正文內(nèi)容

微電子學概論ch2mos場效應(yīng)晶體管(編輯修改稿)

2025-06-19 21:45 本頁面

　

【文章內(nèi)容簡介】 VG0 多子遠離表面 + + + + + + + + + + + P VG0 耗盡層（高阻區(qū)） + + + + + + + + + + + P VG0 反型層：由少子組成，稱為溝道。表面空間電荷層和反型層 N溝道下一頁上一頁－－－－－－－－ P VG0 多子被吸引表面－－－－－－－－ P VG0 半導(dǎo)體內(nèi)的變化并不顯著表面空間電荷層和反型層下一頁上一頁 OUTLINE 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 MIS結(jié)構(gòu) MOS電容結(jié)構(gòu) MOSFET 下一頁上一頁電容的含義 ?平行板電容器 +Q Q E d + V 面積 A 電容 C定義為： Q V C＝斜率 AdVQC ???直流和交流時均成立下一頁上一頁 MOS結(jié)構(gòu)的電容 ?交流電容交流電容 C定義為： +Q Q E d + V 面積 A +?Q ?Q ?V Q V C（ V〕＝斜率對于理想的交流電容， C與頻率無關(guān) 這里理想指電容中沒有能量的耗散：忽略金屬引線的電阻（超導(dǎo)線〕介質(zhì)層不吸收能量 VVQVC??? ),(),( ?? 下一頁上一頁 MOS 電容的結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體中的電容通常是交流電容下一頁上一頁 OUTLINE 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 MIS結(jié)構(gòu) MOS電容結(jié)構(gòu) MOSFET 下一頁上一頁 MOSFET 增強型 MOSFET* 耗盡型 MOSFET 下一頁上一頁增強型 MOS場效應(yīng)管 (以 N溝道為例）漏極 D→ 收集極 C 源極 S → 發(fā)射極 E 柵極 G→ 基極 B 襯底 B 電極 — 金屬絕緣層 — 氧化物基體 — 半導(dǎo)體因此稱之為 MOS管下一頁上一頁

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