mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)-wenkub
2023-05-21 19:00:24 本頁(yè)面
【正文】 EvEOXeVse?mssOXG VV ?? ???mssOXV ?? ??? 00FmEGV 平帶電壓 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 cEFiEFEvEmssOXG VV ?? ???金屬 氧化物 半導(dǎo)體 mQ39。 ?? ssm OXssOXmOX CQCQV 39。ssQ39。 ??金屬 氧化物 p型半導(dǎo)體 cEFiEFEvEse?dTxdTaSD xeNQ ?( m a x )39。(m a x)39。(m a x)39。( )/l n (239。 ?dx39。Q?39。dQdTx39。dQSDOXde pl CCC 39。OXOXac c tC??39。理想 CV特性 OXOXOX tC??39。FBV 0 TVmin39。堆積 耗盡 中反型 強(qiáng)反型 dTsOXOXOXxtC?????m in39。FBC39。CSDC39。Q?39。Q? 39。CGVOXC39。min39。)()( ??????????? ? ?? ?? ?電流 電壓關(guān)系（定量） dTx(max)39。金屬 氧化層 P型半導(dǎo)體 （ a）電荷關(guān)系 (max)39。39。39。39。 SDnssoxox QVC ????電流 電壓關(guān)系（定量） （ c）電勢(shì)關(guān)系 msfpoxxGS VVV ?? ???? 2（ d）能量關(guān)系 S??xV x??oxV??GSV金屬 氧化物 半導(dǎo)體 cEFiEFsEvEOXeVse?FmE)( xGS VVe ?me 39。)( ??? ?????smms 39。[39。(m a x)39。gsTCgdTCG??gsVDgsmVgdsrS??gsVgsTCGD小信號(hào)等效電路 gsmVgLRS??gsVgsTCG DgdTC??dViI dI)( dgsg d Tgsg s Ti VVCjVCjI ??? ?? 0)( ????gsdgdTgsmLd VVCjVgRV ?柵極： 漏極： gsgdTLLmgdTg s Ti VCRjRgCCjI?????????????????????? 11???????????gdTLLmgdTM CRjRgCC?11gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dI頻率限制因素與截止頻率 輸入電流： 截止頻率： gsMg s Ti VCCjI )( ?? ?gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dIgsmd VgI ?gsMgs Tmid VCCjgII)( ?? ?輸出電流： 電流增益： GmMgs TmT CgCCgf?? 2)(2 ???gsgdTLLmd VCRjRgV?????????????111電壓增益： 22)(L
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