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[工程科技]模電課件ch05場效應管放大電路-文庫吧在線文庫

2025-03-23 00:05上一頁面

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【正文】 s )(rRgrvvvv ???end * 砷化鎵金屬 半導體場效應管 不做教學要求 各種放大器件電路性能比較 各種放大器件電路性能比較 組態(tài)對應關系: CE BJT FET CS CC CD CB CG 電壓增益: BJT FET beLc )//(rRR?? ?)//)(1()//()1(LebeLeRRrRR??????beLc )//(rRR??CE: CC: CB: )////( Lddsm RRrg?)////(1)////(LdsmLdsmRRrgRRrg?dsLdLddsm//1)//)(1(rRRRRrg??CS: CD: CG: beb // rR輸出電阻: cR? ?)//)(1(// Lebeb RRrR ??????1)//(// bebserRRR??1//beerRcRBJT FET 輸入電阻: CE: CC: CB: CS: CD: CG: 很高m1//gR很高CE: CC: CB: CS: CD: CG: dds // Rrmds1////gRrdds // Rr 各種放大器件電路性能比較 解: 畫中頻小信號等效電路 例題 放大電路如圖所示。 在預夾斷處 vGD=vGSvDS =VP 綜上分析可知 ? 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導電, 所以場效應管也稱為單極型三極管 。 解: V2V54060 40 DDg2g1g2G S Q ?????????????? VRRRV)12)(()( 22TGSnDQ ????? VVKIV2V)]15)((5[dDDDD S Q ????? RIVV例: 設 Rg1=60k?, Rg2=40k?, Rd=15k?, 220 V/ ?K試計算電路的靜態(tài)漏極電流 IDQ和漏源電壓 VDSQ 。 當 0vGS VT 時 產(chǎn)生電場,但未形成導電溝道(感生溝道), d、 s間加電壓后,沒有電流產(chǎn)生。 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 ( 1)輸出特性及大信號特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi② 可變電阻區(qū) vDS≤( vGS- VT) ] )([ DSDSTGSnD 22 vvv ??? VKi由于 vDS較小,可近似為 DSTGSnD )( vv VKi ?? 2常數(shù)??GSDDSd s ovvdidr)( TGSn VK ?? v21 rdso是一個受 vGS控制的可變電阻 3. VI 特性曲線及大信號特性方程 ( 1)輸出特性及大信號特性方程 ② 可變電阻區(qū) DSTGSnD )( vv VKi ?? 2)( TGSnd s o VKr ?? v21?n :反型層中電子遷移率 Cox :柵極 ( 與襯底間 ) 氧化層單位面積電容 本征電導因子 oxn39。 2. 工作原理 (以 N溝道 JFET為例) ② vDS對溝道的控制作用 當 vGS=0時, vDS?
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