[工程科技]模電課件ch05場效應管放大電路-展示頁
2025-02-27 00:05本頁面
【正文】 在可變電阻區(qū) )( TGSDS VVV ??即 dDDDDS RIVV ??DSTGSnD )( vv VKI ?? 2假設工作在飽和區(qū) 滿足 )(TGSDS VVV ??假設成立 ， 結果即為所求 。 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 1）輸出特性及大信號特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi② 可變電阻區(qū) vDS≤（ vGS－ VT） ] )([ DSDSTGSnD 22 vvv ??? VKi由于 vDS較小，可近似為 DSTGSnD )( vv VKi ?? 2常數(shù)??GSDDSd s ovvdidr)( TGSn VK ?? v21 rdso是一個受 vGS控制的可變電阻 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 （ 1）輸出特性及大信號特性方程 ② 可變電阻區(qū) DSTGSnD )( vv VKi ?? 2)( TGSnd s o VKr ?? v21?n ：反型層中電子遷移率 Cox ：柵極 （ 與襯底間 ） 氧化層單位面積電容 本征電導因子 oxn39。 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 在預夾斷處： vGD=vGSvDS =VT 預夾斷后， vDS? ?夾斷區(qū)延長 ?溝道電阻 ? ?ID基本不變 2. 工作原理 （ 2） vDS對溝道的控制作用 2. 工作原理 （ 3） vDS和 vGS同時作用時 vDS一定， vGS變化時 給定一個 vGS ，就有一條不同的 iD – vDS 曲線。 當 vGS VT 時 在電場作用下產(chǎn)生導電溝道， d、 s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。 金屬 氧化物 半導體（ MOS）場效應管 結型場效應管（ JFET） * 砷化鎵金屬 半導體場效應管 各種放大器件電路性能比較 MOSFET放大電路 與 BJT相比： ? 利用電壓產(chǎn)生的電場效應來控制電流 ? 單極型晶體管：主要是多數(shù)載流子導電 ? 輸入阻抗高 ? 噪聲低 ? 易于制造，便于集成 P溝道 耗盡型 P溝道 P溝道 N溝道 增強型 N溝道 N溝道 （耗盡型） FET 場效應管 JFET 結型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 耗盡型 ：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在 增強型 ：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道 場效應管的分類： 金屬 氧化物 半導體（ MOS）場效應管 N溝道增強型 MOSFET MOSFET的主要參數(shù) N溝道耗盡型 MOSFET P溝道 MOSFET 溝道長度調(diào)制效應 N溝道增強型 MOSFET 1. 結構 （ N溝道） L ：溝道長度 W ：溝道寬度 tox ：絕緣層厚度 通常 W L N溝道增強型 MOSFET 剖面圖 1. 結構 （ N溝道） 符號 N溝道增強型 MOSFET 2. 工作原理 （ 1） vGS對溝道的控制作用 當 vGS≤0 時 無導電溝道， d、 s間加電壓時，也無電流產(chǎn)生。 當 0vGS VT 時 產(chǎn)生電場，但未形成導電溝道（感生溝道）， d、 s間加電壓后，沒有電流產(chǎn)生。 vGS越大
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