mos二極管ppt課件(2)(已修改)
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【正文】 2022/6/2 1 實(shí)際 MOS的平帶電壓及CV特性 2022/6/2 2 功函數(shù)差的影響 2022/6/2 3 qVox q?s ? ? ? ?smsmFBfpgmsoxsfpgoxmVEVqEV???????????????????????????????????39。39。39。39。39。39。)2(22022/6/2 4 39。mq?39。sq?Ev Ec 平帶時(shí)的能帶圖 由于功函數(shù)的不同，在沒(méi)有外加偏壓的時(shí)候，在半導(dǎo)體表面就存在表面勢(shì) 。因此，欲使能帶平直，即除去功函數(shù)差所帶來(lái)的影響，就必須在金屬電極上加電壓。這個(gè)電壓一部分用來(lái)拉平二氧化硅的能帶，一部分用來(lái)拉平半導(dǎo)體的能帶，使 ?s ＝ 0。因此稱 VFB其為平帶電壓。 smmsFBV ??? ???S?39。mq?2022/6/2 5 氧化物電荷及其對(duì) CV特性的影響 2022/6/2 6 氧化物電荷 2022/6/2 7 界面陷阱電荷 （ interface trapped charge） 硅 （ 100） 面 ， 約 ， 硅 （ 111） 面 ， 約 。 氧化物固定電荷 （ fixed oxide charge） 位于 界面約 3nm的范圍內(nèi) ， 這些電荷是固定的 ， 正的 。 （ 100） 面 ， 約為 ， （ 111） 面 ， 約為 ， 因?yàn)椋?100） 面的 和
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