場(chǎng)效應(yīng)晶體管ppt課件-展示頁(yè)
2025-01-28 21:19本頁(yè)面
【正文】 響很小，溝道電阻近似不變， iD隨 uDS的增加呈線性增加。在正向漏源電壓作用下，溝道內(nèi)的多子（電子）產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，形成漏極電流 iD。漏源極之間存在兩個(gè)背向PN結(jié)，其中一個(gè)為反向偏置，只能流過(guò)很小的反向飽和電流，iD≈0。 uGS g b 自由電子 反型層 耗盡區(qū) 第四節(jié) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)改變導(dǎo)電通道的寬窄，從而控制漏 源極間電流的大小。 開(kāi)始形成反型層的 uGS稱為開(kāi)啟電壓 (UT)。 MOS管按工作方式分類 增強(qiáng)型 MOS管 耗盡型 MOS管 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 第四節(jié) （一） N溝道增強(qiáng)型 MOS管的結(jié)構(gòu)和工作原理 N N b襯底引線 s g d P襯底 b SiO2絕緣層 g柵極 S源極 d漏極 N型區(qū) g g s s d d b b 箭頭方向是區(qū)別 N溝道與 P溝道的標(biāo)志 第四節(jié) N溝道 P溝道 鋁 （ 1）感生溝道的形成 在電場(chǎng)的作用下，可以把 P型襯底表面層中多數(shù)載流子空穴全部排斥掉，形成空間電荷區(qū)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 第四章 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 第四節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，用 FET來(lái)表示 （ Field Effect Transistor）。 一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬 — 氧化物 — 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱 MOS管。 當(dāng) uGS增加到某一臨界電壓 (UT)值時(shí)，吸引足夠多的電子，在 P型半導(dǎo)體的表面附近感應(yīng)出一個(gè) N型層 ,形成反型層 — 漏源之間的導(dǎo)電溝道。 uGS越高，電場(chǎng)越強(qiáng)，感應(yīng)的電子越多，溝道就越寬。 柵極和源極之間加正向電壓 耗盡區(qū) 鋁 SiO2 襯底 P型硅 g b uGS 受主離子 空穴 （ 2）柵源電壓 uGS對(duì)漏極電流 iD的控制作用 在柵源電壓 uGS=0時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道。 增大 VGG，使 uGS=UT時(shí)形成導(dǎo)電溝道。 uGS變大 iD變大 溝道寬度變寬 溝道電阻變小 N N VDD VGG s d b g iD P N溝道 uGS≥UT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道 第四節(jié) uGS對(duì) iD的控制作用： （ 3）漏源電壓 uDS對(duì)漏極電流 iD的影響 uGS≥ UT 時(shí)，溝道形成。 當(dāng) uDS增大時(shí)， 溝道各點(diǎn)與柵極間電壓不等，使溝道從源極向漏極逐漸變窄。 繼續(xù)增大 uDS ，則 uGD UT，夾斷區(qū)增加，增加的 uDS電壓幾乎全部降落在夾斷區(qū)上，所以 uDS雖然增加而電流基本上是恒定的。 （二） N溝道增強(qiáng)型 MOS管的特性曲線 輸出特性是指 uGS為一固定值時(shí)， iD與 uDS之間的關(guān)系，即 輸出特性分為三個(gè)區(qū)： 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū) 第四節(jié) 可變電阻區(qū)（非飽和區(qū)） 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) 2 Ⅰ 區(qū) 對(duì)應(yīng)預(yù)夾斷前， uGSUT， uDS很小， uGDUT的情況。 ② uGS變大， rDS變小，看作由電壓 u
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