mos場效應晶體管的結構工作原理(編輯修改稿)
2024-12-22 19:59 本頁面
【文章內容簡介】 的多子導電性質相反，稱為 反型層 。此時若加上UDS ，就會有漏極電流 ID產生。 反型層 顯然改變 UGS就會改變溝道，從而影響 ID ，這說明 UGS對 ID的控制作用。 ＞ 0DSU 當 UGS較小時，不能形成有 效的溝道，盡管加有 UDS ，也不 能形成 ID 。當增加 UGS，使 ID剛 剛出現(xiàn)時，對應的 UGS稱為 開啟 電壓 ，用 UGS(th)或 UT表示。 動畫 24 2．漏源電壓 UDS的控制作用 設 UGS＞ UGS(th)，增加 UDS，此時溝道的變化如下。 SDGPN+N+S i O 2型襯底DSU+ + + +GSU ＞G S (t h)U空穴 正離子電子 負離子 顯然漏源電壓會對溝道產生影響，因為源極和襯底相連接，所以加入 UDS后， UDS將沿漏到源逐漸降落在溝道內，漏極和襯底之間反偏最大， PN結的寬度最大。所以加入 UDS后，在漏源之間會形成一個傾斜的 PN結區(qū)，從而影響溝道的導電性。 當 UDS進一步增加時， ID會不斷增加 ,同時，漏端的耗盡層上移，會在漏端出現(xiàn)夾斷，這種狀態(tài)稱為 預夾斷 。 預夾斷 當 UDS進一步增加時， 漏端的耗盡層向源極伸展，此時 ID基本不再增加，增加的 UDS基本上降落在夾斷區(qū)。 DI動畫 25 3 N溝道增強型 MOSFET的特性曲線 N溝道增強型 MOSFET的轉移特性曲線有兩條 ， 轉移特性曲線和漏極輸出特性曲線 。 1)轉移特性曲線 O GSU4321/VDI mA
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