[工程科技]模電課件 ch05場效應(yīng)管放大電路(文件)
【正文】 TG S Qnm??????? VVKg（ 2）放大電路分析 （例 ） s 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） dgsmo Rg vv ??)1()( mgsgsmgsi RgRg ???? vvvvRgRgAmdmio1 ???? vvvg2g1i // RRR ?do RR ?SiiSiioSos RRRAA???? ?? vv vvvvvvs 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 （例 ） )//()//)((dsgsmgsdsgsmiorRgrRgAvvvvvv ???1)//(1 )//(dsmdsm ??? rRgrRg)()//(1)//( SiidsmdsmSiioSosRRRrRgrRgA?????? ?vvvvvvv共漏 3. 小信號模型分析 （ 2）放大電路分析 g2g1i // RRR ?mdsmdstto1//// 111grRgrRiR?????vend 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 JFET的特性曲線及參數(shù) JFET放大電路的小信號模型分析法 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 1. 結(jié)構(gòu) 符號中的箭頭方向表示什么？ 2. 工作原理 ① vGS對溝道的控制作用 當 vGS＜ 0時 （以 N溝道 JFET為例） 當溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓 vGS稱為 夾斷電壓 VP （ 或 VGS(off) ）。 2. 工作原理 （以 N溝道 JFET為例） ② vDS對溝道的控制作用 當 vGS=0時， vDS? ? ID ? G、 D間 PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。 ? JFET是電壓控制電流器件， iD受 vGS控制。已知 ，mS 18m ?g ，100?? 試求電路的中頻增益、輸入電阻和輸出電。 為什么 JFET的輸入電阻比 BJT高得多？ ? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因 此 iG?0，輸入電阻很高。 此時 vDS ? 夾斷區(qū)延長 ? 溝道電阻 ? ? ID基本不變 ? 2. 工作原理 （以 N溝道 JFET為例） ③ vGS和 vDS同時作用時 當 VP vGS0 時，導(dǎo)電溝道更容易夾斷， 對于同樣的 vDS ， ID的值比 vGS=0時的值要小。 PN結(jié)反偏 耗盡層加厚 溝道變窄。 修正后 MOSFET的主要參數(shù) 一、直流參數(shù) NMOS增強型 1. 開啟電壓 VT （增強型參數(shù)） 2. 夾斷電壓 VP （耗盡型參數(shù)） 3. 飽和漏電流 IDSS （耗盡型參數(shù)） 4. 直流輸入電阻 RGS （ 109Ω～ 1015Ω ） 二、交流參數(shù) 1. 輸出電阻 rds GSDDSdsVir ??? vD12TGSnds1])([iVKr ?? ????v當不考慮
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