[工程科技]模電課件ch05場效應(yīng)管放大電路(編輯修改稿)
2025-03-17 00:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 2. 圖解分析 3. 小信號模型分析 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） 直流通路 共源極放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設(shè)工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說明假設(shè)錯誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設(shè)工作在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2假設(shè)工作在飽和區(qū) 滿足 )(TGSDS VVV ??假設(shè)成立 ， 結(jié)果即為所求 。 解： V2V54060 40 DDg2g1g2G S Q ?????????????? VRRRV)12)(()( 22TGSnDQ ????? VVKIV2V)]15)((5[dDDDD S Q ????? RIVV例： 設(shè) Rg1=60k?， Rg2=40k?， Rd=15k?， 220 V/ ?K試計算電路的靜態(tài)漏極電流 IDQ和漏源電壓 VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗證是否滿足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)(2 dDDDDS RRIVV ???])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點的計算 靜態(tài)時 ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負(fù)載開路，交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同 MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動態(tài)值 （交流） 非線性失真項 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時， DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ??gsmd vgi ???0時 高頻小信號模型 3. 小信號模型分析 解：例 求得： ?I V2G SQ ?V S Q ?VV/mA1 V/mA)12( )(2 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 3. 小信號模型分析
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