[工程科技]模電課件ch05場(chǎng)效應(yīng)管放大電路-wenkub
2023-03-05 00:05:25 本頁(yè)面
【正文】 設(shè) Rg1=60k?， Rg2=40k?， Rd=15k?， 220 V/ ?K試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流 IDQ和漏源電壓 VDSQ 。 3. VI 特性曲線(xiàn)及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi① 截止區(qū) 當(dāng) vGS＜ VT時(shí) ， 導(dǎo)電溝道尚未形成 ， iD＝ 0， 為截止工作狀態(tài) 。 當(dāng) 0vGS VT 時(shí) 產(chǎn)生電場(chǎng)，但未形成導(dǎo)電溝道（感生溝道）， d、 s間加電壓后，沒(méi)有電流產(chǎn)生。 當(dāng) vGS VT 時(shí) 在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生導(dǎo)電溝道， d、 s間加電壓后，將有電流產(chǎn)生。 3. VI 特性曲線(xiàn)及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 c o n s t .DSD GS)( ?? vvfi② 可變電阻區(qū) vDS≤（ vGS－ VT） ] )([ DSDSTGSnD 22 vvv ??? VKi由于 vDS較小，可近似為 DSTGSnD )( vv VKi ?? 2常數(shù)??GSDDSd s ovvdidr)( TGSn VK ?? v21 rdso是一個(gè)受 vGS控制的可變電阻 3. VI 特性曲線(xiàn)及大信號(hào)特性方程 （ 1）輸出特性及大信號(hào)特性方程 ② 可變電阻區(qū) DSTGSnD )( vv VKi ?? 2)( TGSnd s o VKr ?? v21?n ：反型層中電子遷移率 Cox ：柵極 （ 與襯底間 ） 氧化層單位面積電容 本征電導(dǎo)因子 oxn39。 VDD=5V， VT=1V， MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 （ 2）帶源極電阻的 NMOS共源極放大電路 2)( TGSnD VVKI ??飽和區(qū) 需要驗(yàn)證是否滿(mǎn)足 )(TGSDS VVV ??SGGS VVV ??)(2 dDDDDS RRIVV ???])([ SSSSDDg2g1g2 VVVRRR ????)( SSD VRI ?? MOSFET放大電路 1. 直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 靜態(tài)時(shí) ， vI＝ 0， VG ＝ 0， ID ＝ I 電流源偏置 VS ＝ VG － VGS 2TGSnD )( VVKI ?? （ 飽和區(qū) ） MOSFET放大電路 2. 圖解分析 由于負(fù)載開(kāi)路，交流負(fù)載線(xiàn)與直流負(fù)載線(xiàn)相同 MOSFET放大電路 3. 小信號(hào)模型分析 2TGSnD )( VKi ?? v 2TgsG S Qn )( VVK ??? v 2gsTG S Qn ])[( v??? VVK2gsngsTG S Qn2TG S Qn )(2)( vv KVVKVVK ?????（ 1）模型 DQI? gsmvg? 2gsnvK?靜態(tài)值 （直流） 動(dòng)態(tài)值 （交流） 非線(xiàn)性失真項(xiàng) 當(dāng) ， vgs 2(VGSQ VT )時(shí)， DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ?? MOSFET放大電路 3. 小信號(hào)模型分析 （ 1）模型 DQD Ii ? gsmvg? dDQ iI ??gsmd vgi ???0時(shí) 高頻小信號(hào)模型 3. 小信號(hào)模型分析 解：例 求得： ?I V2G SQ ?V S Q ?VV/mA1 V/mA)12( )(2
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