控制變形原理與應(yīng)用基礎(chǔ)(2)(編輯修改稿)
2024-11-15 19:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 的關(guān)系 多邊形化亞結(jié)構(gòu)的描述－ 小結(jié) ? 亞晶粒與胞狀結(jié)構(gòu) 是兩個層次的亞結(jié)構(gòu)描述； ? 位錯排列成與滑移面垂直的傾側(cè)界面時，根據(jù)情況可能是第一層次的也可能是第二層次的，因此分類 無須特別嚴(yán)格 ； ? 當(dāng)研究亞結(jié)構(gòu)（尤其是尺寸）隨各種參數(shù)變化時， 重要的是應(yīng)考慮存在可由不同技術(shù)揭示出來的兩種層次的亞結(jié)構(gòu)，可能第二層次的亞結(jié)構(gòu)并不標(biāo)志變形的特征，而是在實驗結(jié)束時不可避免的熱作用在單元內(nèi)位錯的重新排列。 ? 亞晶粒尺寸 DG 和應(yīng)力 σ 間有經(jīng)驗關(guān)系， n 通常等于 1，有時小于 1。 ? 只有 n=1時，方程量綱才正確， K 有物理意義。 ? 在亞結(jié)構(gòu)為由四個面是傾角晶界（大多數(shù)情況）的平行六面體形成時，系數(shù) K 正比于平行墻系統(tǒng)比垂直墻系統(tǒng)超出的同號位錯數(shù)目。 ? DG 在等軸晶或截面近于方形的情況為亞晶粒的平均尺寸；在亞晶粒被拉長的情況，代表平行墻面的間距。 ? 亞晶粒的平均尺寸總是與外應(yīng)力成反比，而幾乎與溫度無關(guān)。但是對于控制速度的變形（扭轉(zhuǎn)、擠壓），穩(wěn)態(tài)階段的應(yīng)力取決于溫度。所以經(jīng)常研究亞晶粒尺寸隨 ZenerHollomon參數(shù) Z的變化，而不是與外應(yīng)力的關(guān)系。 力學(xué)參數(shù)和亞晶粒的關(guān)系 外應(yīng)力和亞晶粒尺寸的關(guān)系 —— 第一層次 第七章、變形速度與顯微組織結(jié)構(gòu)間的關(guān)系 nSGbKD???第七章、變形速度與顯微組織結(jié)構(gòu)間的關(guān)系 (a) AgCl蠕變后亞晶粒內(nèi)的二次亞結(jié)構(gòu)， σ=50gf/mm2， T=330℃ ，ε=13%，紫外線像， 360() (b) NaCl蠕變后亞晶粒內(nèi)的二維位錯網(wǎng) (位錯垂直于紙面 )， σ=35gf/mm2， T=780℃ ，ε=30%，蝕坑法， 520() ? 若亞晶粒內(nèi)的位錯在各自應(yīng)力場作用下平衡或形成三維位錯網(wǎng)，則位錯密度取決于 σ ； ? 在有些情況人們從實驗中發(fā)現(xiàn)由于指數(shù)小于 2， ρ 取決于 σ ； ? Al：隨 σ 的增大， n 從 增加到 1。 力學(xué)參數(shù)和亞晶粒的關(guān)系 亞晶粒的位錯密度 —— 第二層次 第七章、變形速度與顯微組織結(jié)構(gòu)間的關(guān)系 2?????????bK???nbK ???????????? 力學(xué)參數(shù)和亞晶粒的關(guān)系 亞結(jié)構(gòu)的形成 —— 第一層次－亞晶粒的形成 第七章、變形速度與顯微組織結(jié)構(gòu)間的關(guān)系 ? 當(dāng)初始階段開始時，變形先在包括易滑移方向的一個滑移系統(tǒng)開始，該系統(tǒng)的滑移帶鎖住了第二個系統(tǒng)的位錯，使其重新排列形成墻，結(jié)果在初始滑移位置得到拉長的亞晶粒帶。 ? 當(dāng)初始階段的變形增加時，第二個滑移系統(tǒng)愈來愈變得活躍，產(chǎn)生不明顯的滑移帶。第一個系統(tǒng)滑移主要集中于拉長的大尺寸亞晶粒，位錯的刃型部分塞積在端部，并且重新排列成與初始大尺寸亞晶粒垂直的墻，這一過程導(dǎo)致亞晶粒內(nèi)大面積 “ 碎化 ” 成相同的尺寸。 力學(xué)參數(shù)和亞晶粒的關(guān)系 第七章、變形速度與顯微組織結(jié)構(gòu)間的關(guān)系 ? 如果只有兩個滑移系統(tǒng)開動，最終可得到由四個傾角墻和兩個扭轉(zhuǎn)墻罰界的亞晶粒，這種墻的本質(zhì)已用電子顯微鏡和 X光技術(shù)進行了分析。 ? 若應(yīng)力和溫度都很高，位錯大量攀移，則滑移面難以確定，結(jié)果會得到等軸亞晶粒，同樣如果有兩個以上滑移系統(tǒng)開動時，亞晶粒界面不再是純彎曲或純扭轉(zhuǎn)的。 亞結(jié)構(gòu)的形成 —— 第一層次－亞晶粒的形成 力學(xué)參數(shù)和亞晶粒的關(guān)系 第七章、變形速度與
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