第3章場效應管及其基本放大電路(編輯修改稿)
2024-10-22 19:08 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 子 技 術(shù) 3）預夾斷 (UGD = UGS(th))： 漏極附近反型層消失。 2）預夾斷發(fā)生之前： uDS? ， iD?。 4）預夾斷發(fā)生之后： uDS? ， iD 不變。 UDS和 UGS共同作用對導電溝道的影響 結(jié)論： 1） UDS對導電溝道的影響 ——使溝道不再平行而是變?yōu)樾ㄐ汀? 模 擬 電 子 技 術(shù) 3. 轉(zhuǎn)移特性曲線 DS)( GSD Uufi ?2 4 6 4 3 2 1 uGS /V iD /mA UDS = 10 V UGS (th) 當 uGS UGS(th) 時： 2G S ( t h )GSDOD )1( ??UuIiuGS = 2UGS(th) 時的 iD 值 開啟電壓 O 模 擬 電 子 技 術(shù) 4. 輸出特性曲線 GS)( DSD Uufi ?可變電阻區(qū) uDS uGS ? UGS(th) uDS?? iD ?，直到預夾斷 飽和 (放大區(qū) ) uDS?， iD 不變 ?uDS 加在耗盡層上，溝道電阻不變 截止區(qū) uGS ? UGS(th) ，導電溝道未形成， 全夾斷 iD = 0 iD /mA uDS /V uGS = 2 V 4 V 6 V 8 V 截止區(qū) 飽和區(qū) 可 變 電 阻 區(qū) 放大區(qū) 恒流區(qū)O 曲線間隔均勻， uGS對 iD控制能力強。 uDS對 iD的控制能力弱，曲線平坦。 UGS不同，曲線的斜率不同，rDS也不相同。通過控制 UGS，就可以 得到需要的電阻。 模 擬 電 子 技 術(shù) 二、耗盡型 N 溝道 MOSFET(Depletion NMOSFET) S G D B Sio2 絕緣層中摻入正離子在 uGS = 0 時已形成溝道；在 DS 間加正電壓時形成 iD 這種器件在制造過程中，在柵極下面的 SiO2絕緣層中摻入了大量堿金屬正離子(如 Na++或 K++)，這些正離子的作用如同加正柵壓一樣，在 P型襯底表面產(chǎn)生垂直于襯底的自建電場，排斥空穴，吸引電子，從而形成表面導電溝道，稱為原始導電溝道。 模 擬 電 子 技 術(shù) ? 當 UGS ＞ 0，由于絕緣層的存在，并不會產(chǎn)生柵極電流 iG，而是在溝道中感應出更多的負電荷，使溝道變寬。在 UDS作用下， iD將具有更大的數(shù)值。 ? 如果所加的柵源電壓 ugs為負，則使溝道中感應的負電荷減少，溝道變窄，從而使漏極電流減小。當 ugs為負電壓到達某值時，以致感應的負電荷消失，耗盡層擴展到整個溝道，溝道完全被夾斷。這時即使有漏源電壓，也不會有漏極電流。 模 擬 電 子 技 術(shù) 輸出特性 uGS /V iD /mA 轉(zhuǎn)移特性 IDSS UGS(off) 夾斷 電壓 飽和漏 極電流 當 uGS ? UGS(off) 時， 2( o f f ))1(GSGSD S SD UuIi ??uDS /V iD /mA uGS = ? 4 V ? 2 V 0 V 2 V O O 模 擬 電 子 技 術(shù) 三、 P 溝道 MOSFET 增強型 耗盡型 S G D B S G D B 模 擬 電 子 技 術(shù) N 溝道 增強型 S G D B iD P 溝道 增強型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA UGS(th) S G D B iD
電大資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1