【正文】 利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流 ， 不同之處僅在于導(dǎo)電溝道形成的原理不同 。 )/(1 DQds Ir ??rb?e rce b c e ib ic + + vbe vce gmvb?e ? MOS管 跨導(dǎo) QGSDm vig???2G S ( t h )GSOXD )(2 VVlWCI ?? ?利用 DQOXQGSDm 22 IlWCvig ?????得 三極管 跨導(dǎo) CQeQEBC Irvigm ??????? 通常 MOS管的跨導(dǎo)比 三極管的 跨導(dǎo)要小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上，即 MOS管放大能力比三極管弱。 于是只要有漏源電壓，就有漏極電流存在。 注意：飽和區(qū) （ 又稱有源區(qū) ） 對(duì)應(yīng)三極管的放大區(qū) 。 由上述分析可描繪出 ID隨 VDS 變化 的關(guān)系曲線： ID VDS 0 VGS –VGS(th) VGS一定 曲線形狀類似三極管輸出特性。 場(chǎng)效應(yīng)管的分類： （ JFET） （絕緣柵）場(chǎng)效應(yīng)管（ MOSFET） 增強(qiáng)型 MOS管 (EMOS) 耗盡型 MOS管 (DMOS) N溝道（ NMOS) P溝道（ PMOS) 增強(qiáng)型 MOS管 (EMOS) 耗盡型 MOS管 (DMOS) N溝道 JFET P溝道 JFET 它是靠半導(dǎo)體表面電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)控制的半導(dǎo)體器件。 場(chǎng)效應(yīng)管（ FET） : 是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。 反型層 VGS對(duì)溝道的控制視頻演示 ? VDS對(duì)溝道的控制 （假設(shè) VGS VGS(th) 且保持不變） ? VDS很小時(shí) → VGD ?VGS 。 當(dāng) VGS為常數(shù)時(shí)， VDS??ID近似線性 ?，表現(xiàn)為一種電阻特性； ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 4V 當(dāng) VDS為常數(shù)時(shí)， VGS ??ID ?，表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。 MOS管保護(hù)措施： 分立的 MOS管： 各極引線短接、烙鐵外殼接地。 PDMOS與 NDMOS的差別僅在于電壓極性與電流方向相反。 c)聯(lián)立解上述方程 ， 選出合理的一組解 。 VGS(off) ID/mA VGS /V 0 IDSS (N溝道 JFET) ID/mA VGS /V 0 IDSS VGS(off) (P溝道 JFET ) VGS=0 時(shí)對(duì)應(yīng)的 ID 值 ? 飽和漏電流 IDSS。 iD vDS VQ IQ Q VGS(th) vGS=0 T v i + + v R i ? 有源電阻 ?構(gòu)成分壓器 若兩管 ?n 、 COX 、 VGS(th)相同，則 聯(lián)立求解得： T1 V1 I1 + I2 V2 + VDD T2 由圖 I1 = I2 V1 + V2 = VDD 2G S ( t h )22OXn2G S ( t h )11OXn )()(2)()(2 VVlWCVVlWC ??? ??V1 + V2 = VDD 1)/()/(1)/()/(12G S ( t h)12DD2????????????lWlWVlWlWVV調(diào)整溝道寬長(zhǎng)比（ W/l），可得所需的分壓值。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V 2V 1. 5V 1V 0. 5V 數(shù)學(xué)模型： 2G S ( o f f )GSD S SD 1 ??????????VVII條件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 在飽和區(qū)， JFET的 ID與 VGS之間也滿足平方律關(guān)系，但由于 JFET與 MOS管結(jié)構(gòu)不同，故 方程不同。 gmvgs rds g d s id vgs vds + + Cds Cgd Cgs 柵源極間平板電容 漏源極間電容 （漏襯與源襯之間的勢(shì)壘電容） 柵漏極間平板電容 場(chǎng)效應(yīng)管電路分析方法與三極管電路分析方法相似 ， 可以采用 估算法 分析 電路直流工作點(diǎn)；采用 小信號(hào)等效電路法 分析電路動(dòng)態(tài)指標(biāo) 。對(duì)應(yīng)ID=0的 VGS稱為夾斷電壓，用符號(hào) VGS(th)表示 ，有時(shí)也用 VP表示。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 4V 溝道未形成時(shí)的工作區(qū) 條件： VGS VGS(th) ID=0以下的工作區(qū)域。 利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng) ， 通過(guò)柵源電壓VGS的變化 ， 改變感生電荷的多少 ， 從而改變感生溝道的寬窄 ， 控制漏極電流 ID。 N + N + P + P + P U S G D 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 ? N溝道 EMOSFET結(jié)構(gòu)示意圖 源極 漏極 襯底極 SiO2 絕緣層 金屬柵極 P型硅 襯底 S G U D 電路符號(hào) l 溝道長(zhǎng)度 W 溝道寬度 ? N溝道 EMOS管 外部工作條件 ? VDS 0 (保證柵漏 PN結(jié)反偏 )。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管