華中科技大學模擬電子技術(shù)第05章場效應管放大電路(編輯修改稿)
2025-05-26 04:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 一、直流參數(shù)NMOS增強型1. 開啟電壓 VT （ 增強型參數(shù)）2. 夾斷電壓 VP （ 耗盡型參數(shù)）3. 飽和漏電流 IDSS （ 耗盡型參數(shù)）4. 直流輸入電阻 RGS （ 109Ω～ 1015Ω ）二、交流參數(shù) 1. 輸出電阻 rds 當不考慮溝道調(diào)制效應時， ?＝ 0， rds→∞ MOSFET的主要參數(shù)2. 低頻互導 gm 二、交流參數(shù) 考慮到 則其中 MOSFET的主要參數(shù)end三、極限參數(shù) 1. 最大漏極電流 IDM 2. 最大耗散功率 PDM 3. 最大漏源電壓 V（ BR） DS 4. 最大柵源電壓 V（ BR） GS MOSFET放大電路 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算2. 圖解分析3. 小信號模型分析* 帶 PMOS負載的 NMOS放大電路 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（ 1） 簡單的共源極放大電路 （ N溝道）共源極放大電路 直流通路 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（ 1） 簡單的共源極放大電路 （ N溝道）假設工作在飽和區(qū)，即驗證是否滿足如果不滿足，則說明假設錯誤須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū)再假設工作在可變電阻區(qū)即假設工作在飽和區(qū)滿足 假設成立，結(jié)果即為所求。解：例： 設 Rg1=60k?， Rg2=40k?， Rd=15k?，試計算電路的靜態(tài)漏極電流 IDQ和漏源電壓 VDSQ 。VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算（ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路飽和區(qū)需要驗證是否滿足 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算靜態(tài)時， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I電流源偏置 VS ＝ VG － VGS （飽和區(qū)） MOSFET放大電路2.
黨政相關相關推薦
鄂ICP備17016276號-1