結(jié)型場效應管ppt課件-文庫吧資料
2025-05-09 04:06本頁面
【正文】 FET比 IGFET還要低。 2122(1 )gG S G S D D D sggGSD D S SPRV V V V I RRRVIIV?? ? ? ?????? ????2122( 1 )gG S G S D D D sggGSD D OTRV V V V I RRRVIIV?? ? ? ?????? ????()D S D D D d sV V I R R? ? ?對于耗盡型 JFET放大電路分析（ 2） JFET放大電路分析（ 3） 二、動態(tài)分析 vo ○ ○ ○ ○ ○ ● ● ● ● ● ● Cb1 Rg3 Rs C Cb2 Rd T + + vi VDD ● ● Rg2 Rg1 +_vo+Rdgsm vgrd sdgsvi+vg s 1gR 2gR3gRRssgsmgsdgsmiov RvgvRvgvvA????213 // gggi RRRR ?? do RR ?smdmRgRg???1場效應管電路符號 g s d B NDMOS g s d B g s d B NEMOS g s d B d g s d g s NJFET PDMOS PEMOS PJFET 箭頭方向指向溝道，為 NFET 溝道線是虛線，為增強型 FET 溝道線是實線，為耗盡型 FET 箭頭由溝道指出，為 PFET g s d iD vGS iD v DS 增強型MOS g s d vGS iD iD vDS 耗盡型MOS vGS iD iD v DS 結(jié)型 N溝道場效應管 d g s VDS0 vGS0 vGS0,=0,0 vGS0 vGSVT或 VP 放大： vDS?vGSVT(或 VP) g s d 增強型MOS g s d 耗盡型M
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