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第422場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路(編輯修改稿)

2025-06-06 22:04 本頁(yè)面

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 工程上取 510倍。直流通道及靜態(tài)工作點(diǎn) Q估算 CCb2b1b2B VRRRU??IBQ=ICQ/? UCEQ = VCC ICRC IERe ICQ? IEQ=UE/Re = （ UB UBE） / Re(基本不變 ) UBE ? +VCC Rb1 RC Rb2 Re IC IE IB UCE 電容開(kāi)路 ,畫(huà)出直流通路基極分壓射極偏置電路穩(wěn) Q條件： Ib1≈ Ib2﹥﹥ IB 求靜態(tài)工作點(diǎn) Q(放大區(qū) ) Q點(diǎn)： VGS 、 ID 、 VDS 1. 因?yàn)?MOSFET的柵極電流 IG為零 (反偏 )，與 G極相連的支路可看成開(kāi)路。則 G極電位： VG=VGS=R2/（ R1+R2） VDD =VDDIDRD 可解出 Q點(diǎn)的 UGS 、 ID 、 UDS 電壓關(guān)系（放大區(qū) ?） ID=Kn（ VGSVTN） 2 Kn為 N溝道元件的電導(dǎo)參數(shù) (已知 )； VT— 開(kāi)啟電壓。 [分析指南 ] 求 VGS， VGSVT? 假設(shè)工作在放大區(qū) ID=Kn(VGSVT)2 假設(shè)工作在電阻區(qū) ID=Kn[2(VGSVT)VDSVDS2] 工作在截止區(qū) VDSVGSVT?(預(yù)夾斷方程 ) 成立不成立 VDSVGSVT? 成立不成立是否是是否否判斷 MOSFET電路的工作區(qū)（重點(diǎn)） [例 ]：計(jì)算 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET共源極電路的靜態(tài)工作點(diǎn) Q。電路如圖所示。設(shè) R1=30kΩ， R2=20k Ω， RD=20k Ω， VDD=5V， VTN=1V， Kn=。求 VGS,ID和 VDS。，解： VRR RV DDGS21

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