雙極型晶體管知識(shí)講座-全文預(yù)覽
【正文】 配和放大作用 各極電壓的連接及作用 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 PN結(jié)電壓連接的一般特性 繼續(xù) 顧名思義：發(fā)射區(qū)的作用是發(fā)射電 子 ,集電區(qū)的作用是收集電子 ,下面以 NPN型三極管 為例分析 載流子(即電子和空穴 )在晶體管內(nèi)部的傳輸情況。 雙極型晶體管 (BJT) 發(fā)射極的電路符號(hào) 繼續(xù) 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡介 基區(qū) (P):很薄 ,空穴濃度較小 —— 引出基極 b. 發(fā)射區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較小 —— 引出發(fā)射極 e. 集電區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較大 —— 引出集電極 c. NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)組成 注意：發(fā)射極的符號(hào)帶箭頭。下面是一些三極管的外型。封面 返回 貴州 按材料分有鍺半導(dǎo)體三極管和硅半導(dǎo)體三極管，由于硅三極管工作穩(wěn)定性較好，所以現(xiàn)在大部分三極管都是用硅材料做的。百步云梯 返回 晶體管的特性 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡介 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡介 NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)組成 雙極型晶體管 (BJT) 繼續(xù) 一、晶體管結(jié)構(gòu)簡介 繼續(xù) : N集電區(qū) N P基區(qū) e發(fā)射極 b 基極 c 集電極 發(fā)射區(qū) 管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 基區(qū) (P):很薄 ,空穴濃度較小 —— 引出基極 b. 發(fā)射區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較小 —— 引出發(fā)射極 e. 集電區(qū) (N):與基區(qū)的接觸面較大 —— 引出集電極 c. NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)組成 以 NPN型晶體管為例。 單擊 返回 ,返回 學(xué)習(xí)主頁 ，單擊繼續(xù) ,繼續(xù)往下學(xué)習(xí)。 單擊此框運(yùn)行三極管載流子分配動(dòng)畫演示 PN結(jié)電壓連接的一般特性 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) 二、晶體管的電流分配與放大作用 基極電流的形成 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 繼續(xù) 本頁完 基極電流 IB: 基極電流主要由基區(qū)的空穴 與從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 過來的電子復(fù)合而成。 亦有由于基區(qū)和集電區(qū)的少子漂移作用而產(chǎn)生的很小的反向飽和電流 ICBO。 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) 二、晶體管的電流分配與放大作用 ① ?系數(shù)的意義 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 繼續(xù) 本頁完 ①為了表示集電極收集發(fā)射區(qū)發(fā)射電子的能力 ,通常使用一個(gè)常數(shù) hfb(?)表示 VEE VCC hfb=? = iC／ iE Rb VEE VCC RL IB + － + － IE = IB + IC IC + － + PN結(jié)電壓連接的一般特性 iC和 iE 是表示通過三極管集電極和發(fā)射極電流的瞬時(shí)值 . 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) ② ?系數(shù)的意義 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 繼續(xù) 本頁完 ②為了表示集電極電流是基極電流的倍數(shù) ,通常使用一個(gè)常數(shù) hfe (?) 表示 VEE VCC Rb VEE VCC RL IB + － + － IE = IB + IC IC + － + hfe=? = iC／ iB hfe(?)稱為共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) 二、晶體管的電流分配與放大作用 PN結(jié)電壓連接的一般特性 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) ③ ?與 ?之間的關(guān)系 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 繼續(xù) 本頁完 ③ hfb(?)與 hfe(?)之間的關(guān)系 VEE VCC Rb VEE VCC RL IB + － + － IE = IB + IC IC ? = ? 1－ ? + － + 二、晶體管的電流分配與放大作用 聯(lián)立下面三式可求出此關(guān)系式： iC= ? iB iC= ? iE iE = iC + iB 請同學(xué)們自己推導(dǎo) PN結(jié)電壓連接的一般特性 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) 繼續(xù) 本頁完 二、晶體管的電流分配與放大作用 共射基本放大電路的組成演示 三極管的放大作用實(shí)際上 是使微小的信號(hào) (如微小變化的電壓、微小變化的電流）轉(zhuǎn)換成較大變化的信號(hào)。 二、晶體管的電流分配與放大作用 ? = 49 共射基本放大電路的組成演示 基極與發(fā)射極間組成輸入回路 (1)共射極放大電路 集電極與發(fā)射極間組成輸出回路 晶體管共射極放大電路的組成 共射極電路的電壓放大原理 三極管的放大作用實(shí)際上 是使微小的信號(hào) (如微小變化的電壓、微小變化的電流）轉(zhuǎn)換成較大變化的信號(hào)。 輸入信號(hào)電壓在輸入回路上產(chǎn)生一個(gè)變化的電流。 變化的電流在負(fù)載電阻上產(chǎn)生一個(gè)變化電壓。 雙極型晶體管 (BJT) 二、晶體管的電流分配與放大作用 (1)共射極放大電路 (2)放大作用 繼續(xù) 本頁完 這個(gè)放大電路的電壓放大倍數(shù)為 ?vi VBB VCC iB = IB + ? iB iC = IC + ? iC ?vO iE = IE+ ? iE + － + － + － c e b (2)共射電路的電壓放大 ? = 49 RL 1K 設(shè)輸入信號(hào)電壓變化 ?vi=20mV , 產(chǎn)生基極電流的變化量為 ?iB = 20 ?A 輸出電流變化量為 ? iC= ? ? iB =49 20 ?A =980?A= 變化的電流在負(fù)載電阻上產(chǎn)生的電壓變化量為 ? vO= ? iC RL = 1k= 單擊 返回 ,返回 學(xué)習(xí)主頁 ，單擊繼續(xù) ,繼續(xù)往下學(xué)習(xí)。 三、晶體管的特性曲線 (1)輸入特性 VBB VCC + － + － c e b 輸入特性曲線的作法 VCE=常數(shù) 繼續(xù) VBE /V IB /?A
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