模擬電子技術(shù)第1章33場效應(yīng)管fv0403周一12節(jié)(參考版)
2025-03-12 23:34本頁面
【正文】 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 共射極放大電路是反向電壓放大器，共集電極放大電路是電壓跟隨器，共基極放大電路是電流放大器。 nOSOnISIF PP PPN ?? 輸出端信號噪聲比輸入端信號噪聲比 晶體管放大電路有三種基本放大電路，分別為共射極、共集電極、共基極放大電路。 FET和 BJT都可以構(gòu)成集成電路，但由于 FET集成工藝簡單，且具有耗電省、工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因此 FET越來越多地應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路之中。 FET的漏極和源極可以互換使用， BJT的發(fā)射極和集電極不可以互換。 五、 FET和 BJT的比較 FET的噪聲系數(shù)很小，所以低噪聲放大器的輸入級和要求信噪比較高的電路應(yīng)選用 FET。所以 FET的溫度穩(wěn)定性比 BJT好、抗輻射能力強(qiáng)。 ★ 要求輸入電阻高的電路應(yīng)選擇 FET； 若信號源可以提供一定的電流，則可選用 BJT。 四、使用 FET的注意事項 FET是用柵源電壓來控制漏極電流，柵極基本不取電流。 焊接時，電烙鐵必須有外接地線，以屏蔽交流電場，防止損壞管子。但有些產(chǎn)品出廠時將源極和襯底連在一起，這時不能互換。 DMP DiDS? DSDDM iP ??DMP 襯底引出： 在 MOS管中，有的產(chǎn)品將襯底引出可讓使用者視電路的需要任意連接。這些耗散在管子中的功率變?yōu)闊崮?，使管子溫度升高。約幾十千歐姆至幾百千歐姆。 106109 Ω GSRmgDS?（ 7） 低頻互導(dǎo)（跨導(dǎo)） ：在 等于常數(shù)時，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓的微變量之比。
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