【正文】 增強(qiáng)型： VGS 與 VDS 極性相同。 此時(shí) Ron ?→ ID ?變慢 ? VDS對溝道的控制 （ 假設(shè) VGS 一定 ） N G S D + VGS P + P + VDS + 此時(shí) W近似不變 即 Ron不變 ? 當(dāng) VDS增加到使 VGD ?=VGS(off)時(shí) → A點(diǎn)出現(xiàn)預(yù)夾斷 ? 若 VDS 繼續(xù) ?→ A點(diǎn)下移 → 出現(xiàn)夾斷區(qū) 此時(shí) VAS =VAG +VGS =VGS(off) +VGS （恒定） 若忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則近似認(rèn)為 l 不變（即 Ron不變）。 2G S ( t h )GSOXD )(2 VVlWCI ?? ?S G D ID VGS S D G ID IG?0 ID(VGS ) + VBE(on) E C B IC IB IB ? + 小信號(hào)電路模型 ? MOS管簡化小信號(hào)電路模型 (與三極管對照 ) gmvgs rds g d s id vgs vds + + ? rds為 場效應(yīng)管 輸出電阻： ? 由于場效應(yīng)管 IG?0， 所以輸入電阻 rgs ??。 不同之處： 電路符號(hào)中的箭頭方向相反。 DSG S ( t h )GSOXn )( VVVlWC ?? ?? 飽和區(qū) 特點(diǎn)： ID只受 VGS控制，而與 VDS近似無關(guān)，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。 因此預(yù)夾斷后： P P + N + N + S G D U VDS + VGS + A P P + N + N + S G D U VDS + VGS + A VDS ? → ID 基本維持不變。 5. 制造方便，適合大規(guī)模集成。 2. 場效應(yīng)管是電壓控制器件。 ? 若 VDS ?→ 則 VGD ? → 近漏端溝道寬度 ? → Ron增大 。 數(shù)學(xué)模型： 此時(shí) MOS管可看成阻值受 VGS控制的線性電阻器： VDS很小 MOS管工作在非飽區(qū)時(shí)， ID與 VDS之間呈線性關(guān)系： ])(2[2 2DSDSG S ( t h )GSOXnD VVVVl WCI ??? ??????????? G S ( t h )GSOXnon1VVWClR?其中： W、 l 為溝道的寬度和長度。 若 | VUS | ? ? + VUS 耗盡層中負(fù)離子數(shù) ? 因 VGS不變（ G極正電荷量不變） ? ID ? VUS = 0 ID/mA VGS /V O 2V 4V 根據(jù)襯底電壓對 ID的控制作用，又 稱 U極為 背柵極。 ? 飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型與管子類型無關(guān) 2G S ( t h )GSOXD )(2 VVlWCI ?? ?? 臨界飽和工作條件 ? 非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）工作條件 |VDS | = | VGS –VGS(th) | |VGS| |VGS(th) |， |VDS | | VGS –VGS(th) | |VGS| |VGS(th) | ， ? 飽和區(qū)（放大區(qū)）工作條件 |VDS | | VGS –VGS(th) | |VGS| |VGS(th) |， ? 非飽和區(qū)（可變電阻區(qū)）數(shù)學(xué)模型 DSG S ( t h )GSOXnD )( VVVlWCI ?? ?? FET直流簡化電路模型 (與三極管相對照 ) ? 場效應(yīng)管 G、 S之間開路 ， IG?0。 ? 利用微變等效電路分析交流指標(biāo) 。 ? JFET電路模型 VGS S D G ID IG?0 ID(VGS) + gmvgs rds g d s id vgs vds + + S ID G D （共源極） （直流電路模型） （小信號(hào)模型） 利用 2)()1(o ffGSGSD S SD VVII ??得 D S SDQm0D S SDQG S ( of f )D S SQGSDm2IIgIIVIvig ??????? 各類 FET管 VDS、 VGS極性比較 ? VDS極性與 ID流向僅取決于溝道類型 ? VGS極性取決于工作方式及溝道類型 由于 FET類型較多，單獨(dú)記憶較困難，現(xiàn)將各類 FET管VDS、 VGS極性及 ID流向歸納如下： N溝道 FET： VDS 0， ID流入管子漏極。 伏安特性： 2G S ( t h)OXn )(2 VvlWCi ?? ?iD vGS VQ IQ Q 直流電阻： / IVR ?（小） 交流電阻： ivr ??? / （大） T v i + + v R i ? N溝道 DMOS管 GS相連 ?構(gòu)成有源電阻 v = vDS ， vGS =0 ， i = iD 由圖 因此，當(dāng) vDS 0 –vGS(th)時(shí)，管子工作在飽和區(qū)。 JFET工作原理： 綜上所述 ， JFET與 MOSFET工作原理相似 ，它們都是