晶體管結(jié)構(gòu)與工作原理-資料下載頁(yè)

【摘要】晶體三極管知識(shí)晶體三極管作為重要的半導(dǎo)體器件，其基本結(jié)構(gòu)和工作原理需要掌握。下面具體介紹。三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個(gè)反向連結(jié)的pn接面，如圖1所示，可有pnp和npn兩種組合。三個(gè)接出來的端點(diǎn)依序稱為射極（emitter,E）、基極（base,B）和集極（collector,C），名稱來源和它們?cè)谌龢O管操作時(shí)的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的

2025-06-24 12:36

mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2)-資料下載頁(yè)

【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師：余菲第4章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管教師：余菲電子郵件：

2025-05-10 19:00

雙極型晶體管的直流白底-資料下載頁(yè)

【摘要】1第二章雙極型晶體管的直流特性晶體管分類：?結(jié)型晶體管又稱雙極型晶體管（BipolarJunctionTransistor-BJT）?場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor-FET)又稱單極型晶體管(U

2025-04-29 04:53

三極晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料-資料下載頁(yè)

【摘要】2022/8/311晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料2022/8/312主要內(nèi)容一、芯片介紹：二、芯片制程簡(jiǎn)介：三、芯片參數(shù)介紹：四、晶體管參數(shù)詳解：2022/8/313一、芯片介紹：目前芯片主要有以下幾類：1.二極管芯片；2.三極管芯片；3.可控硅芯片；2022/8/314

2025-08-16 01:05

[精選]晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)-資料下載頁(yè)

【摘要】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)VLSIC是高度復(fù)雜的集成系統(tǒng)，為保證設(shè)計(jì)的正確性并且降低設(shè)計(jì)難度，提高設(shè)計(jì)效率，避免由于在版圖設(shè)計(jì)過程中采用復(fù)雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素，因此，在VLSI的設(shè)計(jì)技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu)，晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)就是其中之一。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對(duì)。晶體管陣列及其邏輯

2025-02-22 23:42

tektronix572型晶體管特性圖示儀-資料下載頁(yè)

【摘要】Tektronix572型晶體管特性圖示儀Tektronix572型晶體管特性圖示儀陰極射線管電源開關(guān)集電極電源垂直部分顯示方式水平部分基極階梯信號(hào)測(cè)試臺(tái)部分集電極電源(COLLECTORSUPPLY)?極性選擇(POL/INV)按鈕：選擇集電極電壓正或負(fù)極性的。彈出為正，

2025-07-17 17:28

常用測(cè)試儀器的使用-資料下載頁(yè)

【摘要】常用測(cè)試儀器的使用HikeenTechnology(ShenZhen)Co.,Ltd.Linx2021-05-182021/6/17HikeenTechnologyCO.,LTD2TG39介紹2021/6/17HikeenTechnologyCO.,LTD3TG39輸出信號(hào)2

2025-05-15 03:21

晶體管的頻率特性與功率特性-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體器件物理第四章晶體管的頻率特性和功率特性半導(dǎo)體器件物理晶體管的頻率特性與功率特性第4章晶體管的頻率特性高頻等效電路高頻功率增益和最高振蕩頻率晶體管的大電流特性晶體管的最大耗散功率PCm和熱阻RT功率晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū)高頻大功率晶體管的圖形結(jié)構(gòu)

2025-05-09 00:30

晶體管β值測(cè)量電路設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)

【摘要】武漢理工大學(xué)《晶體管器件》課程設(shè)計(jì)說明書摘要三極管放大倍數(shù)β值測(cè)量電路的功能是利用三極管的電流分配特性，將放大倍數(shù)β值的測(cè)量轉(zhuǎn)化為對(duì)三極管電流的測(cè)量，同時(shí)實(shí)現(xiàn)用發(fā)光二極管顯示出被測(cè)三極管的放大倍數(shù)β值。電源電路的功能是為上述所有電路提供直流電源。本晶體管β值測(cè)量電路主要由電源電路、I/V轉(zhuǎn)換電路、電壓比較電路、放大電路和顯示電路（LED）6部分構(gòu)成。經(jīng)ORCAD仿真和實(shí)際操作，初步實(shí)

2025-06-30 02:10

晶體管放大電路實(shí)驗(yàn)報(bào)告-資料下載頁(yè)

【摘要】電子電路綜合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)三晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告信息與通信工程學(xué)院摘要：簡(jiǎn)易晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路由三極管類型判別電路，三極管放大倍數(shù)檔位判別電路，顯示電路，報(bào)警電路和電源電路五部分構(gòu)成。三極管有電流放大功能，當(dāng)放大后的電流大小不同時(shí)，三極管的集電極電壓也不同。一般

2025-08-16 17:52

emi測(cè)試儀器簡(jiǎn)述ppt課件-資料下載頁(yè)

【摘要】EMI測(cè)試儀器簡(jiǎn)述參考標(biāo)準(zhǔn)CISPR16-1-1/-2/-3/-4CISPR16系列標(biāo)準(zhǔn)介紹EMI測(cè)試儀器協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)16：無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備和測(cè)量方法規(guī)范16-1-1:無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備測(cè)量設(shè)備16-1-2:無(wú)線電騷擾和抗擾度測(cè)量設(shè)備輔助設(shè)備傳導(dǎo)

2025-05-05 12:11

晶體管高頻小信號(hào)等效電路與參數(shù)-資料下載頁(yè)

【摘要】封面西藏·圣湖瑪旁雍錯(cuò)湖畔牧場(chǎng)返回引言本頁(yè)完引言晶體管在高頻小信號(hào)運(yùn)用時(shí)，它的等效電路主要有兩種形式：形式等效電路和物理模擬等效電路（混合π參數(shù)等效電路）。返回形式等效電路通常亦稱為y參數(shù)等效電路，是選取輸入電壓和輸出電壓為自變量，輸入電流和輸出電流為參變量，阻

2025-05-13 00:49

晶體管放大電路與簡(jiǎn)單有線電報(bào)系統(tǒng)-資料下載頁(yè)

【摘要】學(xué)生電子設(shè)計(jì)講座晶體管放大電路與簡(jiǎn)單有線電報(bào)系統(tǒng)制作一：晶體管放大電路一、設(shè)計(jì)要求1、輸入信號(hào)（麥克風(fēng)或信號(hào)發(fā)生器）2、輸出信號(hào)（驅(qū)動(dòng)耳機(jī)）3、無(wú)明顯失真限晶體管放大用晶體管設(shè)計(jì)功放小信號(hào)放大功率放大晶體管放大電路一、設(shè)計(jì)要求限晶體管放大用晶體

2025-05-12 19:05

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的補(bǔ)充ii-資料下載頁(yè)

【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù)，主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)?；綜MOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴先進(jìn)CMOS器件的

2025-05-03 08:13

[工學(xué)]第三講雙極型晶體管-資料下載頁(yè)

【摘要】§雙極型晶體三極管BJT雙極型三極管：BipolarJunctionTransistor只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電.三極管有兩種極性的載流子參與導(dǎo)電.單極型三極管(場(chǎng)效應(yīng)管)：FieldEffectTransistor按工作頻率分：高頻管、低頻管按功率分：小、中、大功率管按材料分：硅管、

2025-01-19 12:11

晶體管測(cè)試儀器知識(shí)(編輯修改稿)

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晶體管測(cè)試儀器知識(shí)(參考版)