場(chǎng)效應(yīng)管放大電路和模擬集成電路(編輯修改稿)
2025-03-20 10:49 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 預(yù)夾斷處： vGD=vGSvDS =VT預(yù)夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長(zhǎng)?溝道電阻 ? ?ID基本不變2. 工作原理（ 2） vDS對(duì)溝道的控制作用2. 工作原理（ 3） vDS和 vGS同時(shí)作用時(shí) vDS一定， vGS變化時(shí) 給定一個(gè) vGS ， 就有一條不同的 iD – vDS 曲線(xiàn) 。3. VI 特性曲線(xiàn)及大信號(hào)特性方程① 截止區(qū)當(dāng) vGS＜ VT時(shí)，導(dǎo)電溝道尚未形成， iD＝ 0， 為截止工作狀態(tài)。② 可變電阻區(qū) vDS≤（ vGS－ VT）③ 飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱(chēng)放大區(qū)）vGS VT ，且 vDS≥ （ vGS－ VT） MOSFET放大電路 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2. 圖解分析3. 小信號(hào)模型分析 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（ 1） 簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道）直流通路共源極放大電路 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（ 1） 簡(jiǎn)單的共源極放大電路 （ N溝道）假設(shè)工作在飽和區(qū)，即驗(yàn)證是否滿(mǎn)足如果不滿(mǎn)足，則說(shuō)明假設(shè)錯(cuò)誤須滿(mǎn)足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū)再假設(shè)工作在可變電阻區(qū)即 MOSFET放大電路1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算（ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路飽和區(qū)
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