第422場效應管及基本放大電路(編輯修改稿)
2025-06-06 22:04 本頁面
【文章內容簡介】 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 工程上取 510倍 。 直流通道及靜態(tài)工作點 Q估算 CCb2b1b2B VRRRU??IBQ=ICQ/? UCEQ = VCC ICRC IERe ICQ? IEQ=UE/Re = （ UB UBE） / Re(基本不變 ) UBE ? +VCC Rb1 RC Rb2 Re IC IE IB UCE 電容開路 ,畫出直流通路 基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 求靜態(tài)工作點 Q(放大區(qū) ) Q點： VGS 、 ID 、 VDS 1. 因為 MOSFET的柵極電流 IG為零 (反偏 )，與 G極相連的支路可看成開路。則 G極電位： VG=VGS=R2/（ R1+R2） VDD =VDDIDRD 可解出 Q點的 UGS 、 ID 、 UDS 電壓關系（放大區(qū) ?） ID=Kn（ VGSVTN） 2 Kn為 N溝道元件的電導參數(shù) (已知 )； VT— 開啟電壓。 [分析指南 ] 求 VGS， VGSVT? 假設工作在放大區(qū) ID=Kn(VGSVT)2 假設工作在電阻區(qū) ID=Kn[2(VGSVT)VDSVDS2] 工作在截止區(qū) VDSVGSVT?(預夾斷方程 ) 成立 不成立 VDSVGSVT? 成立 不成立 是 否 是 是 否 否 判斷 MOSFET電路的工作區(qū)（重點） [例 ]：計算 N溝道增強型 MOSFET共源極電路的靜態(tài)工作點 Q。 電路如圖所示。設 R1=30kΩ， R2=20k Ω， RD=20k Ω， VDD=5V， VTN=1V， Kn=。 求 VGS,ID和 VDS。 ， 解： VRR RV DDGS21
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