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[工學]第15章二極管及三極管(編輯修改稿)

2025-02-15 11:39 本頁面
 

【文章內容簡介】 PN 結 前一頁 后一頁 返回 內電場促使少子漂移 內電場阻止多子擴散 因濃度差 多子的擴散運動 由 雜質離子 形成空間電荷區(qū) 空間電荷區(qū)形成內電場 PN結的形成過程 動態(tài)平衡 :PN結的寬度不變 前一頁 后一頁 二、 PN結的單向導電性 1. PN 結加正向電壓(正向偏置) PN 結變窄 P接正、 N接負 - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + U 內電場 外電場 P N IF 內電場被削弱,多子的擴散加強,形成較大的擴散電流。 PN結正向電阻較小,正向電流較大, PN結處于導通狀態(tài)。 返回 2. PN 結加反向電壓(反向偏置) - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + U 內電場 外電場 P N 內電場被加強,少子的漂移加強,由于少子數量很少,形成很小的反向電流。 IR PN 結變寬 P接負、 N接正 PN結反向電阻較大,反向電流很小, PN結處于截止狀態(tài)。 溫度越高少子的數量越多,反向電流將隨溫度增加 前一頁 后一頁 返回 PN 結的單向導電性 PN 結加正向電壓 (正向偏置, P 接正、 N 接負 )時, PN 結處于正向導通狀態(tài), PN 結正向電阻較小,正向電流較大。 PN 結加反向電壓 (反向偏置, P接負、 N 接正 )時, PN 結處于反向截止狀態(tài), PN 結反向電阻較大,反向電流很小。 前一頁 后一頁 返回 半導體二極管 基本結構 ( a)點接觸型 1. 結構 : 按結構可分三類 (b)面接觸型 結面積小、結電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。 結面積大、正向電流大、結電容大,用于工頻大電流整流電路。 前一頁 后一頁 (c)平面型 用于集成電路制作工藝中。 PN結結面積可大可小,用于高頻整流和開關電路中。 返回 半導體二極管 二極管的結構示意圖 2. 符號: P N 陽極 陰極 VD 前一頁 后一頁 返回 伏安特性 前一頁 后一頁 P N + – U I 硅管 , 鍺管 。 反向擊穿 電壓 U(BR) 導通壓降 死區(qū)電壓 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導通。 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿,失去單向導電性。 正向特性 P N + – 反向特性 非線性 反向電流 在一定電壓 范圍內保持 常數。 硅 ~,取 鍺 ~,取 返回 主要參數 最大整流電流 IF 二極管長期使用時,允許流過二極管的最大正向 平均 電流。 反向工作峰值電壓 URM 是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓,一般是二極管反向擊穿電壓 UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向導電性被破壞,甚至過熱而燒壞。 反向峰值電流 IR 指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大,說明管子的單向導電性差, IR受溫度的影響,溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小 (nA級 ) , 鍺管的反向電流較大,為硅管的幾十到幾百倍 (μA級 ) 。 前一頁 后一頁 返回 (4) 正向壓降 VF 在規(guī)定的正向電流下,二極管的正向電壓降。硅二極管約 ~ ;鍺二極管約 ~ 。 (5) 直流電阻 (靜態(tài)電阻 )RD 二極管正向導通時,其兩端的電壓降與通過的電流的比值。此值隨通過的電流的增加而下降,可見二極管是一個非線性的元件。 (6)動態(tài)電阻 (交流電阻 )rD 二極管正向導通后,在工作點處對小信號呈現出的電阻值。 二極管 的單向導電性 前一頁 后一頁 1. 二極管加正向電壓 (正向偏置,陽極接正、陰極接負 )時,二極管處于正向導通狀態(tài),二極管正向電阻較小,正向電流較大。 2. 二極管加反向電壓 (反向偏置,陽極接負、陰極接正 )時,二極管處于反向截止狀態(tài),二極管反向電阻較大,反向電流很小。 3. 外加電壓大于反向擊穿電壓時 ,二極管被擊穿,失去單向導電性。 ,二極管的反向電流受溫度的影響,溫度愈高反向電流愈大 。溫度不變時該電流基本不變 。 與所加反向電壓的大小幾乎無關 . 返回 二極管物理模型 二極管模型 正向偏置時: 管壓降為 0,電阻也為 0。 反向偏置時: 電流為 0,電阻為 ∞。 當 iD≥1mA時, vD=。 1. 理想模型 2. 恒壓降模型 3. 折線模型 (實際模型) 4. 小信號模型 ?????? 2022 mA VVi VVrDthDD)()(26mAImVivrDQDDD ????DDthD riVV ?? 定性分析: 判斷二極管的工作狀態(tài) 導通截止 否則,正向管壓降 硅 ~ ~ 分析方法: 將二極管斷開,分析二極管兩端電位 的高低或所加電壓 UD的正負。 若 V陽 V陰 或 UD為正 (),二極管導通 (正向偏置 ) 若 V陽 V陰 或 UD為負 (),二極管截止 (反向偏置 ) 前一頁 后一頁 反向截止時二極管相當于斷開。 若二極管是理想的, 正向導通時正向管壓降為零, 返回 電路如圖,求: UAB V陽 =- 6 V V陰 =- 12 V V陽 V陰 二極管導通 若 忽略管壓降,二極管可看作短路, UAB =- 6V 否則, UAB低于- 6V一個管壓降,為- - 例 1: 后一頁 取 B 點作參考點, 斷開二極管 ,分析二極管陽極和陰極的電位。 跳轉 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 返回 兩個二極管的陰極接在一起 求: UAB 取 B 點作參考點,斷開二極管,分析二極管陽極和陰極的電位。 V1陽 =- 6 V, V2陽 =0 V , V1陰 = V2陰 = - 12 V UD1 = 6V, UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ VD2 優(yōu)先導通, VD1截止。 若忽略管壓降,二極管可看作短路, UAB = 0 V mA43122 ??DIVD1承受反向電壓為 - 6 V 流過 VD2的電流為 例 2: 前一頁 后一頁 VD1 6V 12V 3k? B A VD2 UAB + – 返回 D2 1V 1K A D1 UA + +3V +2V 1K 例 3:圖示電路中,若二極管的導通壓降為0V,則輸出電壓 U
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