模擬電子技術(shù)第1章33場(chǎng)效應(yīng)管fv0403周一12節(jié)-文庫(kù)吧資料
2025-03-14 23:34本頁(yè)面
【正文】 ? ?DSBRVDiDS? GS?GS?? ?DSBRV （ 5） 最大柵源電壓 ：是指輸入 PN結(jié)反向電流開(kāi)始急劇增加時(shí)的 。它與 有關(guān)。 通常令 υ DS=10V， υ GS=0V 時(shí)測(cè)出的漏極電流為飽和漏電流。 DS?Di （ 3） 飽和漏電流 IDSS ： 對(duì)于耗盡型管子，在 的情況下產(chǎn)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。 （ 1） 夾斷電壓 UGS(off) ： 為某一固定值（一般為10V）， 使 等于一個(gè)微小的電流（一般為 5μA ） 時(shí)，柵源之間之間所加的電壓。 與 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同， N溝道牦盡型 MOS管的夾斷電壓也為負(fù)值。而當(dāng) υGS從零減小到一定值時(shí)，反型層消失，漏 — 源之間導(dǎo)電溝道消失， iD =0。 耗盡型 反偏壓工作： 當(dāng) υ GS=0時(shí)，存在導(dǎo)電溝道，即 iD≠0 。 當(dāng)管子工作在恒流區(qū)時(shí) ， 由于 對(duì) 的影響很小 ， 所以不同的 所對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線基本上重合在一起 。 0?Gi Di GS?Di DS? Di ?固定 柵源電壓 VGS，漏極電流 ID與漏源電壓 VDS之間的關(guān)系曲線。 DS? DiDSSI （ 3） g、 s間加負(fù)電壓， d、 S間加正電壓的情況： （ 1） JFET柵極和溝道間的 PN結(jié)是反偏的 ， 因此其 ， 輸入電阻很高； （ 2） JFET是 電壓控制電流器件 ， 受 控制 。 當(dāng) 再增加時(shí)，耗盡區(qū)沿溝道加長(zhǎng)它們的接觸部分，這時(shí) 略有增加但基本恒定。 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)束 （ 1） d、 s間短路，在 g、 s間加反向電壓時(shí)的情況 夾斷電壓 UGS(off) （ 或 VP)： 當(dāng) 增加到某一電壓 UGS(off)時(shí)，兩側(cè)耗盡層將在中間合龍，溝道被夾斷， d、 s之間的電阻趨向無(wú)窮大。
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