mos二極管ppt課件(2)-在線瀏覽
2025-06-22 18:16本頁面
【正文】 ， 硅 （ 111） 面 ， 約 。 （ 100） 面 ， 約為 ， （ 111） 面 ， 約為 ， 因?yàn)椋?100） 面的 和 較低 ， 故硅 MOSFET一般采用（ 100） 晶面 。 可動離子電荷 （ mobile ionic charge） 諸如鈉離子和其它堿金屬離子 ， 在高溫和高壓下工作時 ， 它們能在氧化層內(nèi)移動 。 ? ?dxxxxQxS ???00002022/6/2 12 實(shí)際的 MOS閾值電壓和 CV曲線 平帶電壓 閾值電壓 第一項(xiàng)是 ， 為消除半導(dǎo)體和金屬的功函數(shù)差的影響 ， 金屬電極相對于半導(dǎo)體所需要加的外加電壓； 第二項(xiàng)是為了把絕緣層中正電荷發(fā)出的電力線全部吸引到金屬電極一側(cè)所需要加的外加電壓； 第三項(xiàng)是支撐出現(xiàn)強(qiáng)反型時的體電荷 所需要的外加電壓； 第四項(xiàng)是開始出現(xiàn)強(qiáng)反型層時 ， 半導(dǎo)體表面所需的表面勢 。 B：加 10V正偏壓 ， 在 127?C， 30min后測試結(jié)果 C：加 10V正負(fù)偏壓 ， 在 127?C， 30min后測試結(jié)果 2022/6/2 19 例題 ? P型硅襯底 MOS結(jié)構(gòu)，襯底摻雜濃度為Na=1014， 氧化層厚度為 tox=500197。 2022/6/2 21 例題： P型襯底， Na＝ 1014cm3， 氧化層厚度500197。求閾值電壓 VT， 畫出能帶圖 ,氧化層上壓降是多少？ 2022/6/2 22 2022/6/2 23 ? 理想的低頻 CV在強(qiáng)積累和強(qiáng)反型的電容值等于柵
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1