晶體三極管的開關(guān)特性(編輯修改稿)
2025-06-17 19:00 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的電子還不能立即穿過發(fā)射結(jié)到達(dá)基區(qū)。這時(shí)發(fā)射區(qū)的電子進(jìn)入空間電荷區(qū)，使空間電荷區(qū)變窄，然后發(fā)射區(qū)開始向基區(qū)發(fā)射電子，晶體管開始導(dǎo)通。 ? 上升時(shí)間 tr：發(fā)射區(qū)不斷向基區(qū)注入電子，電子在基區(qū)積累，并向集電區(qū)擴(kuò)散，形成集電極電流 ic。隨著基區(qū)電子濃度的增加，ic不斷增大。 三極管動(dòng)態(tài)特性 Ⅳ ? 存儲(chǔ)時(shí)間 ts：經(jīng)過上升時(shí)間后，集電極電流繼續(xù)增加到 Ics，這時(shí)由于進(jìn)入了飽和狀態(tài)，集電極收集電子的能力減弱，過剩的電子在基區(qū)不斷積累起來，稱為超量存儲(chǔ)電荷，同時(shí)集電區(qū)靠近邊界處也積累起一定的空穴，集電結(jié)處于正向偏置。 當(dāng)輸入電壓 ui由 +U2跳變到 U1時(shí)，上述存儲(chǔ)電荷不能立即消失，而是在反向電壓作用下產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)而形成反向基極電流，促使超量存儲(chǔ)電荷泄放。在存儲(chǔ)電荷完全消失前，集電極電流維持 Ics不變，直至存儲(chǔ)電荷全部消散，晶體管才開始退出飽和狀態(tài)， ic開始下降。 ? 下降時(shí)間 tf：在基區(qū)存儲(chǔ)的多余電荷全部消失后，基區(qū)中的電子在反向電壓的作用下越來越少，集電極電流 ic也不斷減少，并逐漸接近于 0。 三極管動(dòng)態(tài)特性 Ⅴ ? 上述四個(gè)參數(shù)稱為三極管的開關(guān)時(shí)間參數(shù)，我們從圖上看到，它們都以集電極電流 ic變化為基準(zhǔn)的。 –通常把 ton = td+tr稱為開通時(shí)間，它反映了三極管從截止到飽和所需的時(shí)間。 –而把 toff = ts+ tf稱為關(guān)閉時(shí)間，它反映了三極管從飽和到截止所需的時(shí)間。 –開通時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間總稱為開關(guān)時(shí)間，它隨管子類型不同而有很大差別，一般在幾十至幾百納秒的范圍，可以從器件手冊(cè)中查到。 MOS管的開關(guān)特性 Ⅰ ? 靜態(tài)特性 ? MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)?
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