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雙極型晶體管知識(shí)講座-文庫吧資料

2025-03-15 10:46本頁面
  

【正文】 輸入特性曲線的作法 VCE=常數(shù) IB=f(VBE )| 此式的意義是:令三極管 ce間電壓 VCE保持不變,研究 be 間電流 IBE 隨電壓 VBE的變化規(guī)律 . VCE=0V時(shí)的輸入特性曲線。 共射電路輸入特性曲線 共射電路輸出特性曲線 雙極型晶體管 (BJT) IB IC IE VBE /V IB /?A 0 VCE VBE 輸入特性曲線的作法 VCE=常數(shù) IB=f(VBE )| 此式的意義是:令三極管 ce間電壓 VCE保持不變,研究 be 間電流 IBE 隨電壓 VBE的變化規(guī)律 . VCE=0V時(shí)的輸入特性曲線。 VCE VBE 共射電路輸入特性曲線 共射電路輸出特性曲線 雙極型晶體管 (BJT) (1)輸入特性曲線 :輸入特性的意義 輸入特性曲線就是研究三極管 be之間輸入電流 IB隨輸入電壓 VBE的變化規(guī)律 。 繼續(xù) 返回 共射極電路的電壓放大原理 AV = ?vo / ?vi = = 49 三、晶體管的特性曲線 曲線 輸入特性曲線就是研究三極管 be之間輸入電流 IB隨輸入電壓 VBE的變化規(guī)律 。最基本的放大電路是共射極放大電路。 三極管的放大作用實(shí)際上 是使微小的信號(hào) (如微小變化的電壓、微小變化的電流)轉(zhuǎn)換成較大變化的信號(hào)。最基本的放大電路是共射極放大電路。 三極管的放大作用實(shí)際上 是使微小的信號(hào) (如微小變化的電壓、微小變化的電流)轉(zhuǎn)換成較大變化的信號(hào)。 雙極型晶體管 (BJT) 二、晶體管的電流分配與放大作用 三個(gè)交變電流 繼續(xù) 本頁完 (1)共射極放大電路 ?vi VBB VCC iB = IB + ? iB iC = IC + ? iC ?vO iE = IE+ ? iE + - + - + - c e b RL 1K ? = 49 共射極電路的電壓放大原理 (2)共射電路的電壓放大 輸出電路同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)變化的電流。要使三極管有放大作用 ,必須與一些阻容元件按一定的方式連接成電路 ,稱為放大電路 。 PN結(jié)電壓連接的一般特性 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) (1)共射電路的組成 繼續(xù) 本頁完 ?vi VBB VCC RL 1K + - + - c e b 輸入與輸出回路共用發(fā)射極,所以稱為共發(fā)射極放大電路。要使三極管有放大作用 ,必須與一些阻容元件按一定的方式連接成電路 ,稱為放大電路 。 以后畫電路時(shí)三極管就不再使用結(jié)構(gòu)圖而用電路符號(hào)圖了。 VEE VCC IC =ICN+ICBO? ICN + - + ICN 由于基區(qū)空穴的復(fù)合作用 ,集電區(qū)收集的電子數(shù)會(huì)比發(fā)射區(qū)擴(kuò)散的電子數(shù)要小一些 , 即集電極電流 IC比發(fā)射極電流 IE要小一些。 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) 集極電流的形成 二、晶體管的電流分配與放大作用 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 繼續(xù) 本頁完 集電極電流 IC:集電極電流主要由集電結(jié)收集從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散至基區(qū)的電子而成 (ICN)。同時(shí)電源 VEE又不斷地從基區(qū)中把電子拉走 , 維持基區(qū)有一定數(shù)量的空穴。 繼續(xù) IE =IEN+IEP? IEN VEE VCC + - + ICN 注意電流方向:電流方向與電子移動(dòng)方向相反 ,與空穴移動(dòng)方向相同。 繼續(xù) 返回 雙極型晶體管 (BJT) 二、晶體管的電流分配和放大作用 各極電壓的連接及作用 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 PN結(jié)電壓連接的一般特性 繼續(xù) 顧名思義:發(fā)射區(qū)的作用是發(fā)射電 子 ,集電區(qū)的作用是收集電子 ,下面以 NPN型三極管 為例分析 載流子(即電子和空穴 )在晶體管內(nèi)部的傳輸情況。 : 很顯然 , 三極管有兩個(gè) PN結(jié),發(fā)射區(qū)與基區(qū)間的稱為發(fā)射結(jié),集電區(qū)與基區(qū)間的叫集電結(jié)。 雙極型晶體管 (BJT) 發(fā)射極的電路符號(hào) 繼續(xù) 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介 基區(qū) (P):很薄 ,空穴濃度較小 —— 引出基極 b. 發(fā)射區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較小 —— 引出發(fā)射極 e. 集電區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較大 —— 引出集電極 c. NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)組成 注意:發(fā)射極的符號(hào)帶箭頭。 一 、 晶 體 管 結(jié) 構(gòu) 簡(jiǎn) 介 二 、 晶體管的電流分配和放大作用 三 、 晶體管的特性曲線 結(jié)束 四 、 ( B J T ) 的 主 要 參 數(shù) 黃山下面是一些三極管的外型。馬嶺河大峽谷 引言 雙極型 半導(dǎo)體三極管(亦稱為晶體管)一般有三個(gè)電極(即三個(gè)引出腳),按工作性質(zhì)亦分為高、低頻晶體三極管;大功率、中功率和小功率晶體三極管;用作信號(hào)放大用的三極管和用做開關(guān)的三極管。封面 返回 貴州 興義 按材料分有鍺半導(dǎo)體三極管和硅半導(dǎo)體三極管,由于硅三極管工作穩(wěn)定性較好,所以現(xiàn)在大部分三極管都是用硅材料做的。 大功率低頻三極管 中功率低頻三極管 小功率高頻三極管 返回 學(xué)習(xí)要點(diǎn) 本 節(jié) 學(xué) 習(xí) 要 點(diǎn) 和 要 求 半 導(dǎo) 體 三 極 管 的 結(jié) 構(gòu) 晶 體 三 極 管 常 用 參 數(shù) 的 意 義 晶 體 三 極 管 的 放 大 原 理 共射電路輸入特性曲線的意義 共射電路輸出特性曲線的意義 返回 半導(dǎo)體三極管特性主頁 使用說明:要學(xué)習(xí)哪部分內(nèi)容,只需把鼠標(biāo)移到相應(yīng)的目錄上單擊鼠標(biāo)左鍵即可,按空格鍵或鼠標(biāo)左鍵將按目錄順序?qū)W習(xí)。百步云梯 返回 晶體管的特性 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介 NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)組成 雙極型晶體管 (BJT) 繼續(xù) 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介 繼續(xù) : N集電區(qū) N P基區(qū) e發(fā)射極 b 基極 c 集電極 發(fā)射區(qū) 管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 基區(qū) (P):很薄 ,空穴濃度較小 —— 引出基極 b. 發(fā)射區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較小 —— 引出發(fā)射極 e. 集電區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較大 —— 引出集電極 c. NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)組成 以 NPN型晶體管為例
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