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微電子學(xué)概論ch2mos場效應(yīng)晶體管-wenkub

2023-05-25 21:45:28 本頁面

　

【正文】 → 發(fā)射極 E 柵極 G→ 基極 B 襯底 B 電極 — 金屬絕緣層 — 氧化物基體 — 半導(dǎo)體因此稱之為 MOS管下一頁上一頁當(dāng) UGS較小時，雖然在 P型襯底表面形成一層耗盡層，但負(fù)離子不能導(dǎo)電。 ID 下一頁上一頁結(jié)型場效應(yīng)管的缺點： 1. 柵源極間的電阻雖然可達(dá) 107以上，但在某些場合仍嫌不夠高。 P G S D USD UGS N N ID 下一頁上一頁 P G S D USD UGS UGSVT且 USD0、 UGDVT時耗盡區(qū)的形狀 N N 越靠近漏端， PN結(jié)反壓越大 ID USD 對導(dǎo)電性能的影響下一頁上一頁 P G S D USD UGS UGSVT且 USD較大時 UGDVT時耗盡區(qū)的形狀 N N 溝道中仍是電阻特性，但是是非線性電阻。 UGS 對導(dǎo)電性能的影響下一頁上一頁 UDS=0V時 P G S D USD UGS N N ID UGS越大耗盡區(qū)越寬，溝道越窄，電阻越大。下一頁上一頁半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ) —— MOS場效應(yīng)晶體管下一頁上一頁場效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別 ?晶體管是電流控制元件；場效應(yīng)管是電壓控制元件。但當(dāng) UGS較小時，耗盡區(qū)寬度有限，存在導(dǎo)電溝道。 ID 下一頁上一頁 G S D USD UGS UGSVT UGD=VT時 N N 漏端的溝道被夾斷，稱為予夾斷。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時，將出現(xiàn)較大的柵極電流。當(dāng) UGS=UT時 , 在 P型襯底表面形成一層電子層，形成 N型導(dǎo)電溝道，在 UDS的作用下形成 ID。此時的漏極電流 ID 基本飽和，為飽和區(qū)。 2. 飽和區(qū)（恒流區(qū)）：：下一頁上一頁 N溝道耗盡型 MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu) 耗盡型（常開型） MOS場效應(yīng)管 + + + + +

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