第四章場效應(yīng)管放大器(編輯修改稿)
2024-09-01 10:36 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 柵極 G和 襯底 B。符號： 當(dāng) uGS＞ 0V時 → 縱向電場→ 將靠近柵極下方的空穴向下排斥 → 耗盡層。（ 2）工作原理 當(dāng) uGS=0V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的 二極管，在d、 s之間加上電壓也不會形成電流，即管子截止。 再增加 uGS→ 縱向電場 ↑→ 將 P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面 → 形成導(dǎo)電溝道，如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流 id。① 柵源電壓 uGS的控制作用 定義： 開啟電壓（ UT） —— 剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓 UGS。 N溝道增強型 MOS管的基本特性： uGS ＜ UT， 管子截止， uGS ＞ UT， 管子導(dǎo)通。 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓 uDS作用下，漏極電流 ID越大。 ② 轉(zhuǎn)移特性曲線 ： iD=f(uGS)?uDS=const 可根據(jù)輸出特性曲線作出 移特性曲線 。例：作 uDS=10V的一條 轉(zhuǎn)移特性曲線：UT 一個重要參數(shù) —— 跨導(dǎo) gm： gm=?iD/?uGS? uDS=const (單位 mS) gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。 在輸出特性曲線上也可求出 gm。 MOSFET特點： 當(dāng) uGS=0時，就有溝道，加入 uDS， 就有 iD。 當(dāng) uGS＞ 0時，溝道增寬， iD進一步增加。 當(dāng) uGS＜ 0時，溝道變窄， iD減小。 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)uGS=0時，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。 定義： 夾斷電壓（ UP） —— 溝道剛剛消失所需的柵源電壓 uGS。 P溝道耗盡型、增強型 MOSFET P溝道 MOSFE
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