mos場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)-閱讀頁
2025-05-30 19:00本頁面
【正文】 。39。 ???? SDnssm Ts n QdSE ???W dxEdSE oxoxs n ?? ??W? ?W d x SDnssT ( m a x )39。39。39。 SDnssoxox QE ????（ b）高斯關(guān)系 ( m a x )39。39。?se 39。39。39。39。 SDssoxoxn VCQ ????dxdVWQEWQI xnnxnnx ?? 39。 ???pfmsOXssSDTP CV ?? 239。 ????電荷 關(guān)系 電壓 關(guān)系 閾值 電壓 ])[( TxGSxoxnx VVVdxdVCWI ???? ??? ???? DSV xxTGSoxnL x dVVVVCWdxI 00 ])[(?])(2[2 2DSDSTGSoxnD VVVVLCWI ??? ?電流 電壓關(guān)系： 電流 電壓關(guān)系（定量） ])(2[2 2DSDSTGSoxnD VVVVLCWI ??? ?電流 電壓關(guān)系： （ VGSVT， VDSVDS(sat)） 飽和 : （電流達(dá)到最大） 0??? DSDVI TGSDS VVs a tV ??)(22 )(2)(2)( TGSoxnDSoxnD VVLCWs atVLCWs atI ??? ??飽和電流 電壓關(guān)系： DIDSV1GSV2GSV3GSV)(satID電流 電壓關(guān)系（定量） ])(2[2 2SDSDTSGoxpD VVVVLCWI ??? ?電流 電壓關(guān)系： 飽和 : TSGSD VVs a tV ??)(22 )(2)(2)( TSGoxpSDoxpD VVLCWs atVLCWs atI ??? ??飽和電流 電壓關(guān)系： P溝道增強(qiáng)型 MOSFET： n G D S ?? DSV?? SGV?p ?pDI 0?TVP溝道耗盡型 MOSFET： 0?TV電流 電壓關(guān)系（定量） 電流 電壓關(guān)系的應(yīng)用（ 1） —— 確定閾值電壓和遷移率 DSTGSoxnD VVVLCWI )( ?? ?（ 1）低漏源電壓近似： （ VDS?0） )(2)( TGSoxnD VVLCWs atI ?? ?（ 2）飽和電流 電壓關(guān)系： （ VDS= VDS(sat) ） DIGSVDIGSVTVLCW oxn??斜率ATVABTVBLCW oxn??斜率電流 電壓關(guān)系（定量） 電流 電壓關(guān)系的應(yīng)用（ 2） —— MOSFET的跨導(dǎo) ])(2[2 2DSDSTGSoxnD VVVVLCWI ??? ?GSDm VIg???MOSFET跨導(dǎo)的定義 : 非飽和區(qū)跨導(dǎo) : DSoxnm VLCWg ??飽和區(qū)跨導(dǎo) : )( TGSoxnms VVL CWg ?? ?TGSDS VVs a tV ??)(線性很好！ 電流 電壓關(guān)系（定量） 襯底偏置效應(yīng) p G D S DSV GSV?n ?nSBVcEFiEFEvEfpe?fps ee ?? 2?cEFiEFEvEfpe?FnE)2( SBfps Vee ?? ??DIGSV0?SBVV1 V3 V9 小信號等效電路 D?n?nSGsr drgspC gsC gdC gdpCgsmVg 39。dsr dsCdrSsr??gsV39。
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