微電子學(xué)概論--b03(編輯修改稿)
2025-03-26 00:38 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 半導(dǎo)體： n大于 p P型半導(dǎo)體： p大于 n 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 多子：多數(shù)載流子 n型半導(dǎo)體：電子 p型半導(dǎo)體：空穴 少子：少數(shù)載流子 n型半導(dǎo)體：空穴 p型半導(dǎo)體：電子 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 7. 電中性條件 : 正負(fù)電荷之和為 0 p + Nd – n – Na = 0 施主和受主可以相互補(bǔ)償 p = n + Na – Nd n = p + Nd – Na 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 n型半導(dǎo)體：電子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半導(dǎo)體：空穴 p ? Na 電子 n ? ni2/Na 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 8. 過(guò)剩載流子 由于受外界因素如光、電的作用，半導(dǎo)體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，稱(chēng)這些偏離平衡分布的載流子為過(guò)剩載流子 2innp ?公式 不成立 載流子的產(chǎn)生和復(fù)合：電子和空穴增加和消失的過(guò)程 電子空穴對(duì)：電子和空穴成對(duì)產(chǎn)生或復(fù)合 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 9. 載流子的輸運(yùn) 漂移電流 EqnqnvJ dD eif t ???遷移率 ? 電阻率 ? pn qpqn ??? ?? 1?? mq??單位電場(chǎng)作用下載流子獲得平均速度 反映了載流子在電場(chǎng)作用下輸運(yùn)能力 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)： 載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng) 引 入 遷 移 率 的 概 念 影 響 遷 移 率 的 因 素 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 影響遷移率的因素： 有效質(zhì)量 平均弛豫時(shí)間（散射〕 體現(xiàn)在：溫度和 摻雜濃度 半導(dǎo)體中載流子的散射機(jī)制：
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