晶體三極管ppt36(編輯修改稿)
2025-02-13 14:06 本頁面
【文章內容簡介】 缺陷 ? ? 100材料 3。 K值偏小 4。飽和壓降偏大 ? 主要原因：外延電阻率太高或厚度太厚 ? 主要措施：降低外延電阻率或厚度 ? 主要原因：襯底電阻率太高或厚度太厚、 Rb偏大 ? 主要措施： ? 度 ? Rb 5。接觸電阻偏大 ? 主要原因：正面或背面 si 與金屬接觸不良 ? 主要措施：確保金屬蒸發(fā)前的 si表面潔凈，提高 si摻雜濃度、選擇合適的金屬降低勢壘 . 6。大電流特性不好 ? 主要原因：發(fā)射極周長偏小或基區(qū)偏淡 ? 主要措施：提高基區(qū)濃度，改善版圖結構增加發(fā)射極周長 . 7。二次擊穿耐量不好 ? 可能原因：缺陷、沾污或結構設計不合理。 ? 主要措施： ? 1。消除缺陷、沾污。 ? 2。改善版圖結構，使電流更均勻 . ? 3。采用鎮(zhèn)流電阻。 ? 4。增加高阻集電區(qū)厚度。 8。 HFE偏大或偏小 ? 偏大可能原因：基區(qū)偏淡、偏淺，發(fā)射區(qū)偏濃、偏深。 ? 偏小可能原因：基區(qū)偏濃、偏深，發(fā)射區(qū)偏淡、偏淺。 ? 主要措施： ? 控制好基區(qū)、發(fā)射區(qū)的濃度和結深。 ? HFE控制的好壞是公司生產(chǎn)三極管的關鍵 ? 目前公司主要通過涂布源工藝改善發(fā)射區(qū)濃度均勻性來提高 HFE均勻性 9。 BVcbo、 BVceo偏小 ? 可能原因： ? 1。外延偏濃、偏薄。 ? 2?；鶇^(qū)結深不合適或表面電場集中。 ? 3。 HFE偏大導致 BVceo偏小 ? 4。圖形設計、工藝異常 ? 5。針孔或缺陷 ? 主要措施： ? 1。提高外延厚度和電阻率。 ? 2。選取合適基區(qū)結深，采取適當措施降低表面電場 ? 3。控制好 HFE ? 4。消除圖形設計、工藝異常 ? 5。消除針孔或缺陷 五。中、高壓晶體管的耐壓特殊考慮 ? 中、高壓晶體管的耐壓通常不僅僅取決于外延的電阻率和厚度，往往由于表面電場集中造成漏電流增大或局部熱擊穿，其耐壓達不到體雪崩擊穿電壓。要消除表面限制使耐壓達到體雪崩擊穿電壓，必須： ? a。降低 PN結表面電場強度 ? b。 提高表面保護材料的耐壓強度 PN結表面電場強度的幾種方法 ? a. 場板結構 ?
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