mos場效應(yīng)晶體管(2)-wenkub
2023-05-21 19:00:23 本頁面
【正文】 管 VT＝ 2V，VGS=6V， VDS=0時的溝道情況。但是，總的來講，溝道的厚度比氧化層厚度小得多。 可調(diào)電阻區(qū) /飽和區(qū) /擊穿區(qū) 當漏－源電壓 VDS相對于柵極電壓較小時，在源和漏之間存在一個連續(xù)的 N型溝道。 輸入加在柵極 G及源極 S之間，輸出端為漏極 D與源極 S。 輸出特性曲線 通過 MOSFET的漏－源電流 IDS與加在漏－源極間的電壓 VDS之間的關(guān)系曲線即為輸出特性曲線。 5．自隔離 由 MOS晶體管構(gòu)成的集成電路可以達到很高的集成密度，因為MOS晶體管之間能自動隔離。通常， MOSFET的直流輸入阻抗可以大于 1014歐。與雙極型晶體管相比，顯然有很大不同，對于雙極型晶體管，如果交換發(fā)射極與集電極，晶體管的增益將明顯下降。 2．單極性 在 MOS晶體管中參與導電的只是一種類型的載流子，這與雙極型晶體管相比也顯著不同。 4．電壓控制 MOSFET是一種電壓控制器件。一個 MOS晶體管的漏，由于背靠背二極管的作用，自然地與其他晶體管的漏或源隔離。 這時加在柵極上的電壓作為參變量。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 對于 N溝道增強型管， VDS為正電壓， VGS也是正電壓。此溝道的長度 L不變，寬度 W也不變。由此可見，此時的溝道區(qū)呈現(xiàn)電阻特性，電流 IDS與 VDS基本上是線性關(guān)系。此時溝道中各點電位相同，因此溝道厚度各處相同， IDS＝ 0。當 VDS＝ 4V時，漏端處VGSVDS=VT。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 飽和工作區(qū) 當 VDS繼續(xù)增大，使 VDSVGSVT時，溝道夾斷點從漏端向左面源端移動。 若 VDS再增大，只是使夾斷區(qū)增大。 但當溝道長度 L不滿足大大于夾斷區(qū) AB段長度(短溝道 )時，夾斷區(qū)對溝道長度縮短的影響不能忽略，從而對電流的影響也不可以忽略，可見飽和工作區(qū)中， IDS會隨 VDS增大而增加，這就是所謂的溝道長度調(diào)變效應(yīng)。 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 可以用相似的方法討論 N溝道耗盡型， P溝道增強型， P溝道耗盡型 MOSFET的輸出特性曲線，它們分別如圖 812（ b） ~（ d）所示。我們將 IDSS與 VGS之間的關(guān)系曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。 VDS稍大時，IDS上升變慢，特性曲線彎曲，如圖所示。 單位：電導（ 1/Ω），常用西門子（ S）表示。 N溝道 MOSFET ? ?TGSinM VVLCCf ?? 2OX2 ??P溝道 MOSFET ? ?TGSiPM VVLCCf ?? 2OX2 ??微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： t VIN VGS t t VDS IDS 10% 90% 10% td tr 90% 90% 10% ts tf VIN VOUT D S G 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 小尺寸 MOS器件 ? 短溝道效應(yīng) :閾值電壓下降 ? 窄溝道效應(yīng) :閾值電壓增加 P襯底 L S G D N+ N+ B 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257 mail： 4. MOSFET的應(yīng)用 ? MOS反相器： MOS開關(guān)電路 反相器的含義： 微電子專業(yè)核心課程 教師：余菲 電話： 13510269257
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1