雙極和mos晶體管ppt課件-閱讀頁
2025-01-29 10:46本頁面
【正文】 NEMOS 管輸出特性曲線 ? 非飽和區(qū) 特點(diǎn)： ID 同時(shí)受 VGS 與 VDS 的控制。 溝道預(yù)夾斷前對(duì)應(yīng)的工作區(qū)。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 數(shù)學(xué)模型： 此時(shí) MOS 管可看成阻值受 VGS 控制的線性電阻器： VDS 很小 MOS 管工作在非飽和區(qū)時(shí) ， ID 與 VDS 之間呈線性關(guān)系： ])(2[2 2DSDSG S ( t h )GSOXnD VVVVl WCI ??? ??????????? G S ( t h )GSOXnon1VVWClR?其中， W、 l 為溝道的寬度和長(zhǎng)度。 注意：非飽和區(qū)相當(dāng)于三極管的飽和區(qū)。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V 溝道預(yù)夾斷后對(duì)應(yīng)的工作區(qū)。 注意：飽和區(qū) (又稱有源區(qū) )對(duì)應(yīng) 三極管的放大區(qū) 。 通常 ? = ( ~ )V1 微電子技術(shù)基礎(chǔ) ? 截止區(qū) 特點(diǎn)： 相當(dāng)于 MOS 管三個(gè)電極斷開。 IG ? 0， ID ? 0 ? 擊穿區(qū) ? VDS 增大 到一定值時(shí) ?漏襯 PN 結(jié)雪崩擊穿 ? ID 劇增。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 由于 MOS 管 COX 很小 ， 因此當(dāng)帶電物體 (或人 )靠近金屬柵極時(shí) ， 感生電荷在 SiO2 絕緣層中將產(chǎn)生很大的電壓 VGS(= Q /COX)， 使 絕緣層 擊穿 ， 造成 MOS 管永久性損壞 。 MOS 集成電路： T D2 D1 D D2 一方面限制 VGS 間最大電壓 ， 同時(shí)對(duì)感生電荷起旁路作用 。所以當(dāng) VGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)在 P型表面感應(yīng)出反型層，在漏源之間形成了溝道。 轉(zhuǎn)移特性曲線 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 耗盡型與增強(qiáng)型 MOS管的差異 耗盡型： 當(dāng) VGS＝ 0 時(shí)，存在導(dǎo)電溝道， ID≠0 增強(qiáng)型： 當(dāng) VGS＝ 0 時(shí)，沒有導(dǎo)電溝道， ID＝ 0 電路符號(hào) 微電子技術(shù)基礎(chǔ) PMOS場(chǎng)效應(yīng)管 PMOS管結(jié)構(gòu)和工作原理與 NMOS管類似，但正常放大時(shí)所外加的直流偏置極性與 NMOS管相反。 PMOS管速度較低，現(xiàn)已很少單獨(dú)使用，主要用于和 NMOS管構(gòu)成 CMOS電路。 夾斷電壓 VGS(off) (或 VP) 夾斷電壓是耗盡型 FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off) 時(shí) ,漏極電流為零。 輸入電阻 RGS MOS管由于柵極絕緣，所以其輸入電阻非常大，理想時(shí)可認(rèn)為無窮大。 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的 PC
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