常用半導(dǎo)體器件場效應(yīng)管及應(yīng)用(編輯修改稿)
2025-06-20 03:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 定飽和， iD只受到 UGS控制，與 UDS無關(guān)（ 壓控電流源 ）。 （ 4）完全夾斷， iD=0,相當(dāng)三極管截止。 ? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié) 是 反向偏置 的，因此 iG?0，輸入電阻 很高 。 JFET是 電壓控制 電流器件，iD受 UGS控制，溝道中只有 一種 類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以場效應(yīng)管也稱為 單極型 三極管 。 C on s tuuig????DSGSDm柵源電壓對漏極電流的 跨導(dǎo) ： FET 場效應(yīng)管 JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 N溝道 P溝道 增強型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 （ 耗盡型 ） 絕緣柵型場效應(yīng)管 (IGFET) 一、 N溝道增強型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu) 與符號 箭頭方向？中間虛線意思 ？ 金屬鋁 2. 溝道形成原理（ N溝增強型） 當(dāng)柵極正電壓時，若 0＜ VGS＜ VGS(th)時，柵極下方的 P 型半導(dǎo)體中的 空穴 向下排斥，出現(xiàn)了一 薄層 負離子的耗盡層。少子數(shù)量有限， 不足以 形成溝道，不能形成漏極電流 ID。 進一步增加 VGS， 當(dāng) VGS＞VGS(th)時 ， 在靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體表層中聚集 較多 的電子 ， 可以 形成溝道 ， 將漏極和源極溝通 。 導(dǎo)電溝道中的電子 ， 因與 P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反 ， 故稱為 反型層 N溝道增強型 MOSFET 3. 工作原理 UGS=0 UGD UGS(th) UGS UGS(th) UGD=UGS(th) UDS=0 UGSUGS(th) s d B g s d B g s d B g s d B g N+ N+ N+ N+ N+ N+ N+ P P P P 耗盡層 耗盡層 反型層 UGS 0 ID UGS(th) UDS ↑ 0 iD uGS UGS(th) 4. N溝道增強型 FET管的特 性曲線 轉(zhuǎn)移特性 曲線 iD u GS 0 輸出特性 曲線 UGS=2UGS(th) IDO UGS=UGS(th) IDO 2UGS(th) 予夾斷軌跡 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū) 恒流區(qū) N溝道 增強型 MOS管 N溝道 耗盡型 MOS管 二、 N溝道 耗盡型 MOSFET 虛線表示初試無溝道 摻入正離子 N溝道 耗盡型 FET管的特性曲線 耗盡型的 MOS管 UGS=
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