[工程科技]模電課件ch05場效應(yīng)管放大電路(完整版)
【正文】 ? ID ? G、 D間 PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。已知 ，mS 18m ?g ，100?? 試求電路的中頻增益、輸入電阻和輸出電。 此時 vDS ? 夾斷區(qū)延長 ? 溝道電阻 ? ? ID基本不變 ? 2. 工作原理 （以 N溝道 JFET為例） ③ vGS和 vDS同時作用時 當(dāng) VP vGS0 時，導(dǎo)電溝道更容易夾斷， 對于同樣的 vDS ， ID的值比 vGS=0時的值要小。 修正后 MOSFET的主要參數(shù) 一、直流參數(shù) NMOS增強(qiáng)型 1. 開啟電壓 VT （增強(qiáng)型參數(shù)） 2. 夾斷電壓 VP （耗盡型參數(shù)） 3. 飽和漏電流 IDSS （耗盡型參數(shù)） 4. 直流輸入電阻 RGS （ 109Ω～ 1015Ω ） 二、交流參數(shù) 1. 輸出電阻 rds GSDDSdsVir ??? vD12TGSnds1])([iVKr ?? ????v當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時， ?＝ 0， rds→∞ MOSFET的主要參數(shù) DS GSDmVigv???2. 低頻互導(dǎo) gm 二、交流參數(shù) 考慮到 2TGSnD )( VKi ?? v則 DSDS GS2TGSnGSDm)]([VVVKigvvv ???????)(2 TGSn VK ?? vnDTGS )( KiV ??vDn2 iK?LWK ???2C oxnn其中 MOSFET的主要參數(shù) end 三、極限參數(shù) 1. 最大漏極電流 IDM 2. 最大耗散功率 PDM 3. 最大漏源電壓 V（ BR） DS 4. 最大柵源電壓 V（ BR） GS MOSFET放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計算 2. 圖解分析 3. 小信號模型分析 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） 直流通路 共源極放大電路 MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計算 （ 1）簡單的共源極放大電路 （ N溝道） DDg2g1g2GS VRRRV??2)( TGSnD VVKI ??dDDDDS RIVV ??假設(shè)工作在飽和區(qū) ， 即 )(TGSDS VVV ??驗(yàn)證是否滿足 )(TGSDS VVV ??如果不滿足 ， 則說明假設(shè)錯誤 須滿足 VGS VT ， 否則工作在截止區(qū) 再假設(shè)工作在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2假設(shè)工作在飽和區(qū) 滿足 )(TGSDS VVV ??假設(shè)成立 ， 結(jié)果即為所求 。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體（ MOS）場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET） * 砷化鎵金屬 半導(dǎo)體場效應(yīng)管 各種放大器件電路性能比較 MOSFET放大電路 與 BJT相比： ? 利用電壓產(chǎn)生的電場效應(yīng)來控制電流 ? 單極型晶體管：主要是多數(shù)載流子導(dǎo)電 ? 輸入阻抗高 ? 噪聲低 ? 易于制造，便于集成 P溝道 耗盡型 P
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