場效應晶體管-文庫吧資料
2025-07-24 18:48本頁面
【正文】 1 2 3 2 4 6 8 10 12 uGS(V) UP IDSS uDS=10V 二、結型場效應管 JFET(Junction Field Effect Transistor) 兩個 P+區(qū)中間的 N型半導體，在加上正向 uDS電壓時就有電流流過，故稱為 N溝道。 第四節(jié) （ 1）夾斷電壓 UP 是指導電溝道完全夾斷時所需的柵源電壓。 第四節(jié) 實際測量時，是在規(guī)定的 uDS條件下，使 iD減小到規(guī)定的微小值時所需的 uGS值。 當 uGS達到某一負電壓值 UP時，抵消了由正離子產生的電場，導電溝道消失， iD≈0， UP稱為夾斷電壓。 在 uGS=0時 當 uGS0時 感生溝道加寬， iD增大。 第四節(jié) DSDDM uiP ??DMI2 4 6 8 10 12 14 16 0 uGS=7V 5 4 6 uDS(V) iD(mA) 3 （四） N溝道耗盡型 MOS管 VDD N N s g d b P iD N溝道 結構示意圖 SiO2絕緣層中摻入大量的正離子。 是指在 uDS增大時，使 iD開始急劇增加的 uDS值。 是指在 uDS=0時，柵源極間絕緣層發(fā)生擊穿，產生很大的短路電流所需的 uGS值。 是指管子允許的最大耗散功率，相當于雙極型晶體管的 PCM。 （ 2）極間電容： 柵、源極間電容 Cgs和柵、漏極間電容Cgd，它影響高頻性能的交流參數，應越小越好。 910第四節(jié) 定義：當 uDS一定時，漏極電流變化量與引起這一變化的柵源電壓變化量之比，即 gm相當于轉移特性的斜率，反映了場效應管的放大能力。 在 uDS=0的條件下 ， 柵極與源極之間加一定直流電壓時 ，柵源極間的直流電阻 。 第四節(jié) UT （三） N溝道增強型 MOS管的主要參數 直流參數 交流參數 極限參數 第四節(jié) （ 2）直流輸入電阻 RGS （ 1）開啟電壓 UT 在襯底表面感生出導電溝道所需的柵源電壓 。 預夾斷軌跡方程為： TGSGDGSDSTDSGSGDUuuuuUuuu?????????第四節(jié) 轉移特性是指 uDS為固定值時， iD與 uGS之間的關系，即 常數DSGSD )( ?? uufi2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V 1 2 3 4 5 6 當 FET工作在恒流區(qū)，不同 uDS的轉移特性曲線基本接近。 iD只受 uGS控制。 Ⅰ Ⅱ 第四節(jié) 截止區(qū) 該區(qū)對應于 uGS≤UT的情況 由于沒有感生溝道，故電流 iD≈0，管子處于截止狀態(tài)。 ① 若 uGS不變，溝道電阻 rDS不變， iD隨 uDS的增大而線性上升。 VGG VDD s d b g iD P N N uGDUT uGD=UT uGDUT 第四節(jié) 耗盡區(qū) N溝道 當 uDS增大到使 uGD =UT時，在靠近漏極處，溝道開始消失，稱為預夾斷。隨著 uDS增大，溝道電阻迅速增大， iD不再隨 uDS線性增大。當 uDS較小，即 uGDUT時，溝道寬度受 uDS的影響很
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