模擬電子技術(shù)第1章33場效應(yīng)管fv0403周一12節(jié)(編輯修改稿)
2025-03-28 23:34 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 型 反偏壓工作： 當(dāng) υ GS=0時，存在導(dǎo)電溝道，即 iD≠0 。 二、絕緣柵型場效應(yīng)管 ? ?thGST UV 或 )()1( 2 TGSTGSDOD VVIi ??? ?? 如果在制造 MOS管時，在 SiO2絕緣層中摻人大量正離子，那么即使 υGS=0，在正離子作用下 P型襯底表層也存在反型層，即漏 — 源之間存在導(dǎo)電溝道，只要在漏 — 源間加正向電壓，就會產(chǎn)生漏極電流，并且 υGS為正時，反型層變寬，溝道電阻變小， iD增大；反之， υGS為負(fù)時，反型層變窄，溝道電阻變大， iD減小。而當(dāng) υGS從零減小到一定值時，反型層消失，漏 — 源之間導(dǎo)電溝道消失， iD =0。此時的 υGS稱為夾斷電壓 。 與 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同， N溝道牦盡型 MOS管的夾斷電壓也為負(fù)值。但是，前者只能在 υGS 0的情況下工作，而后者的 υGS可以在正、負(fù)值的一定范圍內(nèi)實現(xiàn)對 iD的控制，且仍保持柵 — 源間有非常大的絕緣電阻。 （ 1） 夾斷電壓 UGS(off) ： 為某一固定值（一般為10V）， 使 等于一個微小的電流（一般為 5μA ） 時，柵源之間之間所加的電壓。 DS?Di三、 FET的主要參數(shù) （ 2） 開啟電壓 UGS(th) ： 為某一固定值（一般為10V）， 使 大于零電流（一般為 5μA ） 時，柵源之間之間所加的最小電壓。 DS?Di （ 3） 飽和漏電流 IDSS ： 對于耗盡型管子，在 的情況下產(chǎn)生預(yù)夾斷時的漏極電流。它是該管子所能輸出的最大電流。 通常令 υ DS=10V， υ GS=0V 時測出的漏極電流為飽和漏電流。 0?GS?（ 4） 最大漏源電壓 ：它是指 PN結(jié)發(fā)生擊穿、 開始急劇上升時的 值。它與 有關(guān)。 越負(fù)， 越小。 ? ?DSBRVDiDS? GS?GS??
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