mosfet基礎(chǔ)2mosfet工作原理頻率cmos(編輯修改稿)
2024-12-22 19:59 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ? ?W Wdz0x39。EnnWQ ??反型層中平行于溝道方向的電場(chǎng)： dxdV x?xE39。 xx n n dVI W Q dx??18 MOSFET原理 IV特性 :電中性條件 039。39。39。39。 ( m a x ) ?+++ SDnssm 19 高斯定理 1 2 34 5 6n 1 1 2 2 3 34 4 5 5 6 6E E E EE E ES S S SS S Sd S d S d S d Sd S d S d S? ? ? ?? ? ?? + ++ + +? ? ? ?? ? ?相互抵消 E5=E6=0，即使有也相互抵消 E3＝ 0 W d x SDnssT )39。39。39。( ( m a x )++?? ?STQdSnE?表面所在材料的介電常數(shù) 某閉合表面 沿閉合表面向外法線方向的電場(chǎng)強(qiáng)度 該閉合表面所包圍區(qū)域的總電荷量 ( m a x )ox 39。39。39。E SDnssox Q ++? ? MOSFET原理 IV特性 :表面電荷 44 4 o xEE oxSd S W d x??? ? ?dx W 2 4 3 1 5 6 20 fpe?2msfpoxxGS VVV ?? ++? 2 F p F mEE?? ??39。 ( 39。 ) 22 gm s m fp s fpE e? ? ? ? ? ?? + + ? MOSFET原理 IV特性 :氧化層電勢(shì) ()G S xe V V( 39。 ) ( 39。 )2 gm o x s f pEeV e? ? ? ?+ + + 21 MOSFET原理 IV特性 :反型層電荷與電場(chǎng) o x ( m a x ) ( m a x )E 39。 39。 39。 39。 39。 39。o x s s n S D s s n S DQ Q Q Q Q Q? ? + + ? oxE ox oxVt?msfpoxxGS VVV ?? ++? 2氧化層電勢(shì) ? ? ? ?( m a x )39。 39。 39。 2oxn S D s s G S x f p m soxQ Q Q V Vt? ????? + + +??半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)的單位面積電荷 氧化層中垂直于溝道方向的電場(chǎng) 由上三式可得反型層單位面積的電荷 oxoxox tC /??39。 xx n n dVI W Q dx??39。 [ ]n O X G S T xQ C V V V? () xx n o x G S T x dVI W C V V V dx??不應(yīng)是 x或 Vx的函數(shù)（電流連續(xù)性定律） x00 IDSLVDxI d x d V???)0(])(2[2 )(2 s a tDSDSTGSDSDSTGSoxnD VVVVVVVVLCWI ???? ，當(dāng)? 22 MOSFET原理 IV特性 :線性區(qū)與飽和區(qū) ，處于飽和區(qū)－若無關(guān)與TGSDSDSTGSoxns a tDVVVVVVLCWI?? 2)( )(2?，處于線性區(qū)若 TGSDSDSDSTGSoxnDVVVVVVVL CWI???? )(?0)(???? sa tDSDS VVDSDVITGSsa tDS VVV ?)(])(2[2 2DSDSTGSoxnD VVVVLCWI ? ?23 MOSFET原理 μ 和 VT的測(cè)試提取方法 DSTGSoxnD VVVLCWI )( ? ?特性基于線性區(qū) GSD VI ~TnDSoxnVLVCW???橫軸截距斜率 ??特性基于飽和區(qū) SD VI G~TnoxnVLCW???橫軸截距斜率 ??2)(2)( TGSoxns a tD VVLCWI ? ?高場(chǎng)下遷移率隨電場(chǎng)上升而下降 存在亞閾值電流 n溝耗盡型 n溝增強(qiáng)型 24 MOSFET原理 p溝增強(qiáng)型 MOSFET的 IV特性 ])(2[22SDSDTSGoxpD VVVVLCWI +??非飽和區(qū)DSTSGoxpD VVVLCWI )( +??線性區(qū)2())()2p oxD sat SG TSD sat SG T
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