【總結(jié)】低頻單管放大電路劉永剛實(shí)驗(yàn)?zāi)康?學(xué)會(huì)放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)試方法,分析靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)放大器性能的影響。?掌握放大器電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻及最大不失真輸出電壓的測(cè)試方法。?熟悉常用電子儀器及模擬電路實(shí)驗(yàn)設(shè)備的使用。實(shí)驗(yàn)重點(diǎn):學(xué)會(huì)放大電路基本調(diào)試和測(cè)試方法,掌握電子電路技術(shù)指標(biāo)的檢測(cè)
2024-08-02 22:59
【總結(jié)】結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效管應(yīng)用原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管第三章場(chǎng)效應(yīng)管本章重點(diǎn)1.了解場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu),理解其工作原理。2.掌握?qǐng)鲂?yīng)管的符號(hào)、伏安特性和工作特點(diǎn)。3.理解掌握?qǐng)鲂?yīng)管放大電路的分析方法。場(chǎng)效應(yīng)管(FET):是另一種具有正向受控作用的半導(dǎo)體器件。它是一種依靠電場(chǎng)效應(yīng)
2024-08-14 10:54
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。這種器件不僅兼有體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)和省電的特點(diǎn),而且還有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為兩大類(lèi)。(1)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)(2)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
2025-01-02 09:24
【總結(jié)】集成運(yùn)算放大器是一種高增益的多級(jí)直接耦合放大電路。本章主要介紹集成運(yùn)放內(nèi)部電路的一般組成、電流源電路、差動(dòng)放大電路的基本工作原理,以及集成運(yùn)放的主要技術(shù)性能指標(biāo)。集成運(yùn)放內(nèi)部電路具有以下特點(diǎn)1級(jí)間采用直接耦合方式。2盡可能地用有源器件代替無(wú)源器件,利用晶體管代替較大的電阻。3盡量采用對(duì)稱(chēng)性電路結(jié)構(gòu),保證器件參數(shù)的一致性,提高電
2025-01-02 09:12
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)類(lèi)型:結(jié)型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)絕緣柵型IGFET(InsulatedGateFET)場(chǎng)效應(yīng)管利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小。?用柵極電位控制電流大小(類(lèi)似電子管)?只有一種
2025-03-10 23:34
【總結(jié)】??結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理??絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理??場(chǎng)效應(yīng)管3/8/2023作業(yè)?1-14?1-15?1-163/8/2023?場(chǎng)效應(yīng)管出現(xiàn)的歷史背景?場(chǎng)效應(yīng)管的用途?場(chǎng)效應(yīng)管的學(xué)習(xí)方法?場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)第一節(jié)場(chǎng)效應(yīng)管概述3/8/2023
2025-01-02 09:04
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi):(電場(chǎng)效應(yīng),單
2025-02-21 10:49
【總結(jié)】§恒流源電路恒流源電路:提供恒定電流的電路。作用:有源負(fù)載、恒流偏置、基準(zhǔn)電流等恒流源電路的要求:?I0對(duì)應(yīng)用環(huán)境變化不敏感?I0對(duì)負(fù)載信號(hào)和電壓變化不敏感1T2ToI2CI1CI1BI2BI鏡像電流源1212BBCCIIII??則:,)21(222
2025-01-02 09:02
【總結(jié)】第五章放大電路的頻率響應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型場(chǎng)效應(yīng)管各極之間存在極間電容,其高頻等效模型如下:一般情況下,rgs和rds比外接電阻大得多,可認(rèn)為是開(kāi)路。Cgd可進(jìn)行等效變化,使電路單向化。第五章放大電路的頻率響應(yīng)Cgd等效變化:g-s之間的等效電容為d-s之間的等效電容為)(1Lmgdds
2025-06-12 18:26
【總結(jié)】場(chǎng)效應(yīng)管概述場(chǎng)效應(yīng)管是繼三極管之后發(fā)展起來(lái)的另一類(lèi)具有放大作用的半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單,在集成電路中占有重要地位。本章講述場(chǎng)效應(yīng)管的類(lèi)型、工作原理、特性及其三組態(tài)電路等基本知識(shí)。第四章場(chǎng)效應(yīng)管及基本放大電路學(xué)習(xí)方法:學(xué)習(xí)本章內(nèi)容時(shí),應(yīng)特別注意
2025-04-22 22:04
【總結(jié)】實(shí)驗(yàn)三場(chǎng)效應(yīng)管放大電路班級(jí):姓名:學(xué)號(hào):一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.了解結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的性能和特點(diǎn)。2.學(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試方法。二、實(shí)驗(yàn)儀器及器件儀器及器件名稱(chēng)型號(hào)數(shù)量+12V直流穩(wěn)壓電源DP8321函數(shù)信號(hào)發(fā)生器DG41021示波器MSO2000
2024-07-30 07:11
2025-05-15 00:20
【總結(jié)】1第3章集成運(yùn)算放大器?差動(dòng)放大器?集成運(yùn)算放大器?集成運(yùn)算放大器的基本運(yùn)算電路2集成運(yùn)算放大器的組成輸入級(jí)中間級(jí)輸出級(jí)偏置電路通常由差分放大電路構(gòu)成,目的是為了減小放大電路的零點(diǎn)漂移、提高輸入阻抗。通常由共發(fā)射極放大電路構(gòu)成,目的
2024-10-19 00:10
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路與BJT相比:?利用電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流?單極型晶體管:主要是多數(shù)載流子導(dǎo)電?輸入阻抗高?噪聲低?易于制造,便于集成P溝
2025-02-18 00:05
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)第三章場(chǎng)效應(yīng)管引言結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管電路小信號(hào)等效電路分析法場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的組態(tài)模擬電子技術(shù)引言場(chǎng)效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)
2024-10-04 19:08