模擬電子技術(shù)第五章場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路-文庫(kù)吧資料
2025-01-02 05:24本頁(yè)面
【正文】 2. vGS0 vDS 0 感應(yīng)電荷增多漏源間形成導(dǎo)電溝道變寬漏極電流iD增大(1. 輸出特性 2. 轉(zhuǎn)移特性 )三、特性曲線 P溝道 MOSFET一、符號(hào)二、特性曲線vGSVT可變電阻區(qū)飽和區(qū) 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)絕 緣 柵 場(chǎng) 效 應(yīng) 管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型 MOSFET的主要參數(shù)一、直流參數(shù) RGS 在漏源短路的情況下，柵源間加一定電壓時(shí)的柵極直流電阻，約為 109～ 1015Ω。轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性與漏極特性間的關(guān)系① 在漏極特性上 ,對(duì)應(yīng)某一 vDS,作一垂直線；② 該垂線與各漏極特性相交得到一組交點(diǎn)；③ 由各交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的 vGS 和 iD值可畫(huà)出對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性。由于預(yù)夾斷區(qū)呈現(xiàn)高阻，而未夾斷溝道部分為低阻，因此， VDS增加的部分基本上降落在該夾斷區(qū)內(nèi)，而溝道中的電場(chǎng)力基本不變，漂移電流基本不變，所以，從漏端溝道出現(xiàn)預(yù)夾斷點(diǎn)開(kāi)始， ID基本不隨VDS增加而變化。源區(qū)的自由電子在 VDS電場(chǎng)力的作用下，仍能沿著溝道向漏端漂移，一旦到達(dá)預(yù)夾斷區(qū)的邊界處，就能被預(yù)夾斷區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)力掃至漏區(qū)，形成漏極電流。A 當(dāng) VDS為 0或較小時(shí) ， VGD＞VT， 此時(shí) VDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布?？梢?jiàn)，在VDS作用下導(dǎo)電溝道的深度是不均勻的，溝道呈錐形分布。I D② 漏源電壓 VDS對(duì)溝道導(dǎo)電能力的影響 當(dāng) VGS＞ VT且固定為某值的情況下， 若給漏源間加正電壓 VDS則源區(qū)的自由電子將沿著溝道漂移到漏區(qū)，形成漏極電流 ID， 當(dāng) ID從 D ? S流過(guò)溝道時(shí)，沿途會(huì)產(chǎn)生壓降，進(jìn)而導(dǎo)致沿著溝道長(zhǎng)度上柵極與溝道間的電壓分布不均勻 。 當(dāng) VGS＞ VT時(shí)， 襯底中的電子進(jìn)一步被吸至柵極下方的 P型襯底表層，使襯底表層中的自由電子數(shù)量大于空穴數(shù)量，該薄層轉(zhuǎn)換為 N型半導(dǎo)體，稱(chēng)此為 反型層 。 VGS值越大，溝道內(nèi)自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣 VDS 電壓作用下， I D 越大。 把 開(kāi)始形成 反型層的 VGS值 稱(chēng)為該管的 開(kāi)啟電壓 VT。漏源間仍無(wú)載流子的通道。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（MOS）場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET MOSFET的主要參數(shù) N溝道耗盡型 MOSFET P溝道 MOSFET 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)耗盡型 ：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，就有導(dǎo)電溝道存在增強(qiáng)型 ：場(chǎng)效應(yīng)管沒(méi)有加偏置電壓時(shí)，沒(méi)有導(dǎo)電溝道場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)： N溝道增強(qiáng)型 MOSFET1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道） L ：溝道長(zhǎng)度 W ：溝道寬度 tox ：絕緣層厚度通常 W L （ 動(dòng)畫(huà) 23） N溝道增強(qiáng)型 MOSFET剖面圖1. 結(jié)構(gòu) （ N溝道）符號(hào)二、 工作原理① 柵源電壓 VGS的控制作用
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