(dǎo)電溝道所需的柵源電壓 。 實際上是在規(guī)定的uDS條件下 ， 增大uGS， 當 iD達到規(guī)定的數(shù)值時所需要的 uGS值 。 在 uDS=0的條件下 ， 柵極與源極之間加一定直流電壓時 ，柵源極間的直流電阻 。 RGS的值很大 ， 一般大于 ?。 910第四節(jié) 定義：當 uDS一定時，漏極電流變化量與引起這一變化的柵源電壓變化量之比，即 gm相當于轉(zhuǎn)移特性的斜率，反映了場效應(yīng)管的放大能力。它可以從輸出特性上求出，或根據(jù)轉(zhuǎn)移特性的表達式求導(dǎo)數(shù)得到。 （ 2）極間電容： 柵、源極間電容 Cgs和柵、漏極間電容Cgd，它影響高頻性能的交流參數(shù)，應(yīng)越小越好。 第四節(jié) （ 1）跨導(dǎo) gm 是指場效應(yīng)管工作時，允許的最大漏極電流。 是指管子允許的最大耗散功率，相當于雙極型晶體管的 PCM。 第四節(jié) 2 4 6 8 10 12 14 16 0 uGS=7V 5 4 6 uDS(V) iD(mA) 3 （ 1）漏極最大允許電流 IDM （ 2）漏極最大耗散功率 PDM DSDDM uiP ??DMI在輸出特性上畫出臨界最大功耗線。 是指在 uDS=0時，柵源極間絕緣層發(fā)生擊穿，產(chǎn)生很大的短路電流所需的 uGS值。擊穿將會損壞管
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