極管三極管ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-28 00:01 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 例 2：二極管的應(yīng)用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo ? 光電二極管 – 光照影響反向電流，光強(qiáng)度高、反向電流大； ? 發(fā)光二極管（ LED） – 單管 LED – 七段式數(shù)碼管 – 矩陣式 LED顯示屏 ? 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管 IZmax + 穩(wěn)壓二極管符號(hào) U I UZ IZ 穩(wěn)壓二極管特性曲線 IZmin 當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下 ,當(dāng)工作電流 IZ在Izmax和 Izmin之間時(shí) ,其兩端電壓近似為常數(shù) 正向同二極管 穩(wěn)定電流 穩(wěn)定電壓 NPN型三極管 三 極管符號(hào) N P N C B E P N P C B E B E C T B E C T PNP型三極管 C B E N N P 基本結(jié)構(gòu)、類型與符號(hào) 167。 4 半導(dǎo)體三極管 (雙極型晶體管） 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： ? 發(fā)射極摻雜濃度最大； ? 基區(qū)摻雜濃度最小，寬度最窄； ? 集電極面積最大。 以使晶體管具有放大作用。 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 基極 B E C N N P 發(fā)射極 集電極 + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 基區(qū)： 較薄，摻雜濃度 低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 基極 B C E P P N 集電極 發(fā)射極 + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ NPN型 PNP型 基本結(jié)構(gòu) 基區(qū)： 較薄，摻雜濃度 低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高 電流分配和放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的 擴(kuò)散 形成 IEP 。 IEP 進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IBN ，多數(shù)擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散 ，形成發(fā)射極電流IEN。 ENEPEN III ???IBN IEN IB=IBN+ IEP IB B E C N N P EB RB EC IE IEP IBN IEN IB=IBN+ IEP IB 集電結(jié) 反偏 ，使內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)并到達(dá)集電結(jié)邊緣的電子，在內(nèi)電場(chǎng)的作用下， 漂移 進(jìn)集電區(qū)，形成 ICN 。 ICN 集電結(jié) 反偏 ，有少子發(fā)生漂移 運(yùn)動(dòng)，形成極小的 反向電流 ICBO。 ICBO IC = ICN+ICBO ?ICN –ICBO ?IBN 發(fā)射結(jié) 正偏 ，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散 ，形成發(fā)射極電流IEN。 進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IBN ，大部分?jǐn)U散到集電結(jié)邊緣。 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散形成 IEP 。 ICBO 直流 電流放大倍數(shù) PN 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) N P + _ 內(nèi)電場(chǎng)被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子 數(shù)量有限 ，只能形成較小的反向電流。 R E
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