mos場效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)-wenkub
2023-05-21 19:00:24 本頁面
【正文】 EvEOXeVse?mssOXG VV ?? ???mssOXV ?? ??? 00FmEGV 平帶電壓 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 cEFiEFEvEmssOXG VV ?? ???金屬 氧化物 半導(dǎo)體 mQ39。 ?? ssm OXssOXmOX CQCQV 39。ssQ39。 ??金屬 氧化物 p型半導(dǎo)體 cEFiEFEvEse?dTxdTaSD xeNQ ?( m a x )39。(m a x)39。(m a x)39。( )/l n (239。 ?dx39。Q?39。dQdTx39。dQSDOXde pl CCC 39。OXOXac c tC??39。理想 CV特性 OXOXOX tC??39。FBV 0 TVmin39。堆積 耗盡 中反型 強反型 dTsOXOXOXxtC?????m in39。FBC39。CSDC39。Q?39。Q? 39。CGVOXC39。min39。)()( ??????????? ? ?? ?? ?電流 電壓關(guān)系（定量） dTx(max)39。金屬 氧化層 P型半導(dǎo)體 （ a）電荷關(guān)系 (max)39。39。39。39。 SDnssoxox QVC ????電流 電壓關(guān)系（定量） （ c）電勢關(guān)系 msfpoxxGS VVV ?? ???? 2（ d）能量關(guān)系 S??xV x??oxV??GSV金屬 氧化物 半導(dǎo)體 cEFiEFsEvEOXeVse?FmE)( xGS VVe ?me 39。)( ??? ?????smms 39。[39。(m a x)39。gsTCgdTCG??gsVDgsmVgdsrS??gsVgsTCGD小信號等效電路 gsmVgLRS??gsVgsTCG DgdTC??dViI dI)( dgsg d Tgsg s Ti VVCjVCjI ??? ?? 0)( ????gsdgdTgsmLd VVCjVgRV ?柵極： 漏極： gsgdTLLmgdTg s Ti VCRjRgCCjI?????????????????????? 11???????????gdTLLmgdTM CRjRgCC?11gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dI頻率限制因素與截止頻率 輸入電流： 截止頻率： gsMg s Ti VCCjI )( ?? ?gsmVgLRS??gsVgsTCG DMC??dViI dIgsmd VgI ?gsMgs Tmid VCCjgII)( ?? ?輸出電流： 電流增益： GmMgs TmT CgCCgf?? 2)(2 ???gsgdTLLmd VCRjRgV?????????????111電壓增益： 22)(L
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